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在无限时滞的随机泛函微分方程整体解存在的前提下,建立了一般衰减稳定性的Razumikhin型定理.在此基础上,基于局部Lipschitz条件和多项式增长条件,得到了无限时滞随机泛函微分方程整体解的存在唯一性,以及具有一般衰减速率的p阶矩和几乎必然渐近稳定性定理. 相似文献
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在学习乘法公式这一章节时,如果死记硬背公式,不但容易记错,而且很难灵活运用,要是能弄清公式的来龙去脉,那么几个公式很容易记住,而且有关的难题也可以迎刃而解.正是基于以上的思考,我在课后试着找到了有关公式的统一推导方法,并对它们进行了推广. 相似文献
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人教版八年级《数学》上P27页有一道拓广探索题:如图1,△ABC中,AD是它的角平分线,求证:S△ABD∶S△ACD=AB∶AC.分析这是角平分线性质的运用.按照书上的提示:作DE⊥AB于E,DF⊥AC于F,则由角平分线性质有DE=DF. 相似文献
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水热法合成了8个稀土配合物{Ln(TDA)1.5(H20)2)n(Ln=Pr(1a),Nd(2a))和{Ln(TDA)(Ac)(H20)}n(Ln=Pr(1),Nd(2),Eu(3),Gd(4),Tb(5),Dy(6);TDA=2,5.噻吩二羧酸阴离子),结构分析显示配合物1a和2a是属于C2/c的三维框架结构.化合物1-6是在过量的乙酸铵的反应体系中得到的不同于配合物1a和2a的三维框架结构.配合物4-6的磁性研究表明:配合物4中相邻的Gd^3+之间存在弱的反铁磁相互作用而配合物6显示出三维框架结构中较少的慢磁弛豫行为. 相似文献
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本文采用SiO2/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体(ICP)刻蚀条件研究,得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行了详细研究,通过增加SiO2膜层厚度以及减小Ar气流量,可有效减少台面侧向钻蚀;通过减小下电极射频功率(RF),可有效消除台面底部钻蚀。采用适当厚度的SiO2/SiN掩膜以及优化后的ICP刻蚀参数可获得光亮平整的刻蚀表面,表面粗糙度达到0.193 nm;刻蚀台面角度大于80°,刻蚀选择比大于8.5:1;采用优化后的ICP刻蚀条件制备的长波640×512焦平面器件暗电流密度降低约1个数量级,达到3×10-4 A/cm2,响应非均匀性、信噪比以及有效像元率等相关指标均有所提高,并获得了清晰的焦平面成像图。 相似文献
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在防治计算机病毒工作中,我们提倡以防为主。由于计算机病毒所拥有的特性决定了对反病毒软件来说,计算机病毒永远是超前的。一旦计算机感染了某些种类的病毒,查杀起来非常的困难。因此防患于未然,是防范计算机病毒最好的方式。当确认了计算机确实易感染病毒,我们应首先使用杀毒软件对其进行查杀。但是某些病毒使用杀毒软件无法彻底清除,此时就需要根据病毒的种类,采取更具针对性的措施。关于计算机病毒还有很多的知识需要我们去探索和研究,相信通过我们的努力,一定能够充分利用计算机病毒的优势造福人类,并将其带给计算机用户的损失降到最低。 相似文献
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