GaAs MMIC中平面Schottky Diode的C－V特性解析模型

本文提出一种采用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ工艺制造的平面微波变容管Ｃ－Ｖ特性解析模型，该模型着眼于小尺寸、平面化工艺及离子注入工艺，充分考虑了由其产生的栅下沟道串联电阻及侧电容对平面ＳｃｈａｔｔｋｙｄｉｏｄｅＣ－Ｖ特性的影响，这些影响对平面变容管影响较显著而在已有的模型中是被忽略或未作详细讨论的．文中还给出了该模型的算例及与实验结果，已有的几种典型模型算例的比较．结果表明，本文模型中参数易确定，与实验亦附合得很好．     

基于分形特征和双层光子带隙结构的宽阻带低通滤波器

提出一种新颖的基于分形特征和双层光子带隙（PBG）结构的宽阻带低通滤波器. 该滤波器在接地板上刻蚀一阶Sierpinski carpet PBG结构，在顶层微带线与接地板之间增加一层具 有三阶Sierpinski gasket PBG结构的金属层，该金属层经过打通孔与接地板连通. 这种双 层PBG结构的低通滤波器，具有良好的宽阻带特性，且电路尺寸小、结构紧凑. 对比了单层 普通方孔PBG结构的低通滤波器、单层一阶Sierpinski carpet PBG结构的低通滤波器和双层 分形PBG结构低通滤波器的传 关键词： 低通滤波器 双层PBG结构 分形 宽阻带特性     

异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关优化设计及其成像应用

以主动式毫米波全息成像的应用为背景,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制的异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管毫米波开关为安检成像领域的关键核心器件,为此提出一种基于高、低阻抗变换线的补偿结构以优化高频处的匹配程度.设计合适的毫米波倍频链路、低插入损耗的带通滤波器以及低插入损耗和高隔离度的开关通道阵列,实现一款满足系统要求的输出功率和一致性且谐波抑制良好的发射前端.结果 表明,在28～34 GHz频段内,各通道的输出功率大于10 dBm,谐波抑制度大于22 dBc,通道间的隔离度大于23 dB,通道间的差异小于2 dB,满足主动成像发射端的要求.集成相应天线阵列和接收前端后进行成像实验,可以得到分辨率为0.5 cm的毫米波成像.     

基于超材料角反射面的高增益高效率双圆极化Fabry-Perot天线设计

基于射线跟踪模型,提出了一种超材料角反射面结构,实现了Fabry-Perot天线增益和口径效率的提升.首先对基于超材料角反射面的Fabry-Perot天线进行了理论推导和分析.然后,设计并分析了双圆极化馈源、基于超材料角反射面的Fabry-Perot天线及其性能.最后,对所提出的Fabry-Perot天线模型进行了制造和测试.结果表明,该天线的左圆极化增益和右圆极化增益分别为21.4 d Bi和21.3 d Bi.相比馈源天线,增益分别提高了16.4 d B和16.3 d B.与传统Fabry-Perot天线相比,所提出超材料角反射面同时充当了反射面和相位校正面,实现了对Fabry-Perot天线边缘电磁波的有效调控.所设计Fabry-Perot天线工作在2.8 GHz频段,具有高增益、高口径效率和低旁瓣的优点,满足了太阳射电望远镜F107指数观测的需求.     

高频地波雷达海洋表面矢量流合成

针对高频地波雷达双站系统利用两幅径向海流图合成矢量流前必须进行径向流插值的问题,提出了一种在极坐标系下的自然三次样条插值得到公共网格上径向流并合成矢量流的方法.该方法成功应用于高频地波雷达OSMAR2000,并在国内首次进行东海表面流实时监测,将合成矢量流结果与传统海流计作对比,二者十分吻合,流向的标准差<20°,流速的标准差＜10cm/s.     

毫米波矢量调制器及其在有源相控阵天线中的应用

矢量调制器芯片作为一种可以同时对载波进行相位和幅度调制的新型电路,能够替代传统的数字移相器和数字衰减器用在有源相控阵系统中.先设计了一款工作在Ka波段毫米波单片矢量调制器,在片测试结果显示可以实现- 12～-40 dB的幅度调制与360°的相位调制.然后设计了一个Ka波段1×8阵有源相控阵天线,改变矢量调制器的控制电压...     

拓扑材料中对数量子振荡的发现

<正>1930年舒伯尼科夫(Lev Shubnikov)和德哈斯(W. J. de Haas)在铋单晶材料中观测到电阻随磁场的倒数呈周期性变化的规律,被称为Shubnikov—de Haas(SdH)振荡[1],这是人类首次发现的量子振荡。由此开始,量子振荡被物理学界所关注,并逐渐成为揭示新奇物理现象的一个     

一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA

高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13m RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76 mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8 GHz,最大增益为21.8 dB、最小增益8.2 dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7 dB,典型的IIP3为-7 dBm。     

S波段单片有源压控滤波器

Ｓ波段单片有源压控滤波器孙晓玮，罗晋生，周宗闽，曹金荣，林金庭（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ４５４ＴＮ７１３Ｓ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＶｏｌｔａｇｅ－Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ...     

混合集成微波鉴频器的研究

本文介绍了一种使用介质谐振器的微波鉴频器,给出了设计方法及实验结果。