应用于智能驾驶的77GHz毫米波汽车雷达收发机芯片

针对未来智能驾驶和无人驾驶对毫米波传感器多模式、多场景感知需求,设计并实现了一种77GHz多模毫米波雷达收发机芯片。芯片采用65nm CMOS工艺,集成了3路雷达发射机和4路接收机、调频连续波（FMCW）波形发生器、模数转换器以及高速数据接口等电路。利用交叉耦合中和电容技术提升了CMOS工艺上毫米波低噪声放大器、毫米波片上功放等电路性能,采用两点调制锁相环技术提升了FMCW信号带宽和调制速率。收发机的发射功率、波形样式、接收增益和带宽等参数具有较好的可配置性,满足未来多模式、小型化和低成本汽车雷达传感器需求。芯片测试结果显示,在76～81GHz频率范围内,接收机实现50dB的增益控制,最小噪声系数11dB,FMCW信号调频带宽达4.2GHz,调制速率达233MHz/μs,线性度优于0.1%,－45～+125℃全温范围内发射机典型输出功率大于13dBm。     

碱金属氧化物对硼硅酸盐系玻璃/Al_2O_3材料性能的影响

以硼硅酸盐系玻璃和Al2O3粉料为原料,采用低温烧结法制备了玻璃/Al2O3系LTCC材料。设计玻璃中碱金属氧化物的质量分数为0~6%,研究了碱金属氧化物添加量和烧成温度对玻璃/Al2O3材料的烧结性能、热性能、介电性能和力学性能的影响。随着碱金属氧化物含量增加,玻璃/Al2O3材料的体积密度、相对介电常数、抗弯强度增加,而介电损耗恶化。当碱金属氧化物添加的质量分数为2%,材料于875℃烧结良好,显示出优异的性能:体积密度为2.84 g/cm3,相对介电常数7.71,介电损耗1.15×10–3(于10 MHz下测试),抗弯强度为158 MPa,热导率为2.65 W/(m·℃),线膨胀系数为7.77×10–6/℃。     

M级交错N重开关并联移相驱动的单相功率因数校正器

对于单相交流电源供电的大功率家用变频空调、通讯电源等用电设备,需要采用大功率单相功率因数校正器,如多级交错APFC或在单级APFC中采取多个功率器件并联。本文提出和理论分析了一种M级交错、N重开关并联且所有功率器件移相驱动的APFc（MXNAPFC）,分析了其电路结构和工作原理．包括电压变比、纹波电流、驱动方法和控制方...     

为安全播出建立高效、优质冗余网络

实际工作中,单一网络经常出现各种缺点和不足,针对这种现象,作者提出了建立更加安全、高效的网络冗余方案.     

NC-OFDM的PAPR统计特性分析

NC-OFDM(Non-contiguous OFDM)是基于OFDM的频谱池技术,它是认知无线电主要的数据传输方式,系统地分析了NC-OFDM信号的峰均比(PAPR),由于OFDM信号的PAPR取决于一个符号周期内数据的非周期相关特性,因此推导出NC-OFDM信号的相关函数,并用相关系数对相关性进行度量,提出了当信号的相关系数小于0.08这个门限时,可以近似认为信号不相关,并可以用公式计算PAPR的CCDF。仿真结果证明,当总的子载波个数小于8192,可用子载波个数大于128时,其相关系数都在0.08以下,都可以用公式求其PAPR。     

阵列位相环匀光器

基于衍射光学中的角谱理论,针对一种分布为同心3环、相位为0.9π,0和0.9π的结构进行深入分析,提出一种10×10的3环2值位相环阵列结构,并与二元光学中的10×10的菲涅尔波带片阵列结构进行比较,应用MATLAB软件仿真632.8nm激光器的高斯光通过二者后的效果。结果表明,阵列3环2值位相环对高斯光的匀光效果要明显优于阵列菲涅尔波带片,该阵列可以对激光束在远场的衍射光场进行修正,能较大地改善高斯光的匀光效果,在光均匀性要求较高的场合具有广泛的应用前景。     

一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器

本文提出了一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器,通过采用电流比较技术和自动消失调技术,该灵敏放大器在低电源电压下获得了很好的性能,改善了低电流阈值窗口存储器的读取速度。基于上海宏力半导体制造公司130nm的嵌入式闪存工艺,该灵敏放大器的感应时间在1.5V的电源电压下达到了0.43ns,其感应速度比传统的灵敏放大器提高了46%     

基于Matlab的计算机视觉测量中摄像机标定方法研究

本文以视觉测量系统中的摄像机标定为研究对象,以物体在摄像机上所成的像与物体实际的形状之间具有一定的函数关系为基础,以获得该函数参数为目的用Matlab进行摄像机标定。该方法利用了Matlab的工具箱及VC＋＋6.0编译软件,设计标定方法及软件程序,方便准确的完成了单摄像头标定和双摄像头的立体标定,得出摄像机的内部参数和外部参数,简化了标定求解过程,提高了标定速率,并具有良好的移植性,适合于其他视觉测量系统。     

(n)nc-Si：H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H₂稀释的SiH₄作为反应气体源和PH₃作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底上, 成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜((n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结,并在230—420Ｋ温度范围内实验研究了该异质结的Ｉ-Ｖ特性.结果表明,(n)nc-Si:H/(p)c- Si异质结为一典型的突变异质结构,具有良好的温度稳定性和整流特性.正向偏压下 关键词： (n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结 能带模型 电流输运机构 温度特性     

Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or 02 ambient

The retention characteristics of electrons and holes in hafnium oxide with post-deposition annealing in a N2 or 02 ambient were investigated by Kelvin probe force microscopy. The KFM results show that compared with the N2 PDA process, the O2 PDA process can lead to a significant retention improvement. Vertical charge leakage and lateral charge spreading both played an important role in the charge loss mechanisms. The retention improvement is attributed to the deeper trap energy. For electrons, the trap energy of the HOS structure annealed in a N2 or 02 ambient were determined to be about 0.44 and 0.49 eV, respectively. For holes, these are about 0.34 and 0.36 eV, respectively. Finally, the electrical characteristics of the memory devices are demonstrated from the experiment, which agreed with our characterization results. The qualitative and quantitative determination of the charge retention properties, the possible charge decay mechanism and trap energy reported in this work can be very useful for the characterization of hafnium charge storage devices.