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锥拟凸向量函数的概念是通常实值函数拟凸性的拓广。由于拓广途径不一,在许多有关文献中各自提出了自己的锥拟凸向量函数概念。本文综述了文献中出现的七种锥拟凸向量函数的概念并着重讨论它们之间的关系,结果发现这七种锥拟凸向量函数的定义有些是等价的,有些是存在某种包含关系。针对那些不等价的定义,本文给出了具体的例子进行说明。 相似文献
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用三个料瓶的 Ga-AsCl_3-H_2外延系统,在掺铬 GaAs 半绝缘衬底上成功地连续生长了缓冲层(n~-)、有源层(n)的 GaAs 外延结构。缓冲层(n~-)的室温迁移率在6000厘米~2/伏·秒左右,有源层的室温迁移率在4500厘米~2/伏·秒左右。用这种结构的外延片制备的 GaAs 低噪声场效应晶体管,在6千兆赫下,噪声系数(N_F)可达2.7分贝,增益可达9分贝;在12千兆赫下,N_F 为3.68分贝,增益为4.8分贝;制备的功率器件,在6千兆赫下输出功率可达550毫瓦,增益4分贝左右。使用这种系统还试验生长了欧姆接触层(n~+)-有源层(n)-缓冲层(n~-)结构的外延材料,在器件制备上已初步看到 n~+-n-n~-结构比 n-n~-结构有更好的效果。 相似文献
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函数是一种特殊的映射,当A,B是非空的数的集合时,映射f:A→B就叫做从A到B的函数,记作y=f(x),其中x∈A,y∈B.解析式y=f(x)表示,对于集合A中的任意一个x,在对应法则f的作用下,即可得到y,因此,f是使“对应”得以实现的方式和途径,是联系x与y的纽带,从而是函数的核心.f可用一个或多个解析式来表示,也可以用数表或图象等其他方式表示.原象集合A叫函数f(x)的定义域,象集合C叫函数f(x)的值域,很明显C B.“函数”概念是初中和高中阶段的重点和难点,有不少的同学直到高三也不能深刻理解这一概念.原因在于这一概念的抽象性,如果把“函数”与我们… 相似文献
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讨论了通过汽相外延氯化物工艺制备适用于X波段FET的GaAs外延层。其结构包括高阻缓冲层和n~ 接触层。严格控制三氯化砷的克分子分数以及使用固体源已制得特性最好的缓冲层。8千兆赫下,微波器件的典型噪声系数≤2.5分贝,最好的是1.4分贝。同时,最大增益为11.1分贝。叙述了在选择好的衬底、源和外延材料方面目前所考虑的各种常规表征方法。并包括对一个简单的两端器件所作的光电导测量,它给出了因陷阱态产生光敏性的那些缓冲层的品质因素。比较了不同材料结构中观察到的各种类型的光敏性。 相似文献
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研究了二层多目标最优化模型(BLMOP)解集的连通性问题,其中(BLMOP)的上层集值目标函数由下层问题的有效点确定.把(BLMOP)看作成单层的集值函数优化问题,借助集值函数优化问题各种有效解集的连通性的结论,得到了(BLMOP)相应的有效解集连通性的结论. 相似文献
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心理学是以研究人的心理活动规律为对象的一门科学。珠算式心算心理学原理,则专门研究以数学原理为基础,以脑算盘为计算工具,用脑算珠图象计数和运算,并通过用指空拨算盘上的算珠,促进脑算珠图象运动进行计算而产生的心理活动规律。 相似文献
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<正> 在大气压力和500℃低温下,生长了优质MOCVD外延层。在600℃以下,生长速率受AsH_3热分解减少的限制。测量了Se高掺杂GaAs层的霍尔迁移率,其数值随着生长温度的降低而减少。一些新颖的半导体器件结构如热电子器件要求很陡峭的界面及很薄的外延层。 相似文献