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Zinc oxide(ZnO) has a wide band gap, high stability and a high thermal operating range that makes it a suitable material as a semiconductor for fabricating light emitting diodes(LEDs) and laser diodes, photodiodes, power diodes and other semiconductor devices. Recently, a new crystal growth for producing ZnO crystal boules was developed, which was physical vapor transport(PVT), at temperatures exceeding 1500 ?C under a certain system pressure. ZnO crystal wafers in sizes up to 50 mm in diameter were produced. The conditions of ZnO crystal growth, growth rate and the quality of ZnO crystal were analyzed. Results from crystal growth and material characterization are presented and discussed. Our research results suggest that the novel crystal growth technique is a viable production technique for producing ZnO crystals and substrates for semiconductor device applications. 相似文献
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随着我国综合国力的发展,我国为了保障发展的势头,决定发展教育学,而在我国,要发展教育学,需要的不仅是教师的努力,还有管理制度上的努力,同时我国在进行教育系统建立的层面上也做出了极大的努力.学校是学生们呆的最多的地方,同时也是学生获取教育的地方,如果能让学生在学校里面感受到学校的温暖,同时学校能够为学生的教育提供更多的帮助,那么学生进步的空间就十分大.因此在这种情况下,我国的有些学校愿意从自身的发展出发,采用信息化建设的方法进行学校的建设,特别是在智慧校园下的中职信息化建设,我国各大中职院校都在遵循这样一条路线进行发展. 相似文献
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LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev. 相似文献
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通过数值计算方法,编程模拟了140 GHz, TE22,6模式回旋振荡管开放式缓变截面谐振腔的传播特性,计算出谐振腔的谐振频率和品质因数;利用CST软件对该高频谐振腔进行仿真计算,得到腔体内横截面的电场分布云图。通过实验和仿真软件得到的数据进行比较,两者有较好的一致性。测试结果表明,当磁场为5.48 T,电子注电流为28 A,电子注电压为68.6 kV时,TE22,6模式的平均输出功率为0.25 kW,峰值功率为0.56 MW。当磁场为5.68 T,电子注电流为27.6 A,电子注电压为69.12 kV时,回旋振荡管可同样工作于TE22,6,2模式,平均输出功率为0.21 kW,峰值功率为0.47 MW。 相似文献