首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   169篇
  免费   79篇
  国内免费   34篇
化学   70篇
晶体学   3篇
力学   9篇
数学   4篇
物理学   96篇
无线电   100篇
  2024年   2篇
  2023年   14篇
  2022年   22篇
  2021年   13篇
  2020年   13篇
  2019年   13篇
  2018年   10篇
  2017年   17篇
  2016年   17篇
  2015年   18篇
  2014年   12篇
  2013年   8篇
  2012年   16篇
  2011年   14篇
  2010年   8篇
  2009年   9篇
  2008年   13篇
  2007年   7篇
  2006年   5篇
  2005年   6篇
  2004年   10篇
  2003年   5篇
  2002年   6篇
  2001年   11篇
  2000年   4篇
  1999年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1994年   1篇
  1990年   1篇
  1985年   1篇
  1981年   1篇
  1964年   1篇
排序方式: 共有282条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
由于步进电机控制系统的需要,文中基于Modbus协议,设计了一种PC上位机与STM32下位机之间通信的方法,介绍了STM32的片上外设以及Modbus协议的实现方法,并给出了RS-485通信电路、STM32和上位机的软件设计。通过测试验证了该方法实现了步进电机控制器与PC之间的数据交换,为基于Modbus协议的上、下位机通信系统提供了参考。  相似文献   
102.
郝海燕  刘振  祖莉莉 《物理化学学报》2015,31(11):2029-2035
有机硫化物是大气主要污染物之一,其在大气中的光解产物还将造成二次污染,除了存在于有机硫化物中, S―S键还存在于胱氨酸等蛋白质中, S―S键的形成和断裂决定该类蛋白质的活性.本工作中,我们研究了用实验室常见的Nd:YAG激光器的四倍频266 nm激光光解C2H5SSC2H5过程,通过激光诱导荧光(LIF)光谱方法检测乙硫自由基C2H5S等光解产物.实验表明266 nm激光主要光解C2H5SSC2H5的S―S键产生C2H5S自由基.本文应用密度泛函理论的Becke3-Lee-Yang-Parr泛函(B3LYP方法)得到C2H5SSC2H5的S―S键、C―S键和C―C键的解离势能曲线,可知在266 nm光解条件下, C2H5SSC2H5在基态能够发生S―S键、C―S键解离, C―C键不发生解离.本文采用全活化空间自洽场(CASSCF)方法优化得到态和态的C2H5S自由基结构及其跃迁的绝热激发能,以辅助解析实验检测的C2H5S自由基的LIF光谱.实验结合理论计算最终得出,本实验266 nm光解条件下, C2H5SSC2H5主要发生S―S键解离,不排除少量分子发生C―S键解离的可能性.  相似文献   
103.
聚合物级联发光器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于溶液加工方法制备了聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)/氧化锌(ZnO)/乙氧基化聚乙烯亚胺(PEIE)电荷产生层的聚合物级联发光器件, 发现PEDOT∶PSS层电导和厚度对器件的电流-电压特性影响较小, 不同PEDOT∶PSS对器件发光效率的影响主要来自于其对发光层激子不同的猝灭作用, PEDOT∶PSS厚度为60 nm的级联器件比PEDOT∶PSS 厚度为30 nm的级联器件的发光效率稍高, 原因是PEDOT∶PSS较厚时, 其表面形貌更均匀。级联器件的发光效率和驱动电压分别与发光子单元的发光效率和驱动电压之和相近, 说明在较低的电压下电荷产生层就能够有效产生电荷并注入到发光子单元中,级联器件的发光光谱中包含两个发光子单元的发光光谱,说明两个发光子单元在级联器件中都能正常工作。通过对电荷产生层的电容-电压(C-V)特性的测试, 确认了在电荷产生层中存在电荷的积累过程。证明了PEDOT∶PSS/ZnO/PEIE为有效的电荷产生层。首次报道了包含三个SY-PPV发光单元的级联器件, 三个发光子单元发光效率之和与级联器件的发光效率相当, 其最大发光效率和最大外量子效率分别为21.7 cd·A-1和6.95%。在器件亮度为5 000 cd·m-2时, 器件的发光效率和外量子效率分别为20.5 cd·A-1和6.6%。说明并没有由于发光子单元数目增加而影响级联器件的发光效率。并且其发光光谱和发光子单元的发光光谱相接近。通过 进一步降低CGL中空穴注入层对级联器件的影响有望提高级联器件的发光效率。  相似文献   
104.
