系统级封装技术方兴未艾

本文论述系统级封装SiP与系统级芯片SoC的比较优势，重点介绍叠片式封装和晶圆级封装技术如何有效提高封装密度并解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和总线性能等方面的难题。     

SiO_xN_y薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型

本文研究了SiO_xN_y薄膜的微观结构和电流传输行为,并提出一个新的,用于解释SiO_xN_y薄膜的电流传输,特别对于外加高场直到介质膜发生本征击穿前的电流传输行为的模型。理论与实验符合较好。采用新模型满意地解释了膜的l-V特性中出现的电流增加和陷阱台阶现象,并对外加电场和电子陷阱对电流传输行为的影响进行了讨论。     

利用电导技术研究快速热氮化二氧化硅与硅界面的性质

本文介绍了尼科里安-科兹伯格(Nicollian-Goetzberger)电导技术及其基本原理,建立了采用双相锁相放大器的测试系统,利用它测量了常规热氮化和快速热氮化SiO_2薄膜与Si衬底的界面性质,包括界面态密度,空穴俘获截面,表面势起伏,以及界面态时间常数等,并对它们进行了分析和讨论。研究结果表明:氮化会增加界面态的密度和平均时间常数,会增强表面势起伏,但只是轻微地改变空穴俘获截面.特别地,氮化还导致界面态密度在禁带中央以下0.2-0.25eV处出现峰值以及削弱了空穴俘获截面对能带能量的依赖关系.利用一个阵列模型,可以较好地模拟表面势起伏的标准偏差并可由此推断表面势起伏是由长波形式的界面态电荷非均匀性所引起.这个结果和氮化会导致高密度氧化层电荷的事实相一致.而以上所有界面态的性质,都与氮化的时间和温度有关.     

薄热氮氧化硅介质膜中的电流传导机构

本文回顾了半导体介质膜中几种主要导电机构。提出了陷阶辅助二步隧穿模型来描述深度氮氧化膜SiO_xN_y的电导特性,而浅度氮氧化膜的电导则可用增强Fowler-Nordheim隧穿来描述。根据模型计算的理论曲线和实验结果符合得很好,决定二步隧穿过程的主要参数φ_t和N_t在2.46—2.56eV和1.2×10¹⁹—7.2×10²⁰cm^-3范围内。这些结果和前人实验结果相一致,并从俄歇分析结果得到满意解释。上述二步隧穿模型同样适用于MNOS结构或含有陷阶的其他介质MIS结构的电导过程。 关键词：     

快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究

本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。     

薄SixOyNz膜击穿机理的研究

本文在研究极薄Si_xO_yN_x膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO₂膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO₂膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO₂膜的本征型 关键词：     

微机系统在电子产品质量监测中的应用

介绍了一种把数据采集系统与微机控制处理结合起采的微机监测系统,该系统通过对电信号的测量,可监测电子产品的质置。     

Al/BaTiO_3/Si结构的湿敏特性与机理研究

利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和吸湿灵敏度的关系.结果表明:当相对湿度从12%变化到92%时,在1MHz的测试频率下,电容值变化了48%.在3V偏压下,电流变化了430%,且高湿时的灵敏度比低温时高.随着膜中氧组分的增大,固定电荷密度减小,吸湿响应时间增长,电流变化率下降.文中利用等效方法确定膜中的孔隙体积比和BaTiO,成分的介电常数,建立了描述C-R 关键词：     

三氯乙烯氧化硅膜推迟破坏性击穿的机理研究

本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO₂膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO₂膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H₂O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T 关键词：     

半导体器件的遗传算法优化设计

以晶体管设计为例,将遗传算法应用在半导体器件设计领域从而替代传统的设计方法,即给出输入电学设计要求,便能在计算机模拟运算后输出满足要求的多组参数,从而为实现半导体器件的计算机辅助设计迈出一大步。