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71.
超声波抽提气相色谱-质谱法测定氧化型染发剂中16种染料   总被引:10,自引:0,他引:10  
刘丽  李英  刘志红  刘胜利 《分析化学》2004,32(10):1333-1336
对氧化型染发剂中16种有毒有害化学物质的测定方法进行了较系统的研究。采用超声波提取方法处理样品,对提取溶剂和时间进行了选择。确定用乙酸乙酯作溶剂,超声提取5min。提取后的清液直接用气相色谱-质谱法(GC/MS)进行分析。方法简单、快速,能有效提取和分离测定染发剂中16中染料。经测定,方法的平均回收率(n=11)为99.1%~103.7%;相对标准偏差(n=11)为0.47%~3.28%;检出限为0.5.2.5mg/L。  相似文献   
72.
羧酸可以采取螯合双齿,桥式双齿,μ3-桥式和单齿等多种形式与稀土离子配位,相应的配合物往往具有层状、无限链状和网层状聚合等特殊结构。羧酸稀土配合物在发光材料、催化和磁性材料等方面均有应用因而受到广泛关注[1-5]。其中芳香羧酸与稀土离子的配合物由于具有优异的发光性能和热稳定性一直是人们研究的热点[6-10]。文献[6-9]对稀土.  相似文献   
73.
恒温箱有着广泛的应用,其关键技术为保持箱内温度的恒定,本文采用AT89C52单片机和DS18820数字温度传感器测量恒温箱的温度,并和设定温度比较。根据比较的结果控制加热电阻和电风扇的动作与否,从而达到控制温度恒定的目的。  相似文献   
74.
刘胜利 《电视技术》1991,(12):40-45
(1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N~+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2给出了高反压晶体管的标准输出特性V_(CE)-I_C。图中包括5个区域:(A)深饱和区,(B)准饱和区,(C)放大区,还有截止  相似文献   
75.
CSRm闭轨畸变及其校正的模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在给定的磁铁安装误差和磁场加工误差的条件下,对兰州重离子加速器冷却储存环主环的闭轨畸变及其校正进行了计算机模拟研究,在典型的误差分布下,校正前的水平方向及垂直方向的最大闭轨畸变分别为3.08mm和2.73mm,校正模拟的结果显示CSRm的闭轨畸变可以控制在足够小的范围内.  相似文献   
76.
卤代烷第一电离能的变化规律研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
卤代烷RX的第一电离能Ip的变化规律可用如下方程表示:Ip(eV)=3.3380+0.7344Ep(X)+2.7424「(1/αx)qx」-1.402PEI其中,Ep(X)、αx分别为卤素原子最外层P电子的电离能和原子极化离,qx是卤代烷RX分子中卤原子X所带的部分电荷,PEI是RX分子中烷基R的极化效应指数。华肜上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。  相似文献   
77.
针对主字母体制的信号结构和解调方式,首先提出直接能量检测法和差分能量检测法来进行符号(字母)同步。为了提高低信噪比下的同步性能,进一步提出了导频同步法。在详细分析它们的工作原理的基础上,推导了导频同步法的性能公式和用误差概率密度函数表示的同步误差概率分布情况,试验验证说明导频同步法的优越性。  相似文献   
78.
曹国标  刘胜利  杨涛 《合成化学》2006,14(6):574-577
5-甲基-8-羟基喹啉(1)经盐酸酸化成1.HC l,其水溶性增强。研究了1.HC l对蚕豆有丝分裂的影响,结果表明,1.HC l更能有效地促进细胞的有丝分裂。培养了单晶1.HC l。在293 K,用单晶X-射线衍射法对1.HC l进行了结构表征。1.HC l晶体属于单斜晶系,空间群P21/c,a=0.73770(9)nm,b=1.57126(19)nm,c=0.81414(10)nm,β=101.329(2),°V=0.9253(2)nm3,Z=4,Dc=1.404 g.cm-3,F(000)=408,μ=0.368 mm-1,R1=0.0393,wR2=0.1091。  相似文献   
79.
单取代烷烃电离能的估算   总被引:3,自引:0,他引:3  
根据量子力学微扰理论,将单官能团取代甲烷(MeZ)和单官能团取代烷烃(RZ)分别当作未微扰体系和同扰体系,则后者的第一电离能Ip~1~(~R~Z~)可由下式估算:Ip~1~(~R~Z~)=Ip~1~(~M~e~Z~)+7.1702△qz-1.3949△PEI。其中Ip~1~(~M~e~Z~)为取代甲烷的第一电离能,△qz为RZ和MeZ分子中Z上面的部分电荷之差,△PEI为基团R和Me的极化效应指数(PEI)之差。对10类单官能团取代烷烃的61个化合物计算结果表明,计算值和实验值之间的平均相对误差仅为0.20%。  相似文献   
80.
卤代烷RX的第一电离能[WTBX]Ip的变化规律可用如下方程表示:Ip(eV)=3.3380+0.7344Ep(X)+2.7424[(1/ax)qx-1.4302PEI其中,Ep(X)、x分别为卤素原子最外层P电子的电离能和原子极化度,qx是卤代烷RX分子中卤原子X所带的部分电荷,PEI是RX分子中烷基R的极化效应指数。研究结果表明用上式估算卤代烷的第一电离能与实验值符合的比较好。  相似文献   
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