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本工作用氦Ⅰ和氦Ⅱ紫外光电子谱对高温超导材料(T_c=89.5K)——钇钡铜氧化合物价态附近的电子结构进行了分析。 结果表明随着样品从室温(300K)冷却到80K,除了二个能量位置分别在费米能级以下4.6ev和9.6ev的谱峰向较高的结合能方向有0.4ev的微小移动以外,没有观察到其它的变化。该二个谱峰随温度下降的移动是连续的。本工作对不同烧结工艺的同种材料样品进行了分析,紫外光电子谱的结果表明:价态附近的电子结构有明显的不同。在弗米能级附近的光电子谱表明,样品整体来说是半导体性的。 相似文献
843.
844.
845.
在TEM中采用衍衬成像方法系统观察了在室温下形变纯铝中位错胞壁的形成与发展,以及位错环的出现,获得了胞壁的平均宽度及位错环的平均尺寸随应变的变化规律。发现位错环平均尺寸与流变应力之间满足ψ=kGb/σ定量关系。 相似文献
846.
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849.
850.
LD泵浦固体激光器的光谱匹配问题 总被引:2,自引:0,他引:2
实验研究了LD泵浦Nd:YAG固体激光器的光谱匹配问题,如匹配方法、匹配效率、匹配chirp现象等:考察了LD光谱随温度、电流、时间的变化,讨论了这些变化对光谱匹配效率的影响。 相似文献