有机电致发光现状和发展趋势

有机电致发光是近年来发展起来的一种具有极大竞争力的固体化平板显示技术,目前已经报道的有机发光二极管最大流明效率已达311m/W,最高半寿命已超过100,000小时,本文对有机发光管理的工作原理,材料特点和老化机理进行了探讨,并分析了该技术在商业显示方面的应用前景。     

含二唑的聚(间亚苯乙烯)电致发光二极管

含二唑的聚（间亚苯乙烯）电致发光二极管印寿根李晨曦黄文强何炳林（南开大学吸附分离功能高分子材料国家重点实验室高分子化学研究所天津３０００７１）彭俊彪刘星元李文连（中国科学院长春物理研究所长春１３００２１）关键词电致发光，光电子能谱，聚（间亚苯...     

有机发光二极管中的薄膜光泵受激发射

本文研究了有机发光二极管（OLED）中的有机薄膜在光泵浦情况下的受激发射行为。发现在比常规结构厚的OLED样品中，器件电致发光亮度较弱，但可观测到放大的自发发射（AES）现象。而在常规结构的OLED样品中，器件亮度较高，但在光泵浦下，观察不到ASE现象，表明金属电极对激子的猝灭作用导致ASE受到抑制。     

高效高亮度有机红色微腔发光二极管

采用普通的Alq:DCM红光发光材料体系,制作了结构为Glass/DBR/ITO/NPB/Alq:DCM/MgAg的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于600 nm.与无腔器件相比,微腔器件光谱半峰全宽（FWHM）从92 nm压缩为32 nm,色度从X=0.58,Y=0.41改善为X=0.6,Y=0.4,微腔器件的最大发光效率为3.1 cd/A,最大亮度为32 010 cd/m2.     

双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制

制备了基于F₁₆CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F₁₆CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍。同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度等工艺条件的苛刻要求。这种双异质结结构为提升双极型有机薄膜晶体管器件的性能提供了一种有效方法。     

有机材料EnBOD的放大自发发射性能研究

在紫外脉冲激光泵浦条件下,研究了有机材料EnBOD的放大自发发射(ASE)性能.EnBOD的甲苯稀溶液样品具有较窄的吸收和荧光光谱,主峰分别位于508 nm和527 nm.其ASE效率随着溶液浓度而变化,浓度为0.008 mol·L-的EnBOD样品具有最高的ASE效率,达到22.6％.其ASE主峰位于542 nm,阈值约为29.5 kW·cm-2.阈值后的ASE半宽约为12.4 nm.经紫外脉冲激光20万次泵浦后,ASE的光强衰减为初始强度的61.2％.结果表明EnBOD是一种ASE阈值较低、光稳定性良好的激光材料.     

基于Alq:DCJTI薄膜的光泵浦650nm微腔激光

设计研制了以分布式布拉格反射镜为腔镜、以主客体掺杂的红光发光材料Alq:DCJTI为增益介质的有机微腔结构。通过传输矩阵法对腔内驻波光场进行了模拟, 确定了合理的微腔结构。在紫外脉冲激光的泵浦下研究了微腔的激光性能。该微腔激光器的输出波长位于650nm, 观察到了明显的激光现象, 其中阈值强度约为110W·cm^-2, 阈值前后的FWHM从4.7nm窄化到3.2nm。     

有机薄膜在平面光学微腔中的光致发光特性

本文研究了有机薄膜在平面光学微腔中的光致发光特性。有机光学微脸以多层介质膜和金属银分别作为反射镜,８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ）为发光层。Ａｌｑ薄膜的荧光峰位于５１９ｎｍ,谱线的半高全宽为９０ｎｍ。微腔的荧光峰位于５３０ｎｍ,谱线的半高全宽窄化至１０ｎｍ。谐振波长处的发射强度提高了一个数量级。     

基于旋涂法和电子束蒸发法制备的V_2O_5/Ag/V_2O_5叠层透明导电薄膜

利用溶胶-凝胶技术与电子束蒸镀相结合的方法在常温下制备了叠层V2O5/Ag/V2O5(VAV)透明导电薄膜,研究了各层薄膜厚度对叠层结构光电特性的影响。用原子力显微镜、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪及开尔文探针对样品的表面形貌、光电性能及功函数等性质进行了表征。实验结果表明,该薄膜具有良好的光学和电学性质,可见光(380~780 nm)平均透过率达75%,迁移率为16.89 cm2/(V·s),载流子浓度为-1.043×1022cm-3,方块电阻值为15.1Ω/□,功函数为5.17 eV。该制备方法降低了V2O5薄膜的工艺制备难度,为该材料在太阳能电池中的应用创造了良好的前期基础。     

有机微腔红光发射器件

通过将微腔引入有机掺杂红光OLED器件,获得了半宽(FWHM)仅为27 nm的纯红光发射,器件色度为(0.6497,0.3488).另外通过改变基质材料,制作了不同的掺杂器件,发现除了器件的发光颜色有了很大变化外,器件的性能也有很大不同,采用宽能隙材料作为基质的器件无论在J-V特性还是在器件效率上均不如窄能隙材料器件,说明在选基质材料时,除了一些必须考虑的因素外,材料的能隙也是决定器件性能的一个重要指标.