一种应用于OFDM系统的MUSIC改进算法

根据OFDM信号在频域由多个子载波构成的特点,提出了适用于OFDM系统的阵列信号处理模型。并利用子载波的正交性,推导出一种可以应用于OFDM系统的MUSIC改进算法。该算法将MUSIC空间谱表示为各子载波空间谱的叠加,并可在不同信道特性下,选择不同的子载波数量,以在较小的运算量下达到较佳的性能。在此基础上,提出实用方案,并通过仿真验证了该算法的性能。     

基于多项式求根的双厚度透射率模型确定光学常数

为解决光谱反演法确定物质光学常数的一些问题,基于传统的双厚度透射率模型,建立厚度分别为L和2L的光谱透射率方程,通过代数运算获得与衰减系数有关的八次多项式方程,求解并选择其大于0小于1的实数根来计算衰减系数和消光系数;再求解关于界面反射率的一元二次方程,选择其大于0小于1的根来计算折射率。在确定光学常数的过程中,新方法没有反演误差和迭代计算耗时问题。利用已知文献中庚烷的光学常数验证新方法的可靠性,并分析了双厚度不满足2倍关系时对计算结果的影响,结论是第二厚度2L的相对误差不超过1%时,消光系数的计算误差不超过2.03%,不考虑3个强吸收点时,折射率的计算误差不超过1%。     

基于组织协同进化分类算法的遥感图像目标识别

针对遥感图像目标识别问题,提出了一种基于组织协同进化分类算法的识别方法。它没有复杂的运算,训练和识别速度都很快。对实测遥感图像的实验表明,本文方法性能稳定,优于文献[3]和[4]中基于支撑矢量机的方法,识别率均达到了95％以上,且训练时间非常短,不到1秒钟。     

沟槽型发射极SiGe异质结双极化晶体管新结构研究

提出了一种沟槽型发射极SiGe异质结双极化晶体管新结构. 详细分析了新结构中沟槽型发射极的引入对器件性能的影响,并对其机理进行研究. 新型发射极结构通过改变发射极电流路径使电阻分区并联,在不增大结电容的前提下,有效减小发射极电阻,提高器件的频率特性. 结果表明,新结构器件的截止频率和最大振荡频率分别增加至100.2 GHz和134.4 GHz,更重要的是沟槽型发射极结构的引入,在提高器件频率特性的同时,不会降低器件的电流增益,也不会增加结电容,很好实现了频率特性、电流增益和结电容之间的折中. 对沟槽型发射极进行优化设计,改变侧墙高度和侧墙宽度. 沟槽型发射极电阻不受侧墙高度改变的影响,频率性能不变;侧墙宽度增加,频率性能降低. 关键词： SiGe 异质结双极化晶体管 沟槽型发射极 发射极电阻     

基于法拉第磁光理论的光学电子电压互感器

介绍了光学电子式电压互感器的技术现状，并分析了现有光学电子式电压互感器应用中的问题，提出了一种基于法拉第磁光原理的光学电子式电压互感器，互感器主回路采用电感分压原理，采用Ampere环路定律和磁光Daraday效应进行电流测量，通过检测布置在载流导体周围的光纤中传输的两束偏振光间形成的相位差大小，以间接地测量电流值，这个电流值与被测电压值之间是一个固定线性与微分的函数关系，合并单元通过对电流信号进行线性与离散微分获得一次回路在主回路电感上施加的对地电压值，并通过实验室测试的验证，证明这种利用电流测量原理实现电压测量的方式完全可以满足电 力系统对于电压互感器的要求。     

组织协同进化分类算法用于雷达目标一维像识别

针对雷达目标一维像识别问题，提出了一种基于组织协同进化分类算法的识别方法．该方法与现有进化分类方法的不同之处在于它的进化操作直接作用于样本而不是规则，采用了一种自下而上的搜索机制，即先使若干样本的集合得到进化，再从进化结果中提取规则．这样有利于避免在进化过程中产生无意义的规则．该方法不需要进行特征提取；对于高维数据，不需要预先进行降维处理；没有复杂的运算，训练和识别的速度都很快．对3种飞机微波暗室实测数据的识别实验表明，该方法性能稳定，优于基于支撑矢量机与子波核函数的方法，识别率均达到了96％以上．实验中还对算法的抗噪能力进行了测试，获得了良好的效果．     

大数据条件下高校图书馆档案管理机制创新研究

本文重点分析了高校档案管理中存在的问题,探讨出一些改进对策以提供一些理论依据促进档案管理工作的完善。     

α-混合序列下期望损失ES的两步核估计

期望损失(Expected Shortfall,ES)是当今最流行的金融资产风险管理的工具之一,是一个理想的一致性风险度量.本文在α-混合序列具有幂衰减混合系数条件下,用两步核估计估算风险度量ES的值,第一步是在险价值(Value at Risk,VaR)的核估计,第二步是ES的核估计.得到ES的核估计量的Bahadur表示,以及均方误差和渐近正态性的收敛速度.     

Disappearance of Superconductivity and a Concomitant Lifshitz Transition in Heavily Overdoped Bi_2Sr_2CuO_6 Superconductor Revealed by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy

By partially doping Pb to effectively suppress the superstructure in single-layered cuprate Bi_2Sr_2CuO_(6+δ)(Pb-Bi2201) and annealing them in vacuum or in high pressure oxygen atmosphere, a series of high quality Pb-Bi2201 single crystals are obtained with T_c covering from 17 K to non-superconducting in the overdoped region. High resolution angle resolved photoemission spectroscopy measurements are carried out on these samples to investigate the evolution of the Fermi surface topology with doping in the normal state. Clear and complete Fermi surfaces are observed and quantitatively analyzed in all of these overdoped Pb-Bi2201 samples. A Lifshitz transition from holelike Fermi surface to electron-like Fermi surface with increasing doping is observed at a doping level of ~0.35. This transition coincides with the change that the sample undergoes superconducting-to-non-superconducting states.Our results reveal the emergence of an electron-like Fermi surface and the existence of a Lifshitz transition in heavily overdoped Bi2201 samples. This provides important information in understanding the connection between the disappearance of superconductivity and the Lifshitz transition in the overdoped region.     

金属外壳封接中的可伐合金退火

介绍了在可伐管壳封接工艺中可伐合金退火的重要性及目的,并分析得出了可伐合金退火的最佳温度及气氛.