SDS/苯甲醇/H2O体系的相行为与结构

SDS／苯甲醇／H2O体系能生成胶束、微乳液、层状液晶、六角状液晶等分子有序组合作，它们之间转换关系可以从凝聚能理论得到解释．来甲酸在O／W微乳液中的分配系数K＝168，表明绝大多数苯甲醇被增溶于SDS胶束相内．随重量比本甲醇／SDS增加，层状液晶中的do值几乎不变，溶剂渗透率略有增加，六角状液晶中圆柱缔合体的半径r值几乎不变，溶剂渗透率增加．     

高分子药物研究——Ⅲ.主链含5-氟尿嘧啶聚酯的合成及其药效的初步测定

本文报道四种新的主链含5-氟尿嘧啶聚酯型高分子抗肿瘤药物的合成及其中一种聚酯PFuE-Ⅱ-4药效的初步测定。结果表明,它具有较好的抗肿瘤活性,毒副作用小和缓释长效的特点。     

爆炸冲击的激光多普勒远距离测量技术的研究

利用激光多普勒效应和数字信号处理方法,获取爆炸冲击过程中的高速变形参数,以此作为对爆炸强度分析的依据。根据爆炸变形的特点,设计了外差式纵向激光多普勒测量系统,提出了相应的数字滤波和频谱分析的信号处理方法,实现了爆炸变形的动态测量。系统测量的位移量程为±30mm,速度量程为-10~+20m/s,测量距离为4.5m。与振动台的试验对比,位移测量相对误差小于1%。给出了圆筒钢制爆炸容器在300gTNT当量炸药爆炸过程中弹性变形的测量结果。     

一种LDO稳压器内部动态频率补偿电路的设计

针对LDO稳压器需要进行频率补偿的特点,本文在分析了LDO稳压器利用输出电容等效串联电阻(ESR)进行频率补偿原理的基础上,提出了一种新颖的LDO稳压器动态频率补偿方法。     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

智能可分区校园广播系统设计及相关参数计算

通常要求校园广播系统具有分区广播功能,因此在设计这种校园广播系统时应进行相关参数的计算,并依据计算结果选择相关设备,介绍一种利用智能矩阵分区器实现智能可分区广播的设计方案,给出系统连接示意图及相关参数的计算公式,说明系统施工安装要求,给出一应用实例的主要设备选型.     

BUCK变换器的一种多环控制研究

文中研究了一种具有快速动态响应的多环控制方法,介绍了多环控制方法的工作原理,并建立了器件模型,利用Matlab的Power System Blockset对该模型的特性进行了时域仿真,并将仿真结果与传统的电压型。电流型控制方法进行比较,对分析结果进行了验证。     

浅海底瞬变电磁探测系统关断沿影响因素研究

运用电路理论对发射线圈进行了建模分析;讨论了采用多匝小线圈进行浅海底瞬变电磁探测时,发射电流关断沿时间与电流幅值和发射线圈匝数之间的关系;给出了在保证发射磁矩的前提下,合理确定发射电流幅值与发射线圈匝数以缩短发射电流关断沿的原则,并通过实验进行了验证.     

电大尺寸导体附近线天线的辐射方向图研究

采用一致性几何绕射理论分析了电大尺寸导体对其附近的对称振子天线辐射方向图的影响,计算了在三种不同环境下的天线方向图,结果与软件(FEKO)仿真结果吻合良好.为分析工程中复杂的电大尺寸目标,提供了重要的参考依据.     

1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究

设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×10⁶V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。