钙钛矿型外延薄膜中两种分解失配位错的HRTEM研究

在（001）LaAlO3上生长钙钛矿型Ba0.3Sr0.7TiO3外延薄膜近界面层,用HRTEM观察到多种新型的分解失配位错,其中两种较复杂的分解失配位错已见报道。本文介绍在该薄膜中观察到的另外两种有趣的分解失配位错。这两种失配位错都分解成两个柏格斯矢量b=（1／2）（110）的不全位错,都与（1／2）（110）层错相伴。这些不全位错对薄膜应变松弛都有贡献,其发生与Ba0.3Sr0.7TiO3薄膜的岛状成核和莫扎克生长有关。     

在(001)SrRuO_3/(001)SrTiO_3上外延生长c轴取向Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的显微结构研究

用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3,(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜.SrRuO3底电极层厚约117 nm,BNdT薄膜厚～35nm.X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长.通过TEM平面样品观察,在SrRuO3/BNdT界面附近看到了两种村度处于不同高度的失配位错网,位错线沿<110>走向,其柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量.讨论了位错的形成机制.     

Ca0.28Ba0.72Nb2O6单晶中无公度调制结构、电畴结构与相变的TEM研究

介电温谱测量结果表明,钨青铜型Ca0.28Ba0.72Nb2O6(CBN28)单晶在252 ℃附近经历了从正常铁电体到弛豫铁电体的相变.用透射电子显微镜研究了该单晶中的无公度调制结构、畴结构及其演变.由室温[110]带轴电子衍射花样确定无公度调制波矢q=(1/2)c* (1 δ)(a*-b*)/4,其中无公度参数δ=0.09.高分辨像给出了无公度调制结构的直接证据.这种无公度超晶格结构是两种正交超晶胞结构均匀混合的结果.CBN28单晶中存在高密度沿c轴走向直径约50 nm～500 nm的长钉状180 °电畴.在电镜中原位升温至220 ℃左右,开始出现许多直径仅几纳米的细条状畴;温度继续上升时这种细条状畴渐增多.这种宏畴到微畴转变对应于在铁电相变点Tc附近的正常到弛豫铁电转变.刚好在Tc以下,还观察到经零场冷却的纳米针状畴.     

PbZrO-3陶瓷中180°畴壁形态及其原位再生的TEM研究

畴结构及其在外场下的动力学行为对铁电材料的电学性质起着决定性作用.与BaTiO-3和Pb(Zr,Ti)O-3等钙钛矿型铁电体相比,人们对PbZrO-3等反铁电体中的畴结构及其动力学行为的了解少得多[1-3].Tanaka等人曾用TEM观察到了PbZrO-3单晶中的反铁电180°畴壁,并用α-fringe理论确定了180°畴壁两侧的位移矢量[3].但至今还没有关于反铁电体中180°畴壁形态及其形成规律的系统研究报道.我们知道,在铁电体中形成180°畴是为了降低退极化能.但反铁电体中的自发极化本身就是反向的,不存在退极化场,可见反铁电体与铁电体中的180°畴有本质不同.此外,PbZrO-3中自发极化两两反平行,如果极化反转生成180°畴,那么180°畴壁的构型可能不同于铁电180°畴壁的.