详析GW500显示器行激励级电路的典型波形与四个工作过程——彩色多频同步显示器电路设计与分析(V)

本文根据实测数据和四个过程的等效电路,逐段分析和计算每个过程及其典型波形,从而深入的认识GW500显示器的行激励电路的设计原理。     

50种新型显示器专用集成电路简介

５０种新型显示器专用集成电路简介５１８０４２深圳中电公司刘胜利与彩电生产厂家向用户提供产品电路图不同，多数显示器厂家并不向用户提供完整的电路图。显示器专用或通用集成电路是显示器整机电路的核心部分，其内部功能设计是确定的，它不会随ＩＣ外围电路结构或参数...     

模糊提取器及其应用

本文介绍模糊提取器的定义和应用及局限性。模糊提取器的局限性在于:只能对有熵的信息源进行一次提取,以及公开信息受到篡改后会导致生成错误的密钥。因此,本文引入了可重用鲁棒性模糊提取器,并给出了定义、构造,指出了其潜在的应用场景。     

熔融织构的YBCO超导体的交流磁化率频率响应

在涡漩玻璃理论的基础上，我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程，可表示为Tp=Cf^1/（v（z-1））．实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好．利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v（z-1）的数值．     

高温超导HgBa2Ca2Cu3O8+δ薄膜的制备

我们曾用离子注入法,脉冲激光沉积等方法制备出了HgBa2Ca2Cu3O8+δ超导薄膜.但这些方法费用昂贵,难度较大.因此我们探索利用化学雾化技术在衬底上制备HgBa2Ca2Cu3O8+δ超导薄膜.制备过程包括两个步骤:第一步控制衬底温度制备Ba-Ca-Cu-O薄膜,并退火得到Ba-Ca-Cu-O前驱物;第二步,控制衬底温度并将HgCl2喷射在Ba-Ca-Cu-O前驱物薄膜上得到Hg-Ba-Ca-Cu-O薄膜,并将所得薄膜在氧气中氧化.目前我们正在探索利用这一技术来制备Hg-1223高质量的超导薄膜.     

高功率宽调谐范围掺Yb3+光子晶体光纤激光器

采用闪耀光栅作为色散元件,构建了前向、后向输出两种结构的可调谐掺Yb3 光子晶体光纤激光器,并对其输出特性进行了分析研究.在抽运功率5.75W时,前向输出结构实现了1050.6～1110.2 nm的连续调谐输出,光谱线宽约0.1 nm,边模抑制比大于44 dB.在调谐激光波长为1085 nm时,得到最高输出功率677 mW.结构改进的后向输出结构的可调谐输出结构在抽运功率4.43 W,调谐波长1075 nm,实现了2.21 W的功率输出,斜率效率为73%;调谐范围50.9 nm(1042.1～1093 nm),光谱线宽小于0.08 nm,边模抑制比大于50 dB.两种结构的可调谐激光器输出均为线偏振光,偏振度大于89.5%.     

彩色多频同步显示器行激励级电路的倒推设计法（1）

行激励级电路的设计是完全为行输出级服务的,它实质上是行输出级电路设计的一个重要而不可分割的组成部分。因此行激励级电路的设计,自然采用了从显象管偏转线圈和行输出管到激励变压器和行激励级的倒推设计法。     

彩色多频同步显示器行激励级电路的倒推设计法 2

当加到行激励管基极的电压变为负阶跃时,Q_(401)由导通变为截止,切断了流经Q_(401)的回路电流。但变压器要维持磁通平衡,仍使初级电感线圈的电流方向不变,此时如果电路中没有阻尼电路R_(421)、C_(410),则电感线圈中的电流将与变压器的分布电容产生高频振荡,从而激起高压损坏激励管。由于存在阻尼电路,初级电流迅速经R_(421)向C_(410)。充电,使R_(421)上压降迅速增大超过电源电压V_(cc)(16.5V),在截止瞬间使V_(C401)由0.1V突升为+33V。于是,初级线圈的电压极性瞬间变为上负下正,它在次级线圈(1-2)和(2-3)感应出的电压极性也瞬间反转为上正下负,见图7c,因此,使行输出管发射结正偏而导通,产生正     

三阶数字锁相环设计与仿真

三阶锁相环具有多种构成形式和计算方法,根据三阶锁相环的一种构成形式得到其相应的传递函数,通过对传递函数进行分析,得到三阶锁相环稳定工作和快速捕获所需要的相关条件,给出三阶数字锁相环参数计算方法和实现框图。利用matlab仿真工具,构造出实际工程系统模型,对三阶数字锁相环路进行了仿真。验证了该构成形式和计算方法能够保证三阶锁相环快速捕获和稳定工作,可以在实际工程中得到广泛应用。     

边信息对Rényi熵的影响

本文讨论了边信息对R啨ｎｙｉ熵的影响 ,分别给出了均匀分布和一般的概率分布下R啨ｎｙｉ熵减少量的上界。最后 ,利用边信息的二阶R啨ｎｙｉ熵和三阶Ｒ啨ｎｙｉ熵推导出针对一般分布的一个通用上界