首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9472篇
  免费   1754篇
  国内免费   1665篇
化学   2726篇
晶体学   144篇
力学   542篇
综合类   248篇
数学   1080篇
物理学   2702篇
无线电   5449篇
  2024年   99篇
  2023年   330篇
  2022年   405篇
  2021年   344篇
  2020年   298篇
  2019年   325篇
  2018年   290篇
  2017年   275篇
  2016年   318篇
  2015年   333篇
  2014年   751篇
  2013年   539篇
  2012年   550篇
  2011年   469篇
  2010年   445篇
  2009年   500篇
  2008年   527篇
  2007年   491篇
  2006年   556篇
  2005年   463篇
  2004年   458篇
  2003年   406篇
  2002年   345篇
  2001年   324篇
  2000年   391篇
  1999年   273篇
  1998年   193篇
  1997年   186篇
  1996年   194篇
  1995年   153篇
  1994年   174篇
  1993年   135篇
  1992年   144篇
  1991年   157篇
  1990年   144篇
  1989年   152篇
  1988年   112篇
  1987年   87篇
  1986年   79篇
  1985年   79篇
  1984年   87篇
  1983年   74篇
  1982年   51篇
  1981年   45篇
  1980年   32篇
  1979年   13篇
  1965年   8篇
  1964年   10篇
  1963年   7篇
  1958年   8篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
371.
工业4.0的概念已经逐步渗透到了各行各业,而在工业4.0的背后,信息化的建设与稳定运行将是其坚实的后盾.本文旨在基于工业4.0的时代下,阐述信息化运行维护如何适应新的时代需要,形成信息化运维4.0的理念与基本框架. 1 关于工业4.0 工业1.0是蒸汽机时代,20世纪进入了工业2.0,也就是流水线生产与电气时代,这个时代改变了我们近百年来的生活,上世纪70年代,随着信息化时代技术的发展,人类进入了生产自动化的工业时代,此时数字化与模拟化技术广为普及,这便是工业3.0时代.  相似文献   
372.
利用溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火(SVA)工艺制备了PVP栅绝缘膜,并研究了SVA过程中溶剂蒸汽压对PVP膜特性的影响。根据椭偏光谱的柯西模型和有效介质近似(EMA)模型,对椭偏谱参数拟合分析得到了PVP膜光学参数与其微结构的关系。拟合结果表明,随着蒸汽压的增大,PVP膜总厚度(均小于30nm)和粗糙层厚度均降低,膜致密性得到改善。由这种膜构成的MIS结构的J-V特性测试结果显示,当蒸汽压由0.21增加至0.82时,在电场为5 MV/cm的条件下,其漏电流密度由1.04×10-6 A/cm2降至1.42×10-7 A/cm2。而且在蒸汽压为0.82时可得到膜厚仅约为20nm、单位面积电容达到145nF/cm2的超薄PVP膜。  相似文献   
373.
cdma2000网络中,EV-DO和1x均可承载数据业务,虽然目前EV-DO与1x基站网络覆盖范围基本相当,但1x网络目前存在不必要的承载数据业务现象,甚至影响语音业务承载,通过分析研究EV-DO与1x切换及承载机制,查找原因及相应解决措施,提出了EV-DO与1x数据业务优化思路与方法.  相似文献   
374.
介绍了太阳能蒸汽压缩式热泵采暖系统的发展背景,常见的两类系统及其各自的工作原理和应用场合。从实验研究、理论分析和数值模拟三方面分类列举了国内外相关的部分研究成果,其中以串联式太阳能热泵系统的研究居多,并针对当前太阳能热泵供暖系统有待解决的主要问题进行分析和探讨,最后对今后太阳能热泵的发展前景提出展望。  相似文献   
375.
采用水热法和低温浸渍法制备了电子助剂还原石墨烯(rGO)和界面活性位点Ni(Ⅱ)共修饰的高效TiO2光催化剂(简称Ni(Ⅱ)/TiO2-rGO)。制氢性能测试结果表明:相比于TiO2和单独还原石墨烯复合的TiO2,经还原石墨烯与Ni(Ⅱ)协同修饰后的TiO2表现出更高的光催化制氢性能。其中,Ni(Ⅱ)/TiO2-rGO(0.1 mol·L-1)具有最高制氢性能,制氢速率达到77.0 μmol·h-1,分别是TiO2(16.4 μmol·h-1)和TiO2-rGO(28.0 μmol·h-1)的4.70倍和2.75倍。还原石墨烯助剂与Ni(Ⅱ)活性位点协同增强制氢性能的原理是:还原石墨烯作为电子助剂可以快速捕获和传输电子,Ni(Ⅱ)作为界面活性位点可以从溶液中捕获H+,提高界面反应速率,2种助剂协同作用加快了TiO2上的光生电子-空穴对的有效分离。  相似文献   
376.
