掺硼p型晶硅太阳电池LID恢复研究

随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高,由于光致衰减(LID)造成的效率损失问题也日益突显.文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理,前者光衰幅度极大下降,后者光衰得到很好的恢复,并且达到了一个相对稳定的状态,表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象.特别地,针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池(PERC)技术来说,光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象,24 h光衰幅度仅为0.03％.LID现象的解决,将为PERC技术的大规模推广奠定基础.     

~(15)NO与Mo(100)-c(2×2)N表面相互作用的HREELS和TDS研究

利用高分辨电子能量损失谱（ Ｈ Ｒ Ｅ Ｅ Ｌ Ｓ） 和热脱附谱（ Ｔ Ｄ Ｓ）, 研究了１５ Ｎ Ｏ 在 Ｍｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面上的吸附态及其随温度的变化． １２０ Ｋ 时, 在 Ｍ ｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面低暴露量的１５ Ｎ Ｏ 发生解离和分子吸附, 解离生成的１５ Ｎ 在１ ２３０ Ｋ 与另一１５ Ｎ 原子或氮化钼中的１４ Ｎ 原子并合、脱附． 在升温时大部分分子吸附的１５ Ｎ Ｏ 发生解离和反应, 解离生成的１５ Ｎ 原子与另一１５ Ｎ 原子生成１５ Ｎ２ 而脱附, 或与表面残存的１５ Ｎ Ｏ 生成１５ Ｎ２ Ｏ 脱附． １５ Ｎ２ Ｏ 的脱附峰温与 Ｍｏ（１００）表面相比, 升高了约１５０ Ｋ, 可能与形成氮化钼后电子由金属钼向非金属氮转移有关． 电子能量损失谱（ Ｅ Ｌ Ｓ）表明, １５ Ｎ Ｏ 在 Ｍｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面生成了一种新的１４ Ｎ１５ Ｎ Ｏ 物种． ３００ Ｋ 时, 低暴露量的１５ Ｎ Ｏ 在 Ｍ ｏ（１００）ｃ（２×２） Ｎ 表面解离吸附; 高暴露量时, 存在分子吸附的１５ Ｎ Ｏ．