含膦和含氮配体功能化离子液体中 RuCl3•3H2O 催化分子氧氧化醇

 无共氧化剂参与条件下, 以氧气为氧化剂, 在含膦或含氮配体功能化离子液体和普通离子液体 (溶剂) 组成的混合体系中, RuCl3•3H2O 能有效催化多种醇的选择氧化, 高选择性地生成相应的醛或酮. 其中, 配位能力较弱的含氮配体功能化离子液体更有利于提高钌催化剂的活性和选择性, 但体系无法有效实现钌催化剂的循环使用. 配体功能化离子液体本身的氧化降解是导致钌催化剂失活的根本原因.     

红外窗口辐射导热耦合换热研究

针对高速飞行器典型红外窗口材料及气动加热外部热环境特点,建立红外窗口辐射导热耦合换热模型,采用光线跟踪法及有限差分法研究了红外窗口内部温度分布。考察了材料的物性、热边界条件等因素对温度分布的影响。研究结果表明,壁面对流换热系数、光谱吸收系数对红外窗口内部温度分布影响很大。     

SDH信号中DCME数据的检测处理技术

SDH信号中的虚容器VC-12是承载DCME数据的主要部分,文章通过分析简化其中各层数据的帧格式提出了一套可行的设计方案,用于初步实现SDH信号中DCME数据从前期检测到后期处理的流程,从而达到数据分析的目的.     

SiC JBS二极管和SiC MOSFET的空间辐照效应及机理

基于第六代650 V碳化硅结型肖特基二极管(SiC JBS Diode)和第三代900 V碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET),开展SiC功率器件的单粒子效应、总剂量效应和位移损伤效应研究。20～80 MeV质子单粒子效应实验中,SiC功率器件发生单粒子烧毁(SEB)时伴随着波浪形脉冲电流的产生,辐照后SEB器件的击穿特性完全丧失。SiC功率器件发生SEB时的累积质子注量随偏置电压的增大而减小。利用计算机辅助设计工具(TCAD)开展SiC MOSFET的单粒子效应仿真,结果表明,重离子从源极入射器件时,具有更短的SEB发生时间和更低的SEB阈值电压。栅-源拐角和衬底-外延层交界处为SiC MOSFET的SEB敏感区域,强电场强度和高电流密度的同时存在导致敏感区域产生过高的晶格温度。SiC MOSFET在栅压偏置(U_GS=3 V,U_DS=0 V)下开展钴源总剂量效应实验,相比于漏压偏置(U_GS=0 V,U_DS=300 V)和零压偏置(U_GS=U_DS=0...     

碲化镉量子点光催化降解溴化乙锭的研究

以巯基乙酸为稳定剂, 水相合成出不同粒径的碲化镉量子点, 对其进行适当的光照处理, 以提升其光学性质和稳定性. 将其用作光催化剂, 以紫外灯为光源, 降解具有强诱变作用的常用核酸荧光染料——溴化乙锭. 考察了光照时间和溶液 pH 对降解率的影响. 以溴化乙锭在620 nm处的特征荧光发射峰为参数表征降解率, 在反应4 h后, 对15 mg/L溴化乙锭水溶液的降解率近90%, 同时, 对琼脂糖凝胶中的溴化乙锭也有降解作用.     

金属卟啉催化的过氧化氢选择氧化烃类反应机理研究

本文综合介绍了近年来采用过氧化氢为氧化剂,金属铁卟啉和锰卟啉模拟酶体系催化烯烃环氧化和烷烃氧化的反应机理。总结了采用不同手段促进过氧化氢的异裂,以有效形成金属卟啉活性中间体的反应过程。