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本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
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Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition (PLD). Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results. 相似文献
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用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献
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用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率 总被引:3,自引:2,他引:1
提出一种诊断金属/薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型.本结构不仅样品制备简单,只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触,无需台面绝缘,而且还有多样的灵活性.整个测试都是定域在一个小圆环内,无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响.发展和讨论了此模型的两种演变结构形式,使之更为简捷实用.所得结果与文献的报道一致. 相似文献