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51.
水下光学图像处理是水下设备完成深海探测和作业任务的重要依据。在简述了水下光学图像处理的研究背景、意义及其研究热点的基础上,该文从水下图像光照因素改善与颜色校正两个方面,详细综述了水下成像技术和水下图像清晰化算法的研究进展,重点论述了基于成像模型的图像复原方法和图像增强方法两个最为活跃的研究方向的研究现状。根据水下光学图像处理研究热点,分别从考虑光的前向折射,水下成像模型和图像增强算法结合,引入相关领域新型算法和提高图像处理实时性的角度,展望了水下光学图像处理研究的发展趋势。
相似文献52.
一个群的基函数的选择并非唯一,不同的基函数对应不同的表示矩阵。即使相同的表示矩阵,基函数也可以有不同的选择。在相变的宏观唯象理论中,
自由能展开式可由同一个表示矩阵的基函数来构造,因而给出不可约表示的基函数表就非常有意义。现有文献给出的32点群不可约表示的基函数只写到二次幂,而且有些文献中的同一个不可约表示所选取的不同的基函数却对应不同的表示矩阵,这样在构造群变换不变式时,就会出错。该文将基函数表写至三次幂, 这有助于准确、迅速地写出到六次幂群变换不变的自由能表达式。由新的基函数表发现十八种点群有三次幂的群操作不变式, 高温相属这些点群铁电体, 发生的本征铁电相变为一级相变。 相似文献
53.
20%的人掌握着80%的财富.20%的重要客户占据着企业的80%,这似乎是一个永恒的规则。当人们还在关注着2/8法则的时候,高峻和他率领的中太多媒体正思考着另外一个问题——在视讯市场方兴未艾时,如何将企业的高速成长带入下一个沸点? 相似文献
54.
本文报道激光照射与电刺激家兔的隔后迷走神经对胆汁和胰液的分泌排出的特异性效应。 实验选用1.9-3.0kg的健康家兔21只,用乌拉坦麻醉,按要求分别插好胰、胆插管。实验分两组进行。第一组七只兔用输出功率 5.6mW、光斑直径0.25cm,功率密度0.1141W/cm~2、能量密度6.848J/cm~2的激光束照射膈后迷走神经离中端;第二组兔14只,用刺激参数是电压30伏、频率32HZ、脉宽 6 ms的电刺激膈后迷走神经离中端 1分钟。 实验结果:1.激光照射一分钟时与照射前一分钟胰液分泌量显著增加(P<0.05)而胆汁分泌量 相似文献
55.
本田辰夫 《电子工业专用设备》1994,23(4):24-28
封装技术及其制造设备的发展方向本田辰夫前言从系统构成上讲,电子机器的组装必须经过若干个层次的封装级别。图1示出这种机器或系统封装层次的结构。首先,要在半导体LSI芯片上进行选择扩散和布线,这是0级封装。其次,将半导体LSI芯片封装好,类似于安装在电路... 相似文献
56.
57.
采用基于接地式开关的单频可重构阻抗变换网络,设计了一款可以工作在三个波段的可重构功率放大器。与其他可重构功率放大器相比,该功放输出匹配电路的设计复杂度相对较低,对各个工作频率的跨度要求很小,同时有效节约了频谱资源。为了验证方案的可行性,采用型号为CGH40010F 的GaN 晶体管设计了一款工作在1.75 GHz、2.1 GHz 和2.6 GHz 的可重构功率放大器,制作实物并进行测试。测试结果表明该结构使功放在工作的三个频段上具有良好的输出功率、效率及增益,各个频段之间的切换更加方便。 相似文献
58.
普通的基片集成波导缝隙阵列天线的阻抗带宽很窄,这成为了制约其应用于宽频带雷达等领域的瓶颈。考虑到脊波导的单模工作带宽较宽的特性,本文采用了加脊基片集成波导进行缝隙阵列漏波天线的设计,获得了超过13%的阻抗带宽。在此基础上,采取缝隙长度为"蝶形"分布的尺寸配置方式,以及在金属脊上覆盖金属条带的方法,设计了一种新型的基片集成脊波导宽带缝隙漏波天线。所有的仿真均使用了Ansoft HFSS软件,仿真结果表明,该漏波天线的相对阻抗带宽超过38%(8.5~12.5GHz),带内增益为14.0007dBi。天线为印刷型结构,具有剖面低、重量轻、易于集成、带宽较宽、增益较高的优点,以及漏波天线的高方向性、波束可控的固有特点,使其可以广泛应用在相应频段的通信设备中。 相似文献
59.
本文提出了一种变化检测方法以提高算法的鲁棒性、检测精度以及抗噪性.首先对差值法构造的差异图和比值法构造的差异图进行小波融合.然后将融合图像分成互不重叠的小块,并用主成分分析得到图像块的正交基.通过将融合图像中每个像素的邻域小块映射到正交基上使得每个像素用一个特征向量来表示.最后用基于核的模糊C均值对特征向量进行聚类.实验结果显示与使用单一类型差异图的聚类方法相比,本方法由于采用了图像融合的策略而增强了鲁棒性,且由于采用了核模糊聚类,进一步提高了变化检测精度.此外由于使用了特征提取的技术,本方法具有一定的抗噪性能. 相似文献
60.
高可靠性已成为大功率半导体激光器实用化的重要指标之一,而寿命预测是大功率半导体激光器可靠性评估的首要环节。文中提出了一种双应力交叉步进加速退化的试验方法,对830 nm F-mount封装的大功率半导体激光器进行了四种不同的双应力条件A[22℃,1.4 A],B[42℃,1.4 A],C[42℃,1.8 A],D[62℃,1.8 A]下的电流-温度交叉步进加速退化试验研究,对光输出功率退化轨迹进行拟合,按照80%功率退化作为失效判据,结合修正后的艾琳模型和威布尔分布外推得到器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF)为5 811 h。文中给出了完整的加速退化模型建立过程与详细的外推寿命计算方法,并对模型进行了准确性检验,误差不超过10%。该方法相比单应力恒定加速试验方法,可以大幅度节约试验时间和试验成本,这对于大功率半导体激光器的自主研制具有重要的指导意义。 相似文献