由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度

本文指出由MOS结构栅电流和高频电容对线性电压扫描的瞬态响应,可同时测定产生寿命和表面产生速度.对一些样品进行了测试,并与饱和电容法和 dC/dV法作了比较.     

贺《军医进修学院学报》30年

依据光声传感器的原理,改进了传输线理论,引入与谐振腔相连接的腔室、管道所引起的非理想因素,提出了一种更为完善的LC等效电路模型.利用此模型完成一维光声腔结构参数的理论分析和计算,通过与以前的模拟结果和实际测量数据进行对比可知,新模型的模拟结果与实验结果拟合得更好,从而证明了新模型的合理性.     

几种集成电路硅片工艺检测技术简介

集成电路是多工序(每道工序的加工成本相当高)的产品.在生产过程中对硅片加工质量进行检测,及早剔除不合格的硅片有利于降低加工成本;而对检测所得结果进行统计分析,追查原因,研究对策则有利于提高企业的质量管理水平和工艺水平.随着集成电路向大规模、超大规模方向发展,大块半导体平均参数的粗略测试已不能满足需要,对硅片的无损、微区、快速、自动测试技术正在迅速发展.表1列出了现今集成电路工艺检测的主要项目及方法.曾有专著[1-3]介绍了多种半导体测试技术.本文就新发展的、应用较广的几种集成电路硅片工艺测试技术进行简单介绍. 一、…