与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.     

P(4-VPPS-co-DMAPS)两性离子共聚物膜的制备及表征

首先,以4-乙烯基吡啶(4-VP)与甲基丙烯酸二甲氨乙酯(DMAEMA)为单体通过自由基共聚,得到聚(4-乙烯基吡啶-co-甲基丙烯酸二甲氨乙酯)共聚物(P(4-VP-co-DMAEMA));然后,用1,3-丙磺酸内酯对P(4-VP-co-DMAEMA)侧链进行季铵化改性,得到不同离子化修饰程度的P(4-VP-co-DMAEMA)的两性离子共聚物(P(4-VPPS-co-DMAPS))。采用傅里叶转换红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1 H-NMR)和凝胶渗透色谱(GPC)对P(4-VP-co-DMAEMA)和P(4-VPPS-co-DMAPS)的化学结构进行表征。用万能拉力试验机、差示扫描量热分析仪(DSC)、热重分析仪(TG)以及稀释涂布平板法对P(4-VP-co-DMAEMA)和P(4-VPPS-co-DMAPS)薄膜的力学性能、热学性能以及抗菌/防污性能进行了表征。探究了单体单元物质的量之比、季铵化修饰程度对P(4-VPPS-co-DMAPS)薄膜材料物理化学性能以及功能性的影响。结果表明:当两种单体单元的物质的量之比(n4-VP/nDMAEMA)为3/7,离子化修饰程度为20%时,得到的两性离子共聚物薄膜具有一定的热稳定性、韧性和强度,且兼具优异的抗菌/防污特性。     

高核Ag/S纳米团簇合成的研究进展

硫醇配体保护的高核银纳米团簇具有丰富的结构和性能, 在光致发光、 生物传感、 纳米材料等方面具有广阔的应用前景. 然而, 精确控制高核Ag/S纳米团簇的尺寸和结构面临着巨大的挑战, 构建高核Ag/S纳米团簇的可行策略也一直是人们关注的焦点. 近年来, 随着合成方法和表征技术的不断发展, 高核Ag/S纳米团簇的合成和性能研究方面均取得了显著的成就. 本文总结了含20个或以上Ag原子的Ag/S纳米团簇的合成方法(直接还原法、 阴离子模板法及配体交换法), 对部分高核Ag/S纳米团簇的结构进行了探讨, 并展望了未来研究的趋势.     

氯丙基键合硅胶固定相色谱性能与应用 I.二取代苯及前列腺素差向异构体的分离

研究了氯丙基键合硅胶固定相的高效液相色谱性能和在分离二取代苯异构体、前列腺素差向异构体方面的应用,探讨了流动相组成、性质、ｐＨ值等对溶质保留和分离的影响,讨论了溶质保留机理和最佳色谱分离条件。对上述异构体进行了良好的分离,而且分离速度比一般的反相色谱体系要好。     

N—BOC—8—氨甲基—2—萘甲酸的改进合成法

以２－萘甲酸为原料，经硝化，酯化，重氮化，选择性催化氢化，ＢＯＣ酸酐保护等六步反应，完成了Ｎ－ＢＯＣ－８氨甲基－２－萘甲酸（１ａ）的合成，为化合物１的合成提供了新的合成途径。     

卤代化合物的光化学反应研究进展

介绍近年来卤代化合物在光照射下的偶联反应、醇解反应、消去反应、开环反 应，尤其是卤代杂环化合物的光化学反应，得到了许多用热反应或催化反应无法替 代的具有生物(理)活性的中间体．     

微波消解试样催化极谱法测定香茹和黑木耳中痕量锗

采用双层聚四氟乙烯密闭容器，以HNO3-HClO4为溶解试剂，CaO为外层吸附剂，微波消解香菇及黑木耳试样。在草酸介质中，当有少量高氨酸存在时，锗（Ⅳ）-苏木精-钒（Ⅳ）体系可产生一灵敏的吸附催化波，峰电位在-0.59V(vs.SCE)处。锗浓度在0ng-300ng/25mL范围内与峰电流呈良好的线性关系，检出限为4.5ng/25mL,适宜于香菇和黑木耳中痕量锗的测定。