RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

本文综合评述了用射频率等体化学气相沉积法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。     

高压0.18 μm先进工艺技术

1、简介项目名称:高压0.18μm先进工艺技术,该项目产品属于30V高工作电压的关键尺寸为0.18μm的逻辑器件。在8英寸硅片上经过32层光刻版制作完成的该产品集成了10余种晶体管,可广泛应用于手机、电脑、PDA、电视等液晶显示器的驱动器件。     

Belden CDT推出防侵入式连接器

Belden CDT网络部近日宣布推出新的防侵入式Optimax LC现场安装光纤连接器家族。此防侵入式Optimax LC连接器属于Belden IBDN FiberExpress光纤布线解决方案的一部分，是对最近推出的FiberExpress防侵入式LC系统的一个重要的补充。对于要求整系统防侵入，并且可在现场可靠地安装光纤布线系统．Optimax LC连接器家族将满足其需要。     

飞利浦LX3900SA迷你组合系统

超薄，超小型化，是飞利浦这套LX3900SA系统的一个鲜明特点。当下的此类产品，早已迈过了“体型”的门槛，即只把迷你系统的外型大小定位为产品的唯一附加值，在更大的意义上，高技术的密集性使用，已成为迷你组合的最大卖点，从而达到一种愈小愈精的程度。仅就功能而言，LX3900SA便能达到CD、DVD-Video、SACD播放、AM／FM收音、多声道环绕声扩大这三大功能，这足可对应一般用户的使用。另外，在声音的表现力方面，今天     

磅礴灵动 涤荡心怀——辉阳BS-10601音箱赏析

放眼今天的音响世界，纷争繁扰，群雄争霸，各种音响制品异彩纷呈，为广大音乐爱好者及发烧友们乃至普通家庭，带来听觉无穷的欢乐与享受。绝大多数欲求生存与发展的音响企业，都在不遗余力地，绞尽脑汁挖空心思，设计生产出声音优美质量可靠的音响器材。然而，还有一些音响公司为迎合大众的审美眼光与消费需求，间或生产制     

Spectral property and its shape transition on ^72-84Kr isotopes in microscopic core plus two-quasiparticle approach

By using a microscopic sdIBM-2 2q.p, approach, the levels of the ground-band, 7-band and partial two-quasi-particle bands for ^72-84Kr isotopes are calculated. The data obtained are in good agreement with the recent experimental results, and successfully reproduce the nuclear shape phase transition of ^72-S4Kr isotopes at zero temperature.The ground-state band is described successfully up to J^π=18^ and Ex=10.0MeV. Based on this model, the aligned requisite minimum energy has been deduced. The theoretical calculations indicate that no distinct change of nuclear states is caused by the abruptly broken pair of a boson, and predict that the first backbending of Kr isotopes may be the result of aligning of two quasi-neutrons in orbit g9/2, which galus the new experimental support of the measurements of g factors in the ^78-86Kr isotopes.     

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明，薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好，薄膜的电阻温度系数（TCR）最高可达4.23%/K.从成膜机理出发，较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为，单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能，致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度，使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词： VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数     

P波段脉冲功率组件

叙述了Ｐ波段脉冲功率组件的设计方法和测试结果，它的主要技术指标为，频率５４０￣６００ＭＨｚ连续可调，脉冲宽度１０￣１０００μｓ，占空比１％￣４０％均可调，脉冲功率输出大于３Ｗ。