异质型BiOI/NaBiO3光催化剂的合成及其光催化性能

根据表面化学蚀刻原理采用加热冷凝回流的方法制备了一系列组成的异质结构BiOI/NaBiO₃光催化剂.利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS)等技术对其晶相结构、微观形貌和光吸收性能进行了表征.光催化实验表明,BiOI/NaBiO₃在可见光下可以有效降解罗丹明B(RhB),当BiOI与NaBiO₃的物质的量分数为一定值时,异质结构的光催化剂明显优于单一组分的光催化活性.通过加入不同的牺牲剂及荧光实验结果推测了该异质结构材料的光催化机理,并且分析了其光生载流子的传输方向及光催化过程的活性物种.研究表明,BiOI/NaBiO₃的催化活性增强主要归结为两者之间形成了有效的异质结构,其内建电场能够促进光生载流子的分离,同时光生空穴h⁺在光催化降解过程中是主要的活性物种.     

不间断电源在有线电视网中的应用

呼伦贝尔有线台有２４台放大器在机房集中供电,其余２４台放大器在室外分三处集中供电。室外三处取电点因供电部门检修线路和其它原因每年都多次停电,造成干线信号中断,直接影响近８０００用户正常收看电视节目,用户不明原因,对我台网络维护工作反应强烈。１９９７年...     

SLIPS功能表面的制备及应用

仿猪笼草唇叶结构的滑移功能表面(SLIPS)是通过将全氟液体、硅油或离子液体等润滑油注入到提前构建好的含有多孔或分级粗糙结构基底制备得到.由于毛细作用力和范德华力,动态油膜能够稳定锁定在粗糙基底中.所得到SLIPS的化学均相表面和特殊的液-固结合界使其展现出优异的液体排斥性、自修复性和高压稳定性等,并在近十年内成为表界...     

叶片倾角变化对扩压器中非定常流动的影响

本文对离心压气机中扩压器与叶轮匹配时的非定常流动进行了数值研究,主要研究了不同扩压器叶片倾角对扩压器中流场的影响,结果显示,扩压器叶片倾角的改变对扩压器中的流场有很大影响,适当调整扩压器叶片的倾角可以减小扩压器流场的波动,同时,叶片与机匣和轮毂的夹角的变化,对于扩压器中流动的分离的发展有重要影响.因此选择合适的扩压器叶片倾角可以改善离心压气机级的性能.     

基于曲线波变换的图像分解

将图像分解为卡通部分(有界变差部分)和震荡部分(文本部分)是近年来图像处理的一个重要问题.图像的卡通部分是由一个有界变差(BV)函数来刻画,相应的将BV罚项合并到变分泛函中需要解偏微分方程.Daubechies用B¹₁(L₁)项代替BV罚项并且用小波解变分问题.按照她的方法,我们通过设计一种数字曲线波算法和一种依赖于尺度的阈值规则,从而得到了一种有效的基于数字曲线波变换的图像分解算法.我们可以看出该算法对噪声具有很强的鲁棒性并且能使图像边缘保持稳定.     

继续努力,促进光电子技术产业化发展——纪念《激光与红外》创刊30周年

在跨入廿一世纪的时候 ,我们迎来了《激光与红外》创刊 30周年 ,她标志着伴随新世纪开始的钟声 ,《激光与红外》杂志已经步入成熟的可为之期。本刊自 1 971年 1月创刊以来 ,已经连续出版 2 90期。在 30年的历程中 ,本刊的发展变化也显现出了时代变化和技术发展的许多特征。创刊之初 ,尚处于文革之中 ,我国激光与红外技术刚起步不久 ,为科研服务 ,介绍专业发展动向 ,必然成为本刊所负的使命 ,1 981年原四机部又正式确定本刊为激光与红外专业情报网网刊 ,限国内发行至 1 988年。本刊刊登了大量国外发展动态、研究成果、发展水平、技术途径、工…     

模块识别及其在IC版图验证中的应用

在集成电路的版图设计中,有两个步骤很重要：在ＥＤＡ系统上对ＩＣ版图提取元器件和连线表,构成线路图;再将它与独立设计的线路图进行同一性验证。其中,前者较重要,而模块识别又是从版图提取线路图中最常用、最有效的方法。本文先阐述模块识别的理论原理,再介绍具体的实现方法,最后,给出一些实际的例子。     

双极IC的PCM设计原则

集成电路工艺监测版PCM（ProcessingControol,Monitor）在双极IC中应用广泛。它至少应该有四种基本的功能：测量元器件的特性,监控制造工艺能力,发现寄生效应以及工艺中的随机缺陷。在实践的基础上,本文提出了设计PCM的主要原则：适应性,可测性,覆盖范围和甄别性。     

量子限制受主远红外电致发光器件的制备与测量

采用分子束外延技术生长GaAs/AlAs三量子阱,并在中间的GaAs阱中δ-掺杂浅受主杂质Be原子,制作出量子限制受主远红外Teraherz原型电致发光器件.实验上测量得到4.5 K时器件的电致发光谱（EL）和电传输特性（I-V曲线）.在EL发射谱中清楚地观察到222 cm^-1处宽的尖峰,这来源于Be受主奇宇称激发态到其基态的辐射跃迁,而非辐射弛豫过程则使发射谱的信号很弱.另外在I-V曲线中072和186 V的位置出现两个共振隧道贯穿现象,分别对应于中间δ-掺杂量子阱受主能级1s_3/2(Γ₆+Γ₇)到左边非掺GaAs量子阱中HH带,及右边非掺杂GaAs量子阱中HH重空穴带到中间掺杂GaAs量子阱中Be受主杂质原子奇宇称激发态2p_5/2(Γ₆+Γ₇)能级的共振隧穿. 关键词： 量子限制效应 电致发光 共振隧穿效应 δ-掺杂GaAs/AlAs三量子阱