探测器级单晶金刚石材料的生长

采用高质量高温高压单晶金刚石衬底,通过等离子体环境净化的方法获得高纯、低缺陷密度金刚石材料,有望应用于医疗、核、宇宙射线等辐射探测器.采用微波化学气相沉积方法成功外延生长出了8 mm×8 mm的高质量单晶金刚石材料.晶体内无明显的应力集中区,X射线摇摆曲线(004)峰半高宽0.008°,PL光谱中未见与氮相关杂质,基于电子顺磁共振测试孤氮杂质含量为23ppb.     

铜—黄嘌呤核苷络合物极谱伏安行为的研究

铜－黄嘌呤核苷络合物极谱伏安行为的研究①樊惠芝刘金龙②潘景浩＊（山西大学化学系太原０３０００６）黄嘌呤核苷（ｘａｎｔｈｏｓｉｎｅ）是重要的生物大分子之一，前人曾用分光光度法、薄层色谱法、纸层色谱法等方法对其进行了定性、定量分析；用ＰＧＥ电极对其电化学...     

磷化镍/介孔TiO_2催化剂的制备及其催化加氢脱硫性能

以介孔TiO2(m-TiO2)为载体,采用程序升温还原法制备了Ni2P/m-TiO2催化剂,考察了不同起始Ni/P摩尔比及活性组分负载量对该催化剂结构及其催化加氢脱硫(HDS)性能的影响.结果表明,当Ni/P摩尔比为1.25时,活性组分以Ni2P为主,催化剂的最佳Ni负载量为10%.采用X射线衍射、低温N2吸附-脱附、场发射扫描电镜和程序升温还原等技术表征了m-TiO2及其它不同载体负载的Ni2P催化剂.结果表明,高结晶度m-TiO2载体使Ni和P物种的还原温度大幅度降低,在450～600oC还原制得的Ni2P/m-TiO2催化剂的结构参数基本一致,比表面积均为90m2/g左右,具有很高的热稳定性和对二苯并噻吩的HDS催化性能.在相同的反应条件下,m-TiO2负载的Ni2P催化剂HDS性能最好,各载体负载的Ni2P催化剂活性大小顺序为Ni2P/m-TiO2Ni2P/SiO2Ni2P/P25.     

注氮硅中光致发光现象及其机制的研究

通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．     

杂多酸为催化剂的丙烯与醋酸气-液酯合成的反应模型初探

杂多酸对有机羧酸与低级烯烃的直接加成反应具有催化作用,但一般需在高压下进行。作者研究了较低压力(0.5～2.0 MPa)下的醋酸与丙烯、丁烯的加成酯化反应,结果较令人满意。本文初步探讨了醋酸与丙烯加成反应模型,为预测最佳反应条件提供了证据。     

基于OpenSees平台的SMA被动阻尼器及其在斜拉桥减震中的应用

基于OpenSees平台编制形状记忆合金SMA(Shape Memory Alloys)可恢复材料的本构关系模型,并将其加入OpenSees材料库;提出一种SMA阻尼器,并将其安装在斜拉桥桥塔与主梁之间,通过数值分析研究SMA阻尼器初始刚度、屈服后刚度以及卸屈比变化对其减震性能的影响;进一步对比不同体系斜拉桥的破坏模式,分析SMA阻尼器对料拉桥抗震性能的改善,以及SMA阻尼器对斜拉桥残余变形的自恢复效果.     

中兴通讯技术:面向未来的数字集群技术--GoTa

本文在分析了集群通信的技术发展、市场需求的基础上,介绍了中兴通讯研制和开发的新一代数字集群技术--GoTa,以及相关的系统、终端和业务产品.     

GoTa--面向未来的数字集群技术

集群是移动通信领域的一个重要分支,其特点是采用PTT方式直接建立半双工方式的单呼和组呼。集群主要应用在专业移动通信领域。集群技术的发展也同其他移动技术一样从模拟到数字再到更先进的技术的过程,其应用方式也从专网应用向公网应用方向发展。     

变电站强夯振动对周边建筑物安全及人体舒适度的影响分析

强夯法可有效加固电力设施地基基础,但由于大能量夯击能的扩散,会对周边建筑物与居民产生一定的负面影响。结合强夯施工现场条件,对周边建筑物进行振动监测,测出不同距离下的振动速度,拟合出振动速度-夯检距关系曲线,并计算出建筑物安全距离。采用1/3倍频程分析法,计算建筑物内人体舒适度的容许振动加速度级,进而推算出人体舒适度符合规范容许值的距离节点。结合工程实践,计算得到强夯施工对周边建筑物的安全距离约为35 m,建筑物内符合规范的人体舒适度距离约为90 m。     

MPCVD金刚石薄膜微波功率和沉积压力匹配性研究

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备的高质量金刚石在很多领域均有广泛应用前景。本研究采用9 kW微波功率,分别在13 kPa、14 kPa、15.5 kPa、17 kPa的腔室压力下进行薄膜沉积实验,发现在15.5 kPa、17 kPa的腔室压力下沉积的薄膜在中心区域出现异常生长情况,具体表现为中心存在明显的阶梯式凸起。为揭示薄膜中心出现异常沉积的原因,使用SEM和Raman分析薄膜表面形貌和质量,通过数值模拟进行沉积过程建模计算和分析功率密度和流场分布。结果表明在相同功率下,提高腔室压力,压缩等离子体,因平均自由程较短,扩散能力不足,将导致衬底中心区域比边缘区域更易密集生长,金刚石薄膜中心区域出现明显的阶梯。同时,薄膜整体的生长速率、均匀性、质量均会在超过压力极值后降低。