排序方式: 共有37条查询结果,搜索用时 281 毫秒
11.
用于激光扫描的几种动态聚焦系统分析 总被引:4,自引:0,他引:4
分析了几种不同的动态聚焦系统的特点,给出了激光束通过该系统的变换公式以及光杠杆比和透镜焦距的确定方法。 相似文献
12.
13.
针对压印过程中两类基本的复型缺陷,从实验分析中得出其主要原因是曝光后阻蚀胶的固化程度难以控制.通过分析紫外曝光光源与阻蚀胶的光谱匹配性,得出使得阻蚀胶固化的有效波长为365nm;对光诱导紫外曝光过程中紫外光的传播分析,建立了阻蚀胶中光强分布的数学模型;用粘度来表征阻蚀胶的固化程度,建立了阻蚀胶中的粘度分布函数.分析了阻蚀胶对365nm紫外光的吸收率以及膜厚对阻蚀胶中光强分布均匀性的影响,得出复型后阻蚀胶凸起处的光强分布均匀性对吸收率及膜厚更为敏感的结论. 相似文献
14.
15.
16.
17.
高精度基准平面建立方法分析 总被引:1,自引:1,他引:0
基准平面的确立,是进行表面参数评定的基础;建立理想的基准平面,在几何量形位公差检测及相关工程测量方面具有重要作用.为了建立高精度的激光扫描基准平面,对扫描平面形成过程中光束的传播进行了详细分析;根据光学矢量反射定律,推导出了扫描误差的理论公式;在此基础上揭示了误差补偿的基本原理,导出了用于补偿扫描机构产生的扫描误差的理论公式;提出了据此准则进行设计的扫描机构的模型.分析表明,用激光及其扫描装置建立光学基准面时,扫描误差是不可避免的,这种误差不加补偿,则最终将引入基准光学平面影响基准精度,进而降低参数的评定精度;借助于所推导的误差补偿公式,是可以补偿这种误差的,这对于建立高精度的扫描基准平面具有理论指导意义. 相似文献
18.
介绍了一种基于玻璃湿法刻蚀低成本的MEMS压印模版制作工艺,工艺中以单层光刻胶作为刻蚀掩模,重点研究了改善刻蚀图形几何轮廓和提高表面质量的方法。在对钻蚀形成机理进行分析的基础上,通过对比偶联剂不同涂敷方式及不同蒸镀时间对刻蚀结果的影响,优化了硅烷偶联剂的涂敷工艺,使钻蚀率降低到0.6,图形几何形状得到改善。分析了刻蚀生成物的溶解度,采用HCl作为刻蚀液添加剂对刻蚀产生的难溶物进行分解,提高了表面质量。对刻蚀表面缺陷的形成原因进行了分析,采用厚胶层工艺消除了表面缺陷。利用该工艺制作了图形特征尺寸为100μm的MEMS压印模版,并进行了初步压印实验,得到了很高的复型精度。 相似文献
19.
20.