交织的空时分组码级联不对称网格编码调制方法

根据交织的空时分组码级联TCM编码设计标准,提出了一种空时分组码级联不对称网格编码调制(A-TCM)的优化设计方案,并得到了在空时分组码级联不对称8PSK调制的TCM情况下最优的星座图旋转角度.仿真和分析结果表明,在相同的频谱效益和译码复杂度的情况下,相比传统空时分组码级联TCM的方法,新方法可进一步提高系统性能.     

GMP在矿泉水生产中的应用

病从口入,人命关天,矿泉水虽然是水,但它直接威胁着人民的生命安全。世界卫生组织发出警告:80％的疾病与饮水不良有关。水,是生命的源泉,水与我们的健康息息相关,为了保持身体健康,喝什么样的水,越来越为人们关切和重视,喝水大有讲究的必要。简言之,要喝最干净的、最安全的、对人体健康最有利的水。     

红外偏振成像对伪装目标的探测识别研究

针对目前普通光电成像系统对伪装目标的探测和识别概率较低的状况,提出伪装目标的探测识别新技术研究。介绍了红外偏振成像系统的原理、组成和特点,研制的中波/长波红外偏振成像装置,其波段范围为3 m ~5 m和8 m~12 m,线偏振度95%,消光比大于100∶1,给出了试验分析数据和偏振融合效果图。研究表明,采用红外偏振成像技术可以有效地实现对地面伪装目标的探测和识别。研究结果还可以扩展到对人工假目标、空中隐身目标等的探测和识别。     

885nmLD高重频侧泵Nd：YAG全固态激光器输出特性研究

对不同反射率和注入电流下885nmLD高重频侧面泵浦Nd：YAG全固态激光器的输出特性进行了实验研究，实验表明1064nm激光脉冲输出能量随注入电流的增加而增大，泵浦频率越高，脉冲输出能量增长越慢。以脉冲侧面泵浦Nd：YAG，在重复频率为60Hz、80Hz，注入电流为130A时，得到了输出透镜的最佳反射率都为73％，输出脉冲能量分别为62.1mJ，47.9mJ，光-光效率分别为13.29%、10.29%。     

固体材料定向光谱发射率测量装置研究及误差分析

针对红外隐身材料光谱发射率测评的需要,提出一种基于能量法的发射率测量模型,并建立起固体材料定向光谱发射率测量装置,能实现温度范围50℃～300℃与光谱范围1.3μm～14.5μm的固体材料定向光谱发射率测量。通过对试样进行实测,得到不同样品在150℃和同一样品在不同温度下的光谱发射率曲线,得出该材料发射率随温度变化的结论。最后分析了样品同黑体温度不等引起的误差,给出温差为1℃和2℃时,发射率相对误差随温度与波长的分布曲线,以及不同黑体温度下3μm～5μm和8μm～14μm的平均相对误差值。     

转筒黏度计测量液体黏度方法研究

用黏性流体力学理论求得测量装置中旋转液体径向速度梯度的理论公式,进而得到转筒法测量黏度的较精确公式.指出了国内的一些教材和文献在推导中使用近似公式的错误,用参数估计的方法求得测量装置的摩擦阻力力矩,使测量结果得到进一步校正.实验研究表明:按照近似公式与精确公式计算求得的径向速度梯度之差可达到13.1%,求得的液体黏度之差可达到28.6%;在蓖麻油的温度为25.5℃时测得测量装置的摩擦阻力力矩为9.482×10-5 N·m,相当于0.540克重物产生的力矩.     

7×7电寻址红外液晶光阀

采用光寻址红外液晶光阀的动态红外场景生成系统受可见光图像写入源的影响,输出的红外图像帧频较低(＜100Hz),而且光寻址液晶器件结构相对复杂,能量利用率低.针对这些缺点,提出了一种采用预应力液晶的电寻址红外液晶光阀以7×7阵列的反射式电寻址红外液晶光阀为例,介绍了电寻址红外液晶器件的结构及制作过程,设计了采用逐点扫描的驱动控制电路,得到了具有灰度的红外图形.这种电寻址红外液晶光阀结构紧凑简单,能量利用率高,输出图像的帧频可达250 Hz,为研制具有实用价值的高分辨率、高帧频的电寻址红外液晶光阀提供了技术基础.     

擦亮我们的眼睛——国产平板电视技术卖点的深入观察

作为平板电视的盟主——液晶电视,经过2005年至今的大发展阶段,无论上游的面板还是下游的芯片,技术已相当成熟,应用方案自成体系,几大稳定而性能优越的机芯和面板已广泛应用到国产主流的平板电视,使液晶电视已成功逾越其产品过渡阶段。因此深入了解平板电视最新的产业现状与趋势,必将有助于您正确地选购产品。     

10轮3D分组密码算法的中间相遇攻击

3D密码算法是一个代换-置换网络(SPN)型结构的新分组密码。与美国高级加密标准(AES)不同的是3D密码算法采用3维状态形式。该文利用3D算法结构,构造出一个5轮中间相遇区分器,并由此给出10轮3D的新攻击。结果表明:新攻击的数据复杂度约为2128选择明文,时间复杂度约为2331.1次10轮3D加密。与已有的攻击结构相比较,新攻击有效地降低了攻击所需的数据复杂度以及时间复杂度。     

一种带氧化槽的双栅LDMOS

提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9％,击穿电压提高了82.4％.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4％.