大尺寸LCD—TV用高性能EEFL背光源

新型的外电极荧光灯（EEFL）背光源系统必须具有以下三个条件：第一,具有高的光学效率;第二,背光源的体积必须要小;第三,在大尺寸LCD背光源中具有较低的功耗。为获得较高的光学效率,可以考虑使用灯管半径较小的EEFL（中3．0）作液晶背光源。因为灯管半径较小的EEFL比普通的EEFL（Ф4．0）阻抗大。由于灯的阻抗越大,其功耗也越大,从而驱动电压也越高,但同时也提高了亮度和光学效率。我们采用了一种降低背光源体积,延长EEFL电极长度,缩小灯管半径,增加灯管长度的措施。采用了上述措施后,可以增加荧光屏的尺寸。在本文中,我们提出了一种灯管半径不同的外电极荧光灯（DEFL）概念。在灯管半径为4毫米的EEFL发光部分与半径为8毫米的玻管电极部分之间制造出一个“节点”。最后,将这种灯与灯管半径为4毫米的CCFL灯进行了对比,证实了其比CCFL具有较低的功耗。     

信号波形的统一形式化表示

提出了一种对空中信号波形进行统一形式化表示的思路和方法,采用文法语言把复杂的信号波形及其结构进行符号化,并提出了相关的应用前景。     

体会指尖的灵动——19款触控手机大比拼

当乔布斯将iPhone展现出来的时候,已注定了我们掌中的手机会因此而改变。iPhone为手机带来的不仅仅是它在操作上的便利,而是一种更直观、更简洁的人机交流方式,一种突破传统的体验,以及指尖拂动屏幕时的亲近。现在,触控手机已成为市场的新宠,三星、LG、索尼爱立信、多普达……都不断在更新自己的产品及触控技术。Advanced Touch Interface、TouchFLO、Multi-T0uch、3D Touch……这些不同的技术配合着不同的触摸屏,为用户带来不同的操作体验,在这里,我们将触控手机所应用的独特技术一一展现出来。与大家一齐分享。当然,其中一些手机现在还并未上市,但其新颖的触控技术非常值得我们期待。     

用空压机清洗DF100A型100kW短波发射机的水路

文章介绍了DF100A型100kW短波发射机水路系统水质变坏的原因。水路系统的维护,着重介绍了用空压机加水泵对水路进行清洗的方法。     

数字MMDS系统设计

介绍了MMDS数字电视系统的整体架构、MMDS的发射与接收、MMDS系统的技术、MMDS的特点。MMDS与LMDS的比较、MMDS的现状与发展趋势,详细地介绍了MMDS宽带无线通信技术;并着重分析了数字发射系统和数字电视接收系统,以及技术规格和性能要求。     

High-fidelity quantum memory realized via Wigner crystals of polar molecules

The collective excitations of spin states of an ensemble of polar molecules are studied as a candidate for high-fidelity quantum memory. To avoid the collisional properties of the molecules, they are arranged in dipolar crystals under one or two dimensional trapping conditions. We calculate the lifetime of the quantum memory by identifying the dominant decoherence mechanisms and estimating their effects on gate operations when a molecular ensemble qubit is transferred to a microwave cavity.     

LD抽运355nm准连续紫外激光器

采用连续LD端面抽运,腔内插入Cr+4:YAG,KTP和LBO等晶体,并采用自孔径选模,获得较好光束质量的准连续紫外激光输出。在抽运功率12W的条件下,紫外激光输出功率约50mW,重复频率10kHz,近场光斑显示获得近似基模的355nm紫外激光。     

Multi-Electron Processes in ^13C^6＋ Ions with Neon Collisions in Energy Region 4.15-11.08 keV/u

The cross-section ratios of double-, triple-, quadruple-, and the total multi-electron processes to the single electron capture process （σ^DE/σ^SC, σ^TE/σ^SC, σ^QE/σ^SC and σ^ME/σ^SC） as well as the relative ratios among reaction channels in double-electron active, triple-electron active and quadruple-electron active are measured in ^13C^6＋_Ne collision in the energy region of 4.15-11.08keV/u by employing position-sensitive and time-of-flight coincident techniques. It is determined that the cross-section ratios σ^DE /σ^SC, σ^TE /σ^SC, σ^QE /σ^SC and σ^ME /σ^SC are approximately the constants of 0.20 ± 0.03, 0.16 ± 0.04, 0.06 ± 0.02 and 0.42 ± 0.05. These values are obviously smaller than the predictions of the molecular Coulomb over-the-barrier model （MCBM） [J. Phys. B 23 （1990） 4293], the extended classical over-the-barrier model （ECBM） [J. Phys. B 19 （1986） 2925] and the semiempirical scaling laws （SL） [Phys. Rev. A 54 （1996） 4127]. However, the relative ratios among partial processes of DE, TE and QE are found to depend on collision energy, which suggests that the collision dynamics depends on the collision velocity. The limitation of velocity-independent character of ECBM, MCBM and SL is undoubtedly shown.     

金属在半导体表面上的吸附

对近年来金属在半导体表面上吸附的理论和实验进展进行了评论。着重讨论了亚单层覆盖体系中存在的争议之处及最新进展。贵金属在Si（111）表面上的吸附，情况相当复杂。例如对Ag/Si(111)，虽然理论和实验 上提出了许多模型，但目前还存在许多争议，尚没有定论。还讨论了碱金属和稀土金属在Si表面上的吸附。对K在Si(100)表面及K和O在Si（100）表面上的共吸附模型进行了详细讨论。另外，对碱金属在GaAs表面上的吸附的一些最新的结果进行了讨论。     

使用的蓝光气体光激射器

最近曾报导过波长为6149.5和5677.2埃的脉冲激光作用,它们对应于Hg+系统中的两种跃迁。值得指出的是,这些跃迁不是在中性原子、而是在电离原子的能态之间发生的。目前,我们已经观察过4797埃处的激光作用,并证明甚至两次电离的汞也能用于气体光激射器中。