排序方式: 共有59条查询结果,搜索用时 18 毫秒
31.
按照阀控铅酸蓄电池的设计,放电电流应不小于10小时放电率的电流大小,才能保证蓄电池在正常电流下放电,但实际使用中往往并非如此,不合理的放电造成了蓄电池寿命大大减少。本文针对无线基站蓄电池日常使用中出现小电流放电的原因进行分析,并提出了为了提高蓄电池使用寿命,必须对蓄电池选型及维护进行精细化管理的方法。 相似文献
32.
为提高步态识别准确率,提出了基于空-频域特征和线性判别分析的视频步态识别方法。利用离散余弦变换、Contourlet变换分别提取步态能量图的频率特征和多尺度多方向轮廓特征;融合得到空-频域特征,并通过线性判别分析映射到最佳鉴别矢量空间;根据相似性距离实现身份识别。在中科院自动化所提供的数据库中进行实验,结果表明,提出的特征提取方法优于现有常用方法。空-频域特征能够有效地区分步态中的高低频分量,并捕捉丰富的细节信息,线性判别分析在降维的同时进一步增强特征的判别能力,有助于提高识别精度。 相似文献
33.
采用阴极还原方法,在透明导电玻璃(ITO)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜等表征技术,研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影响;利用光致荧光光谱及透射光谱等分析方法,探讨了沉积电流变化对ZnO薄膜的光学性能的影响.研究结果显示:各沉积电流下均可制得高c轴取向的ZnO薄膜;薄膜表面形貌受电流的影响较大;从透射谱可以看出,薄膜在可见光波段有较高透射率,且薄膜厚度随沉积电流的增大而增大.光致荧光测量表明,电化学沉积的ZnO薄膜具有明显的带隙展宽.而且,随着沉积电流的增加,带隙发光强度逐渐减弱,缺陷发光逐渐增强. 相似文献
34.
本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790 ℃附近.进一步分析表明,决定低温退火的晶粒长大机制为Zn填隙原子扩散机制,而决定高温退火时的晶粒长大机制为O空位扩散机制.界面分析结果显示:在临界转变温度以下,ZnO薄膜与基体Si之间基本不发生界面反应;在高温退火过程中,ZnO薄膜与基体Si之间的界面反应主要以氧化后的Si表面层向ZnO扩散的方式进行,并导致了薄膜应力的迅速增加,而界面反应开始之前的薄膜应力的变化,则是由于晶粒合并所引起的. 相似文献
35.
36.
通过研究多个导向矢量之间的线性无关性讨论电磁矢量传感器及其阵列累量域观测的唯一性问题。导出了累量域电磁矢量传感器及其阵列线性无关虚拟导向矢量个数的上界和下界。这些结论对确定电磁矢量传感器及其阵列累量域可分辨非高斯信号源个数具有一定的参考价值。给出的仿真实验结果验证了文中的分析和推导。 相似文献
37.
修正的虚拟空间平滑算法 总被引:5,自引:0,他引:5
对虚拟空间平滑方法进行了修正,提出了一种适用于直线信号(如调幅、二进制相移键控信号等)的修正虚拟空间平滑解相干方法.该方法无需对信号初始相位作特别假定,并可在不损失阵列有效孔径和工作阵元的情况下完成信号解相干,经其预处理后的特征子空间分解信号波达方向(DOA)估计方法的性能要优于传统空间平滑方法. 相似文献
38.
采用射频反应磁控溅射方法,在Si(001)基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱分析技术,对不同工作气压下合成的ZnO薄膜的表面形貌、微观结构和光学性能进行表征,研究了工作气压对ZnO薄膜的结晶性能以及生长行为的影响.研究结果显示:对于Ar/O2流量比例接近1∶1的固定比值下,ZnO薄膜的生长行为主要取决于成膜空间中氧的密度,临界工作气压介于0.5—1.0 Pa之间.当工作气压小于临界值时,ZnO薄膜的成核密度较高,且随工作气压的变化明显,ZnO的生长行为受控于氧的密度,属于氧支配的薄膜生长;当工作气压大于临界值以后,ZnO薄膜的成核密度基本保持不变,Zn原子的数量决定薄膜的生长速率;在0.1—5.0 Pa的工作气压范围内,均可获得高度c轴取向的ZnO薄膜,但工作气压的变化改变着ZnO晶粒之间的界面特征和取向关系.随着工作气压的增加,ZnO晶粒之间的界面失配缺陷减少,但平面织构特征逐渐消失,三叉晶界的空洞逐渐扩大,薄膜的密度下降,折射率减小.
关键词:
ZnO薄膜
磁控溅射
表面形貌
微观结构
光学性能 相似文献
39.
40.
采用离子注入技术将Zn离子注入Si(001)基片,并在大气环境下加热氧化制备了ZnO纳米团簇.利用电子探针、薄膜X射线衍射仪、原子力显微镜和透射电子显微镜,对注入和热氧化后的薄膜成分、表面形貌和微观结构进行表征,探讨了热氧化温度以及注入剂量对纳米ZnO团簇的成核过程及生长行为的影响.结果表明,Zn离子注入到Si基片表面后形成了Zn纳米团簇,热氧化过程中Zn离子向表面扩散,在表面SiO2非晶层和Si基片多晶区的界面处形成纳米团簇.热氧化温度是影响ZnO纳米团簇结晶质量的一个重要参数.随着热氧化温度的升高,金属Zn的衍射峰强度逐渐变弱并消失,而ZnO的(101)衍射峰强度逐渐增强.当热氧化温度高于800 ℃以后,ZnO与SiO2之间开始发生化学反应形成Zn2SiO4.
关键词:
ZnO纳米团簇
离子注入
微观结构
形貌分析 相似文献