一种新型含磷-溴-氮阻燃剂的合成

以三氯氧磷、季戊四醇、2 ,3-二溴丙醇及三聚氰胺等为原料合成了一种新型磷 -溴 -氮阻燃剂 0 - (2 ,4,6 -三氧杂 - 1-氧基磷杂双环 [2 .2 .2 ]辛烷 - 4-亚甲基 ) - 0 - 2 ,3- (二溴丙基 )磷酸三聚氰胺盐 (Ⅲ ) .改进了中间体 4-羟甲基 - 2 ,6 ,7-三氧杂 - 1-氧基磷杂双环 [2 .2 .2 ]辛烷 (Ⅰ )的合成条件 ,元素分析、红外光谱等确定了结构     

基于可测性分析的模拟电路多频测试矢量生成

提出一种基于可测性分析的模拟电路多频测试矢量自动生成方法。根据待测电路可利用的测试点,进行测试点优选和模糊元器件确定,实现可测性分析;应用灵敏度分析,实现多频测试矢量自动生成。实验结果表明,该方法对模拟电路测试矢量生成非常有效,具有很强的实用性。     

ATM上应用MPLS技术网络中的环路控制机制

MPLS网络不可避免地存在着形成标记交换路径(LSP)环路的可能,而ATM技术特点又使MPLS网络环路控制机制的应用受到一些限制.本文重点探讨MPLS应用于ATM环境下的环路控制机制,包括ATM TTL域处理生存机制、环路检测机制,以及为建立标记归并LSP而设计的两种环路防止算法等.通过理论分析和部分仿真对多种控制方法进行全方位比较,得出一些有意义的结论.     

Nassrallah-Rahman积分的一个新证明

应用关于ｑ－微分算子的Ｌｅｉｂｎｉｚ公式证明了关于ｑ－微分算子的两个恒等式．利用这些恒等式及ｑ－级数的一些求和公式给出了Ｎａｓｒａｌａｈ－Ｒａｈｍａｎ积分的一个新证明，进而给出了关于ｑ－级数８Φ７的积分表示的一个简易推导     

金属-铁电体-GaN结构研究

以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义.     

金属-铁电体-GaN结构研究

以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义.     

脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带，初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的     

Bipolar resistance switching in the fully transparent BaSnO_3-based memory device

The fully transparent indium-tin-oxide/BaSnO3/F-doped SnO2 devices that show a stable bipolar resistance switching effect are successfully fabricated. In addition to the transmittance being above 87% for visible light, an initial forming process is unnecessary for the production of transparent memory. Fittings to the current-voltage curves reveal the interfacial conduction in the devices. The first-principles calculation indicates that the oxygen vacancies in cubic BaSnO3 will form the defective energy level below the bottom of conduction band. The field-induced resistance change can be explained based on the change of the interracial Schottky barrier, due to the migration of oxygen vacancies in the vicinity of the interface. This work presents a candidate material BaSnO3 for the application of resistive random access memory to transparent electronics.     

卫星通信网的资源优化模型及其遗传算法

随着航天技术的发展,卫星网络已成为网络研究领域的热点。一直以来,卫星通信网的资源优化都是卫星系统中的一个重要环节。本文在研究卫星通信网络特点的基础上,通过建立数学模型,并利用遗传算法求解模型,实现了在满足地面用户提交的任务的约束情况下,将予任务合理的进行安排调度,以达到完成所有用户提交任务总时间最短的目的,同时兼顾资源的合理利用问题。     

高k栅介质原子分辨率的电镜表征：研究进展和展望

随着特征尺寸不断缩小,CMOS器件已步入纳米尺度范围,因此纳米尺度器件的结构表征变得尤为关键。完备的半导体器件结构分析,要求确定原子位置、局部化学元素组成及局域电子结构。高分辨（分析型）透射电镜及其显微分析技术,能够提供衍衬像（振幅衬度像）、高分辨像（相位衬度像）、选区电子衍射和会聚束电子衍射、X射线能谱（EDS）及电子能量损失谱（EELS）等分析手段,已作为半导体器件结构表征的基本工具。配有高角度环形暗场探测器的扫描透射电镜（STEM）,因其像的强度近似正比于原子序数（Z）的平方,它可在原子尺度直接确定材料的结构和化学组成。利用Z-衬度像配合高分辨电子能量损失谱技术,可确定新型CMOS堆垛层中的界面结构、界面及界面附近的元素分布及化学环境。近年来新开发的球差校正器使得HRTEM／STEM的分辨率得到革命性提高（空间分辨率优于0．08nm,能量分辨率优于0．2eV）,在亚埃尺度上实现单个纳米器件的结构表征。装备球差校正器的新一代HRTEM和STEM,使得高k栅介质材料的研究进入一个新时代。本文首先介绍了原子分辨率电镜（HRTEM和STEM）的基本原理和关键特征,对相关高分辨谱分析技术（如EDS和EELS）加以比较;然后综述了HRTEM／STEM在高k栅介质材料（如铪基氧化物、稀土氧化物和外延钙钛矿结构氧化物）结构表征方面的最新进展;最后对亚埃分辨率高k栅介质材料的结构表征进行了展望。