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讨论了热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生,导致C─V特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下SiO2漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理,提出了漂移的tn物理模型,从而很好地解释了实验所观察到的现象。 相似文献
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本文介绍了ISDN用户一网络接口的管理模型,分析了PBX、X.25网关的管理功能,对协议测试,管理通信进行了研究并提出模型及实现原则。 相似文献
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本文对ATM(异步转移模式)网络中话音、数据和图像业务的漏桶流量控制特性进行了研究。计算机模拟结果表明,由于各种业务内在的相关性不同,相应的漏桶流量控制特性有较大的差异。漏桶参数的选择对于各种业务具有不同的公平性,因而应根据业务的特性来设计漏桶参数。 相似文献
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钙矾石膨胀机理的SEM研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文利用扫描电镜观察了在具有不同矿物组成的系统中生成的钙矾石的形成与膨胀机理。发现能够产生膨胀的钙矾石是由局部化学反应所生成;它们在未水化的铝酸盐矿物表面原地结晶,呈放射状生长。通过溶解,沉淀生成的钙矾石不能凝结,没有膨胀性。 相似文献
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