Influence of Different Substrates on Laser Induced Damage Thresholds at 1064nm of Ta2O5 Films

Ta2O5 films are prepared on Si, BK7, fused silica, antireflection （AR） and high reflector （HR） substrates by electron beam evaporation method, respectively. Both the optical property and laser induced damage thresholds （LIDTs） at 1064 nm of Ta2O5 films on different substrates are investigated before and after annealing at 673 K for 12 h. It is shown that annealing increases the refractive index and decreases the extinction index, and improves the O/Ta ratio of the Ta2O5 films from 2.42 to 2.50. Moreover, the results show that the LIDTs of the Ta2O5 films are mainly correlated with three parameters： substrate property, substoichiometry defect in the films and impurity defect at the interface between the substrate and the films. Details of the laser induced damage models in different cases are discussed.     

Mn/beta与Mn/ZSM-5催化剂对氨选择性催化还原NO的低温催化活性比较:锰前驱体的影响（英文）

氮氧化物(NO_x)作为主要的大气污染物之一,给环境和人类带来一定危害,其主要源于汽车、轮船以及工厂中液态(汽油和柴油)或固态(煤)化石原料的燃烧.目前,选择性催化还原法(SCR)因技术相对成熟且经济有效,被广泛应用于氮氧化物脱除.催化剂是该技术的关键,而典型的商业钒系催化剂(V_2O_5-WO_3/TiO_2和V_2O_5-MoO_3/TiO_2)存在工作窗口温度窄(300–400 oC)、V_2O_5的生物毒性以及较高的SO_2氧化性能等缺点,因此开展高效且环境友好催化剂的研究工作迫在眉睫.近年来,锰基催化剂因其丰富的价态变化以及氧化形态而受到科研工作者的广泛关注.研究者已经对锰前驱体做了大量研究,但是关于不同锰前驱体制备得到的催化剂的活性物种组成以及催化活性往往存在着不同观点.因此进一步开展对锰前驱体研究仍有必要.同时,二氧化钛载体比表面积较小,并不是制备锰基催化剂的理想载体.分子筛载体因其比表面积大、特殊的孔道结构以及丰富的酸位等特点引起了研究者的关注.用于制备锰基催化剂的分子筛载体主要有ZSM-5,Beta,USY和SAPO等,其中ZSM-5系列催化剂是研究热点.另一方面,研究发现Beta分子筛具有良好的水热稳定性,被认为是理想的NH_3-SCR催化剂载体.研究者对比了不同金属负载的Beta分子筛与ZSM-5分子筛的催化活性,结果表明,Fe/beta的催化活性高于Fe/ZSM-5和Fe/ZSM-11;Cu/beta的催化活性与Cu/ZSM-5相当,均表现出较高的活性.而关于Mn/ZSM-5的研究已有大量文献报道,但关于Mn/beta的研究相对较少.另外,关于不同锰前驱体在Beta以及ZSM-5分子筛载体表面的物化性质差异也少有报道.本文以H/beta和H/ZSM-5分子筛作为载体,采用硝酸锰、乙酸锰和氯化锰三种前驱体,通过湿法浸渍制备了Mn/beta和Mn/ZSM-5两类NH_3-SCR催化剂,并在固定床管式反应器中对比评价了两类催化剂的催化活性.凭借氮气等温吸附/脱附(BET)、X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、氢气程序升温还原(H_2-TPR)、氨气程序升温脱附(NH_3-TPD)以及X射线光电子能谱(XPS)等技术对催化剂进行了表征,系统分析了不同前驱体在两种载体表面形成的活性组分以及理化性质对催化性能的影响.催化剂活性评价结果表明,对于Mn/beta和Mn/ZSM-5催化剂,在220–350°C反应温度区间内,乙酸锰和硝酸锰制备的催化剂NO脱除率均在80%以上.其中Mn/beta-Ac在240°C时达到最高的NO脱除率97.5%,并且在220–350°C温度区间内保持着90%以上的活性,具有最宽的活性温度窗口.同时,在两系列锰基催化剂中,乙酸锰制备的催化剂均表现出最佳的催化活性,且对于同一种前驱体制备的催化剂,Mn/beta催化剂的NH_3-SCR活性优于Mn/ZSM-5.BET数据显示,负载锰物种之后,催化剂的比表面积和孔体积均明显减小,但相对于Mn/ZSM-5催化剂,Mn/beta催化剂仍保持着优良的织构性质.XRD、XRF及H_2-TPR结果表明,氯化锰前驱体主要产生少量的结晶Mn_3O_4并且大部分保持以MnCl_2的形式存在,这也是此类催化剂表现出较差的低温催化活性的原因.结合XPS表征分析了催化剂的表面性质.结果表明,硝酸锰前驱体主要产生结晶MnO_2和少量未分解的硝酸锰,乙酸锰前驱体主要产生高度分散的无定形MnO_2和Mn_2O_3混合物以及结晶Mn_3O_4.进一步结合NH_3-TPD分析结果以及活性评价结果可以得出:丰富的无定形MnO_x(MnO_2和Mn_2O_3)物种、较高的表面锰含量和表面活性氧基团以及适当含量的弱酸位有利于提升催化剂的低温NH_3-SCR催化活性.     