顾娟  黄荣宗  刘振宇  吴慧英 《物理学报》2017,66(11):114701-114701
针对滑移区复杂气-固边界存在速度滑移现象,提出了一种基于格子Boltzmann方法的非平衡态外推与有限差分相结合的曲边界处理新格式.该格式具有可考虑实际物理边界与网格线偏移量的优势,较传统half-way DBB(diffusive bounce-back)格式更能准确反映实际边界情况,同时还可获取壁面处气体宏观量及其法向梯度等信息.采用本文所提曲边界处理格式模拟分析了滑移区气体平直/倾斜微通道Poiseuille流、微圆柱绕流和同心微圆柱面旋转Couette流问题.研究结果表明,采用曲边界处理新格式所得结果与理论值以及文献结果符合良好,适用于滑移区气体流动的复杂边界处理,且比half-way DBB格式具有更高的精度,较修正DBB格式具有更好的适应性.  相似文献   
105.
刘振  杨俊安  刘辉  王伟 《信号处理》2016,32(6):651-659
传统机器学习要求训练样本和测试样本具有相同分布的假设在实际应用中难以满足,为解决这种问题,迁移学习的研究近年来逐渐兴起。其中,基于聚类分析与重采样的迁移学习框架不需要直接估计域分布,且能够修正不同类型的域间差异,但其所采用的聚类算法对参数选择的鲁棒性及不同分布数据的适应性较差,并不能很好地适用于挖掘数据结构信息。为此,该文提出一种基于模糊近邻密度聚类与重采样的迁移学习算法。该方法对不同分布形状和密度的数据具有较好的鲁棒性并能够发现更多的近邻结构信息,能够从源域中迁移更多的有用知识用于目标域的学习。在公共数据集上的实验结果表明所提出的迁移学习方法具有更好的性能。   相似文献   
106.
低频水声探测和船舶减振降噪技术发展,使得传统水声目标识别技术性能逐渐下降。该文分析了声呐工作带宽、探测频率、船舶减振降噪给识别技术带来的挑战。针对低频声呐广泛使用的低频线谱识别,研究了低频线谱的识别能力问题;针对智能识别技术发展,研究了深度学习技术在船舶辐射噪声识别中的应用问题,并给出了数据试验结果,文章最后指出了水声被动目标识别技术亟需开展的研究内容和方向。  相似文献   
107.
为了确保电力系统能够安全稳定的运行,实时检测故障中的微弱信号。通过噪声干扰情况下微弱信号的不同变化进行研究,得到了一种微弱信号的DUFFING混沌检测模型。系统发生故障时会产生相应的微弱信号,运用DUFFING混沌振子法分析不同情况下微弱信号的时域波形和相平面轨迹变化规律,并建立数学检测模型,对其幅值进行混沌检测仿真。结果表明,当r=0.8264V,w=1rad/s时将白噪声和微弱正弦信号同时加入后,此时,混沌状态、大尺度周期状态的相平面运行轨迹依然在进行有规律的运行,可以清晰的观察出需要检测的微弱信号。在强噪声存在于系统中时,该方法明显克服了噪声对信号稳定性的干扰,能精确有效检测微弱信号。系统在应对不同工作环境、仪器设备老化等情况时,提高了检测效率,保证系统的稳定运行。  相似文献   
108.
卟啉及其衍生物对生物分子的识别研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
卟啉及其衍生物作为主体分子对生物分子的识别具有独特的优点:分子结构多样、形状选择、稳定性好和敏感性高等。 本文着重介绍了国内外关于卟啉对DNA、氨基酸、醌和胺等的分子识别研究进展。  相似文献   
109.
依据宏块的空间相关性,并从概率的角度考虑,提出了一种新的快速模式选择算法,该方法减少了对Intra4×4和Intra16×16的预测模式率失真的计算,降低了帧内预测编码的复杂度.与参考软件JM11.0中模式选择算法相比,在PSNR基本保持不变的情况下,新算法的编码时间缩短了大约30%,而比特率仅提高了1%左右.  相似文献   
110.
精确预示地面效应下高速火箭橇的气动特性及流场规律对高速火箭橇的设计和评估具有重要意义。本文应用有限体积方法,研究了湍流模型对火箭橇气动特性计算精度的影响,建立了基于realizable k-ε湍流模型的火箭橇气动特性的高精度数值计算方法;结合风洞试验方法,研究了雷诺数和地面效应对高速火箭橇流场流动规律的影响,分析了火箭橇气动特性。结果表明,火箭橇阻力系数随雷诺数增大而减小,升力系数和俯仰力矩系数随雷诺数增大而增大,但雷诺数对高速火箭橇气动特性的影响较小;地面效应会使火箭橇流场发生激波-激波干扰、激波-边界层干扰和激波反复反射等复杂气动现象,大幅提升了火箭橇的升力系数和俯仰力矩系数,但对阻力系数的影响较小。研究为高速火箭橇气动外形的设计及运动稳定性的评估提供依据。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号