基于电磁脉冲保护的中波发射台防雷技术

0引言每逢夏季雷雨期,中波发射台极易遭受直击雷或直击雷产生的雷电电磁脉冲影响,造成天馈线、电力变压器与发射设备的损坏,导致停播事故。如何避免或减小雷击电磁脉冲对中波发射台的危害也就成了雷电防护技术中一个重要课题。1改进天线发射塔防直击雷的措施1.1天线发射塔防直击雷的下导体根据中波发射天线的特性,发射塔防直击雷措施是通过塔底座绝缘子上间隙式球型放电器进行放电完成泄流,以避免因雷电流直接入地会导致发射塔处地电位瞬间升高,从而造成天馈线缆两端极大的地电位差,使发射设备损坏。     

一种基于调制m序列的直接序列扩频信号调制方法

为提高直接序列扩频通信系统的频谱利用率,该文提出在m序列周期等于信息比特位宽整数倍情况下的直接序列扩频信号——调制m序列的信号调制与解调方法(m-DSSS)。首先结合调制m序列相关性数值仿真结果验证m-DSSS信号捕获可行性,然后根据信息比特的排列组合情况,设计一种基于多通道的m-DSSS信号调制和解调方法,并对m-DSSS信号通过加性高斯白噪声信道后的抗干扰能力建立数学模型。最后在相同频谱利用率条件下,与码移键控(CSK)调制方式进行了仿真对比试验。仿真结果表明,m-DSSS信号不仅比CSK信号具有更低的副峰,且当载波采用BPSK调制时,m-DSSS还可通过判断极性来辅助信号捕获,在误码率优于1e-3条件下,m-DSSS信号比CSK信号有2 dB以上优势,验证了m-DSSS调制用于直扩系统的可行性。     

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

本文采用常压MOCVD方法在Ti/Si（111）模板上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，使用二乙基锌为Zn源，去离子水为O源。Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发，然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶，接着在680％进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能。结果表明，本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜。     

多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线，并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释，比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比，简单明了，实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案，改进了晶体质量。     

破译皮蛋的化学密码

皮蛋作为我国传统的风味蛋制品,是一道享誉海内外的餐桌美食。通过介绍蛋白和蛋黄的pH和游离碱度的变化、蛋黄凝胶强度的变化以及蛋黄和溏心中化学键的变化来了解皮蛋凝胶的形成过程;通过前体物的降解、脂质的氧化和美拉德反应来探索皮蛋风味产生过程的化学变化;通过分析蛋白颜色和蛋黄颜色变化所涉及到的化学反应来解密皮蛋颜色形成中的化学变化;最后通过实验分析确定形成松花的化学物质。通过破译皮蛋的化学密码,让大家感受到化学与生活的紧密联系,并激发学生对化学的兴趣。     

Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mn掺杂GaN(Ga1-xMnN)晶体的电子结构及光学性质,详细讨论掺杂后电子结构的变化.计算表明,Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N 2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,Ga1-xMnxN表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料.另结合实验结果分析掺杂后体系的光学性质,发现吸收谱在1.3 eV处出现吸收峰,吸收系数随Mn2+浓度增加而增大.分析表明,该峰是源于Mn2+离子e态与t2态间的带内跃迁.     

基于调用习惯的恶意代码自动化同源判定方法

恶意代码同源判定对作者溯源、攻击事件责任判定、攻击场景还原等研究工作具有重要作用。目前恶意代码同源判定方法往往依赖人工分析,效率低下,为此,提出一种基于调用习惯的恶意代码自动化同源判定方法。该方法基于7类调用行为,使用数据挖掘算法构建作者编程习惯模型,基于频繁项离群检测算法计算同源度,利用K均值聚类算法选择同源判定阈值,进而实现恶意代码同源判定。实验结果表明,该方法具有99％以上的准确率和可接受的召回率。     

基于运行阶段特征的虚拟机实时迁移技术

针对预拷贝算法在起始、迭代、结尾3个阶段所表现出的不同特点,提出了基于运行阶段特征的虚拟机实时迁移技术(LMCOS, live migration based on the characteristics of the operation stages)。起始阶段引入比对初始内存页的变量传输技术以避免未改变内存部分的传输;迭代阶段引入计数排序传输方法以减少内存页的重传;结尾阶段引入调减虚拟机CPU时间片的策略以缩短停机时间。与预拷贝算法相比,LMCOS使停机时间平均减少53%,总迁移时间平均减少65%。     

1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制北大核心CSCD

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。     

J-TEXT װ�õ�������ƽ���ؽ��뼯������

利用Matlab语言将EFIT程序反演计算过程进行优化整合,简化了程序操作步骤,并增加了对计算结果的分析与存储功能。利用整合后的 EFIT 程序,计算分析了 J-TXET 装置放电过程中等离子体磁场位形和其它参数的演变,绘制了等离子体压强剖面图、等离子体电流密度和安全因子分布等磁面信息的重建结果。此外,还将反演结果与软X射线测算数据进行比对。结果表明,改善后的EFIT程序能够初步满足对实验放电的反演计算分析要求,为J-TXET装置的放电控制和运行提供重要的参考数据。