合成并表征了3个含Cu2X2结构单元的双核Cu(Ⅰ)配合物[Cu2(μ-X)2(deebq)2] (其中deebq=2, 2′-联喹啉-4, 4′-二甲酸乙酯;X=Cl (1), Br (2) or I (3))。化合物1~3同构, 其晶体属三斜晶系, 空间群为P1, 具有相似的晶胞参数和晶体堆积结构。Cu2X2双核单元具有反演中心对称性, 每个Cu+与deebq配体中2个N原子、2个μ2桥联的卤素X-阴离子配位, 形成扭曲的四面体配位环境。通过deebq配体中苯环间π…π堆积, 相邻双核分子形成超分子一维链, 超分子链间存在弱范德瓦尔斯引力。在二氯甲烷溶液中, 3个化合物都存在1个宽而不对称的电荷迁移吸收带(500~630 nm区域), 其强度和位置不受桥联X-配体影响。因此, 电荷迁移带归属为由Cu+中心到deebq配体的电荷转移。在二氯甲烷溶液中, 3个化合物发射强荧光, 发射带中心波长位于400 nm处, 该发射带归属为deebq配体内的π-π*电子跃迁。在固体以及二氯甲烷溶液中, 都没观察到从金属中心到配体的MLCT发射带。  相似文献   
377.
通过引入2个不同的氮杂环配体,得到了2个Cd(Ⅱ)配位聚合物[Cd(m-phda)(btbb)0.5]n1)和[Cd(m-phda)(hbmb)0.5]n2)(m-H2phda=间苯二乙酸),并对它们的结构进行了表征。结构分析表明配合物1是一个6-连接的pcu拓扑网络,拓扑符号为412·63。配合物2是一个5-连接的sqp拓扑网络,拓扑符号为(44·66)。另外,配合物12表现出较好的热稳定性和不同的荧光行为。  相似文献   
378.
采用水热方法,选用5-(2-羧基苯基)吡啶-3-甲酸配体(H2cpna)与1,2-二(4-吡啶基)乙烷(dpea)或1,2-二(4-吡啶基)乙烯(dpey)分别与NiCl2·6H2O和ZnCl2在160℃下反应,合成了2个三维配位聚合物{[Ni(μ3-cpna)(μ-dpea)0.5]·H2O}n (1)和{[Zn(μ3-cpna)(μ-dpey)0.5]·H2O}n (2),并对其结构、催化和摩擦性质进行了研究。研究表明,在室温条件下化合物2在Knoevenagel缩合反应中显示出较好的催化活性。同时,2在聚α-烯烃合成润滑剂中显示出有效的抗磨性能。  相似文献   
379.
利用室温挥发方法合成了手性化合物[Cd(bbp)2(H2O)2]·bbp·2NO3·H2O(bpp=1,3-二(4-吡啶基)丙烷);利用X射线单晶衍射分析了产物的分子结构,并测定了其荧光光谱和固体圆二色光谱.结果表明,合成产物具有含一维手性链[Cd(bbp)2(H2O)2]n的手性超分子结构;其在室温下表现出中等强度的倍频效应,其二阶非线性极化率为尿素的0.4倍,是潜在的二阶非线性光学材料.此外,合成的手性化合物呈现弱的荧光,其固体圆二色光谱则呈现正的Cotton效应.  相似文献   
380.
大豆油煎炸过程理化指标与LF-NMR弛豫特性的相关性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在对大豆油无料/薯条煎炸过程[温度:(180±5)℃,持续36 h]中的酸价(AV)、粘度(V)、吸光值(A)及总极性化合物(TPC)含量等及低场核磁共振(LF-NMR)弛豫特性(峰起始时间T21、T22、T23、相应的峰面积比例S21、S22、S23、单组份弛豫时间T2W)变化规律研究的基础上,利用多元回归分析建立了理化指标与其LF-NMR检测结果的相关性模型,并进行验证。结果表明:大豆油的酸价、TPC含量及S21峰面积均随煎炸时间的延长而线性增大,T21、T22峰起始时间及T2W则随煎炸时间的延长而线性减小(r2>0.90),粘度、吸光值随煎炸时间的延长逐渐增加并符合二项式关系(r2>0.90),而T23峰起始时间及S22、S23与煎炸时间之间无明显规律性变化。煎炸薯条后,油样的酸价、粘度、TPC含量、吸光值及S21均较无料煎炸显著增大(P<0.05),而T21、T22峰起始时间及T2W显著缩短。多元回归分析表明,酸价及TPC含量与T2W、T21,粘度与T2W,吸光值与S21间均可建立良好的相关性模型(R2>0.93)。模型验证合理可靠,可通过油样的LF-NMR检测结果有效预测其理化指标的变化。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号