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深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. 相似文献
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本文提出一种基于的舵轮底盘结构及控制方法,确定了舵轮底盘的整体底盘结构及控制方案。使用STM32做主控芯片,完成了电机选型、编码器与制动器的选型以及结构应力分析。完成了整体的硬件系统开发与测试。各控制模块主板间可通过CAN通讯协议进行板间通讯,提高舵轮底盘的实时性和系统可扩展性,运行稳定,精度高。 相似文献
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针对复杂应用环境中近红外单目视觉位姿测量系统偏离预置合作目标对象后,无法完成位姿测量的特殊情况,提出一种以合作目标周边随型粗糙面图像为测量对象的单目视觉测量方法,以及图像受损后的动态自愈方法。通过将实时获取的随型粗糙面图像特征与预存基准图像特征进行匹配计算,完成特殊情况下的应急测量。同时,为减少随型粗糙面图像污染或受损后对位姿测量精度的影响,实时计算污染或受损程度并动态自愈基准图像特征。实验结果表明,以随型粗糙面为对象的位姿测量精度稍低于合作目标对象,但能够满足特殊情况下的应急使用需求,提高了测量系统的鲁棒性;当随型粗糙面图像污染或受损达到70%时,采用自愈处理与未做自愈处理相比,方位角测量误差减少72%以上,验证了基准图像自愈方法的有效性。 相似文献
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本文分析了应用型本科"机器视觉"课程现有教学模式存在的问题,设计典型应用案例,分解案例所需的理论知识和实践能力,开展知识点分解-综合、案例驱动式理实一体化教学.通过案例驱动的方式,激发学生学习兴趣,培养学生问题分析、方案设计以及基本算法的综合应用能力,进而提升学生解决实际工程问题的能力. 相似文献