全文获取类型
收费全文 | 445篇 |
免费 | 119篇 |
国内免费 | 123篇 |
专业分类
化学 | 59篇 |
晶体学 | 4篇 |
力学 | 21篇 |
综合类 | 2篇 |
数学 | 26篇 |
物理学 | 203篇 |
无线电 | 372篇 |
出版年
2024年 | 6篇 |
2023年 | 19篇 |
2022年 | 29篇 |
2021年 | 23篇 |
2020年 | 12篇 |
2019年 | 17篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 19篇 |
2016年 | 29篇 |
2015年 | 19篇 |
2014年 | 40篇 |
2013年 | 29篇 |
2012年 | 25篇 |
2011年 | 37篇 |
2010年 | 34篇 |
2009年 | 34篇 |
2008年 | 43篇 |
2007年 | 45篇 |
2006年 | 31篇 |
2005年 | 38篇 |
2004年 | 23篇 |
2003年 | 31篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 12篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 1篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
排序方式: 共有687条查询结果,搜索用时 453 毫秒
31.
电子电路实验中心EDA室的建设与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
从建设适合现代实验教学的EDA机房出发,介绍了EDA实验室的硬件环境和软件配置及其所取得的教学效果。 相似文献
32.
33.
裸芯片的可靠性与老化工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
从移动电话到PDA到数字音乐播放器,消费者对这些新的可移动电子设备的要求有两个共同点:(1)要求迅速增加的新特性和功能;(2)愿意为更小更轻而支付额外费用。这通常要用到多片裸芯片封装技术,如多芯片模块(MCM)和系统封装(SIP)等。 相似文献
34.
35.
36.
热电联产机组能源利用效率较高,对我国的节能减排工作具有重要意义。为提高汽轮机抽汽、高背压与吸收式热泵构成的热电联产系统效率及运行灵活性,本文研究了供热机组电热负荷特性,进而对抽汽–高背压–热泵耦合热电联产系统多参数进行优化。研究发现,随着高背压机组电负荷增加,高背压机组产生调峰被动冷源损失增加,机组发电煤耗率以及综合发电煤耗率均随之增加。通过多参数优化,获得了高背压机组初末期、寒冷期及严寒期的最佳运行背压,分别为35.86 kPa、34.32 k Pa和32.27 kPa。 相似文献
37.
38.
一种LFMCW雷达多目标距离-速度配对新方法 总被引:1,自引:1,他引:0
针对线性调频连续波雷达双差拍-傅里叶处理中的多目标配对问题,提出了一种新的多目标距离-速度联合配对法。文中分析了连续波与线性调频连续的雷达回波频谱,描述了雷达系统工作原理;然后,利用单载频回波信号测量多目标的不模糊速度,同时利用锯齿调频波测量多目标的不模糊距离与模糊速度;最后,结合距离-速度配对的方法,实现多目标的配对。仿真结果验证了方法的有效性。 相似文献
39.
The resistivity,crystalline structure and effective work function(EWF) of reactive sputtered TaN has been investigated.As-deposited TaN films have an fcc structure.After post-metal annealing(PMA) at 900℃,the TaN films deposited with a N2 flow rate greater than 6.5 sccm keep their fee structure,while the films deposited with a N2 flow rate lower than 6.25 seem exhibit a microstructure change.The flatband voltages of gate stacks with TaN films as gate electrodes on SiO2 and HfO2 are also measured.It is concluded that a dipole is formed at the dielectric-TaN interface and its contribution to the EWF of TaN changes with the Ta/N ratio in TaN,the underneath dielectric layer and the PMA conditions. 相似文献
40.