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91.
磁脉冲压缩器用脉冲变压器的设计   总被引:4,自引:3,他引:1  
本文简要说明了磁脉冲压缩器的工作原理。着重介绍了其输入、输出脉冲变压器的等效回路设计法。并将该方法用于实例进行验证。结果说明,这种设计方法是非常成功的,而且可以推广到一般情况下的脉冲变压器的设计。  相似文献   
92.
本方简要介绍了在CNC系统上实现示教-再现功能的设计思想和原理,并给出了实例框图。  相似文献   
93.
硅PiN结构在工业产品中有多种应用,是多种二极管的基本结构。本文分析了该结构的雪崩击穿特性,推导得到一个适合于PiN结构的突变结雪崩击穿电压公式。该解析式能估算器件杂质分布为单边突变结、双边突变结和PiN结构的雪崩击穿电压,修正了以往解析式中i层宽度为零时,击穿电压为零的错误结论。该解析式对于PiN管的器件物理分析、工艺结构的优化和产品流水线的监控是有用的。  相似文献   
94.
介绍了在Windows9X环境下拦截Windows9X API函数的几种方法。  相似文献   
95.
半导体激光侧面泵浦主动锁模Nd:YAG激光器   总被引:3,自引:1,他引:2  
报道了用调制频率为48MHz的调幅锁模调制器实现准连续60W半导体激光侧面泵浦Nd:YAG激光器的锁模,初模脉冲宽度为120ps。实验中观察到自锁模现象,并对此作了分析。  相似文献   
96.
97.
98.
简略介绍了“尾流”效应(wakeeffect)的等离子体模型,并依之模拟计算了1.915MeVH、2.060MeVH在100A碳膜中分解后0°方向的能谱形式。给出了相同条件下的实验结果,将两者做了比较。  相似文献   
99.
从分子离子H3 及其氘化同位素分子离子D3 和HD2 与超薄固体膜相互作用发生库仑爆炸为基础,分析讨论了H3 ,D3 和HD2 三种分子离子的形成机理,根据产物能谱分布,利用库仑爆炸技术确定了同位素分子离子HD2 的结构形式,给出具体核间距数值.并确定在实验中不存在线状结构的HD2 .提出一种三原子分子离子和固体相互作用中尾流效应的处理方式,通过和实验结果做比较发现这是一种非常理想的处理三体尾流效应的模式,并用之进一步确认了HD2 的结构形状.文章对H3 ,D3 和HD2 三种分子离子的实验结果做了对比和讨论.  相似文献   
100.
森杰 《电子技术》1998,25(3):23-24
ATM进入企业数据网络(下)¥3Com公司上海办事处@森杰ATM进入企业数据网络(下)3Com公司上海办事处(上海200003)森杰图4ATM在园区和WAN中的用法3ATM的逐步升级途径3Com公司的HPSN结构可以作为建设、扩大和管理网络设施的技术基础。...  相似文献   
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