新型单刀四掷通道功率合成发射机

给出一种新型的通道功率合成式单刀四掷开关型(SP4T)发射机,利用两级通道功率合成技术,通过小功率开关的控制,使得高功率射频信号可以在四个方向中的任意一个方向带载切换。这种新型发射机具备带载热切换能力,使得发射机具备传统发射机所没有的高功率高速切换和高可靠性特点。     

超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数,可用于大功率芯片的散热热沉.未做处理的金刚石表面非常光滑,不易附着其他金属,由于金刚石性质非常稳定,不容易被强酸和强碱进行表面处理.采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理,而对铜无损伤,提升了金刚石表面结合力.金刚石铜镀层对金锡(AuSn)和锡铅(PbSn)焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求.GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃.金刚石铜载板镀层润湿性良好,焊接后芯片底部的空洞率不大于3％,热沉焊接后空洞率不大于5％,满足高功率芯片散热要求.按照产品环境适应要求,对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验,最终满足可靠性考核要求.     

C60与有机胺电荷转移配合物的吸光特性比较研究

考察了甲苯、ＣＣｌ４和环己烷三种溶剂体系中,Ｃ６０同Ｎ,Ｎ二甲基苯胺（ＤＮＡ）、二乙胺（ＤＥＡ）及三乙胺（ＴＥＡ）电荷转移配合物（ＣＴＣ）的吸光特性。发现不同胺同Ｃ６０作用的程度在不同溶剂介质中均存在如下顺序：环己烷〉ＣＣｌ４〉甲苯。而在同一溶剂介质中,不同胺同Ｃ６０作用的程度各不相同。测定了电转移配合物在不同溶剂介质中的摩尔吸光系数及形成常数,并考察了温度对电荷转移配合物形成常数的影响。     

86W准基模激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器北大核心CSCD

报道了一种86 W准基模的激光二极管侧面抽运Nd∶YAG激光器。所用激光晶体直径为3 mm,长度为65 mm,抽运方式为三维侧泵。通过凸面镜增大模体积,采用双棒串接插入90°旋光片的方法补偿热致双折射,通过计算和实验相结合的办法得到较优化的谐振腔参数,并分析了谐振腔长度和激光模块之间的距离对稳区的影响;得到最高功率86 W,M2的准基模激光输出。数值计算了径向和切向偏振模式的半径随热透镜焦距的变化。数值计算了激光器的输出参数,与实验结果进行了比较。设计了较优化的扩束聚焦系统,分析了经过扩束聚焦系统后激光束腰位置波动随抽运功率的变化规律。     

高功率半导体激光器倍频实现紫外光输出

采用中心波长780 nm、线宽0.13 nm的体布拉格光栅外腔半导体激光作为基频光,基于Ⅰ类相位匹配的三硼酸锂晶体(LBO),获得了中心波长为390 nm的倍频光输出,输出功率30 μW,转换效率0.01%,为高功率紫外光束的实现提供了新的技术路线。     

宽带小型化高隔离度SPDT开关的研制

微波开关是微波控制电路中的基本部件,是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能元件,它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。在此通过合理的电路布局和结构设计,结合微组装工艺,实现了在3～12GHz范围内,插入损耗小于3．2dB,隔离度大于70dB,整体尺寸小于20mm×15mm×10mm的一种宽带小型化SPDT开关。     

All polymer asymmetric Mach-Zehnder interferometer waveguide sensor by imprinting bonding and laser polishing

We present an all polymer asymmetric Mach–Zehnder interferometer(AMZI) waveguide sensor based on imprinting bonding and laser polishing method. The fabrication methods are compatible with high accuracy waveguide sensing structure. The rectangle waveguide structure of this sensor has three sensing surfaces contacting the test media, and its sensing accuracy can be increased 5 times compared with that of one surface sensing structure. An AMZI device structure is designed. The single mode condition, the length of the sensing arm, and the length deviation between the sensing arm and the reference arm are optimized. The length deviation is optimized to be 19.8 μm in a refractive index range between1.470 and 1.545. We fabricate the AMZI waveguide by lithography and wet etching method. The imprinting bonding and laser polishing method is proposed and investigated. The insertion loss is between-80.36 dB and-10.63 dB. The average and linear sensitivity are 768.1 d B/RIU and 548.95 dB/RIU, respectively. And the average and linear detection resolution of the sensor are 1.30×10~(-6) RIU(RIU: refractive index unit) and 1.82×10~(-5) RIU, respectively. This sensor has a fast and cost-effective fabrication process which can be used in the cases of requiring portability and disposability.     

基于可回溯动态污点分析的攻击特征生成方法

现有黑盒或白盒的攻击特征生成方法面临样本采集困难、自动化程度较低、依赖源代码等问题。为此提出了一种基于可回溯动态污点分析的攻击特征生成方法,通过监控进程动态执行流程,提取与攻击输入相关的操作序列和约束条件,重建特征执行环境并添加判定语句,生成图灵机式的攻击特征。构造原型系统并进行测试的结果表明该方法能快速生成简洁高效的攻击特征。