P型锗中光子牵引效应

用选支连续波CO_2激光,在20-300K温度范围,测量了8 ×10~(14)-2 ×10~(15)cm~(-3)载流子浓度,<100>、<110>和<111>晶向的P-Ge中光子牵引的极性反转和各向异性效应.结果表明:80—300K,P-Ge中横向光子牵引电压与温度关系不大,而纵向光子牵引电压随温度变化显著,并发生电压极性的反转,反转温度T_o与杂质浓度、晶向有关,相同杂质浓度下,T_(o[100]M)     

半磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的光学和磁性质的研究

用透射光谱法报道和讨论了组份x=0.03和x=0.06的Cd_(1-x)Fe_xTe单晶样品的光吸收,同时用提拉法在温度1.5～30K、磁场强度直到7T范围内测量了磁化强度与组份、温度和磁场强度的变化规律。结果表明,随着x组份的增加,Cd_(1-x)Fe_xTe的能隙移向长波(低能)方向。根据分子场理论,采用类布里渊函数,对磁化强度实验结果进行了拟合和分析。在本文的x值范围内,理论与实验符合得很好,证实了铁离子间存在反铁磁的交换耦合。     

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算,并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响,还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）,还观测到垒中和阱垒间光学声子的组合模     

InSb中自旋反转受激喇曼散射效应

InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在～7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量～0.5焦耳,脉冲宽度～200毫微秒,前沿～50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度～1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超     

Cd_(1-x)Mn_xTe基本吸收边的研究

报道了用透射法在10～300K温度范围内测量不同组分(x=0.007、0.20、0.30和0.45)Cd_(1-x)Mn_xTe的基本吸收边,结果表明,能隙随温度线性变化,能隙的温度系数为负并显著地随Cd_(1-x)Mn_xTe混晶的组分变化。     

通信机房的静电防护——防静电水磨石地坪做法

静电无处不在，是生气、生活中普遍存在的一种自然现象，静电的特点决定了它既有了它既有有利的一面，有时也会造成较大的危害，如在计算机房、光端机房、程控交换机房，由于静电放电的干扰，会造成噪音、失控、失真、乱码等危害，是微电子领域中非常严重的问题。     

InSb中双光子带间磁光吸收的实验研究

用测量样品光电导变化的方法,以二氧化碳激光器作为入射光源,InSb研究了在0～40KG磁场下,对选支9.6μm和10.6μm的吸收。观察到一系列的吸收峰。和相应的理论计算进行了比较,发现大部分的吸收峰都可以用价带和导带的朗道能级间的二级跃迁来解释。但也有一些不能归结为朗道能级间的二级跃迁的吸收峰,它们也许是来自禁带中束缚能级对导带朗道能级的跃迁。     

Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究

本文报道用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／Ｃｄ１－ｙＭｎｙＴｅ超晶格样品在８０Ｋ下的光调制反射谱实验结果。观测到１１Ｈ、２２Ｈ、３３Ｈ和１１Ｌ等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应，对子能级结构进行了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。