有机硅及其改性聚合物膜用于有机溶剂水溶液的渗透汽化分离

采用室温固化硅橡胶及其它三种改性硅氧烷聚合物制成渗透汽化膜,分离丙酮(A),丁酮(B)、乙醇(E)及异丙醇(P)等有机物的水溶液。结果表明,随着透过温度提高、透量成指数关系增大,但对分离系数影响甚小。透量大小顺序为A>B>E>P,分离系数大小顺序为A>B>P>E,当膜材料中(CH_3)_2SiO链节含量由70%上升到100%时,有机物的透量及分离系数同时增加。     

互贯磺酸树脂的离子交换平衡性质

本文研究凝胶型互贯磺酸树脂的热力学性质。测定了一系列第一网和第二网重量比及交联度不同的互贯磺酸树脂对多种离子交换反应的△G~0、△H~0和△S~0值。归纳了二重网重量比和交联度对△H~0、△S~0值变化影响规律。提出了用积分持水量来表达互贯磺酸树脂的平衡常数与持水量关系,并探讨了这类树脂在离子交换色谱等方面应用的可能性。     

硫醇对炔属化合物的加成反应 Ⅲ.苯硫酚与硫醇乙酸对β-烷基苯乙炔的加成

苯硫酚与1-苯基丙炔-1及1-苯基丁炔-1在苯甲酰过氧化物或紫外光引发下顺利加成.当反应物用量为等克分子比时,加成物分别为1-苯基-2-苯硫基丙烯-1(Ⅰ)及1-苯基-2-苯硫基丁烯-1(Ⅱ);当用量为2∶1克分子比时,除生成上述1∶1加成物外,尚得2∶1加成物:1-苯基-2,2-二-(苯硫基)-丙烷(Ⅴ)及1-苯基-2,2-二-(苯硫基)-丁烷(Ⅵ).这些加成物的结构是借在酸性介质中与2,4-二硝基苯肼作用生成相应酮的2,4-二硝基苯腙而得到证明.这加成反应是按自由基机理进行,苯硫基联结在与烷基相邻的碳原子表明中间生成的自由基之稳定性是加成方向的决定因素,因为苯基的共轭效应比烷基为强. 竞争试验的结果表明,苯硫基对苯乙炔的加成比对1-苯基丙炔-1的加成快得多,这可归因于甲基的空间效应.当以苯硫酚与1-苯基丙炔-1及苯乙烯进行竞争时,只得炔烃的加成物,这表明炔烃的加成活性比烯烃大得多.后一结果是由于断裂三键中的一个π-键所需要的能量较断裂双键中的π-键所需要的能量为低的缘故.     

爆炸冲击的激光多普勒远距离测量技术的研究

利用激光多普勒效应和数字信号处理方法,获取爆炸冲击过程中的高速变形参数,以此作为对爆炸强度分析的依据。根据爆炸变形的特点,设计了外差式纵向激光多普勒测量系统,提出了相应的数字滤波和频谱分析的信号处理方法,实现了爆炸变形的动态测量。系统测量的位移量程为±30mm,速度量程为-10~+20m/s,测量距离为4.5m。与振动台的试验对比,位移测量相对误差小于1%。给出了圆筒钢制爆炸容器在300gTNT当量炸药爆炸过程中弹性变形的测量结果。     

一种LDO稳压器内部动态频率补偿电路的设计

针对LDO稳压器需要进行频率补偿的特点,本文在分析了LDO稳压器利用输出电容等效串联电阻(ESR)进行频率补偿原理的基础上,提出了一种新颖的LDO稳压器动态频率补偿方法。     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

智能可分区校园广播系统设计及相关参数计算

通常要求校园广播系统具有分区广播功能,因此在设计这种校园广播系统时应进行相关参数的计算,并依据计算结果选择相关设备,介绍一种利用智能矩阵分区器实现智能可分区广播的设计方案,给出系统连接示意图及相关参数的计算公式,说明系统施工安装要求,给出一应用实例的主要设备选型.     

BUCK变换器的一种多环控制研究

文中研究了一种具有快速动态响应的多环控制方法,介绍了多环控制方法的工作原理,并建立了器件模型,利用Matlab的Power System Blockset对该模型的特性进行了时域仿真,并将仿真结果与传统的电压型。电流型控制方法进行比较,对分析结果进行了验证。     

浅海底瞬变电磁探测系统关断沿影响因素研究

运用电路理论对发射线圈进行了建模分析;讨论了采用多匝小线圈进行浅海底瞬变电磁探测时,发射电流关断沿时间与电流幅值和发射线圈匝数之间的关系;给出了在保证发射磁矩的前提下,合理确定发射电流幅值与发射线圈匝数以缩短发射电流关断沿的原则,并通过实验进行了验证.     

电大尺寸导体附近线天线的辐射方向图研究

采用一致性几何绕射理论分析了电大尺寸导体对其附近的对称振子天线辐射方向图的影响,计算了在三种不同环境下的天线方向图,结果与软件(FEKO)仿真结果吻合良好.为分析工程中复杂的电大尺寸目标,提供了重要的参考依据.