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51.
52.
偏硼酸锶系列发光材料的制备及其发光性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相共沉淀法制备了SrB2O4 4H2O和SrB2O4 4H2O∶Eu3+,利用高温焙烧前驱体法制备了SrB2O4和SrB2O4∶Eu3+发光材料,通过X射线粉晶衍射(XRD)、X射线能谱分析(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对产物进行了表征.通过荧光光谱研究了其发光性质,并考察了反应时间及Eu3+掺杂浓度对发光强度的影响.结果表明,基质SrB2O4 4H2O和SrB2O4在紫外区具有较强的发光性能,SrB2O4 4H2O∶Eu3+和SrB2O4∶Eu3+均在613 nm有最强发射峰.通过调整反应时间和提高掺杂量,可以克服结构水的猝灭作用的影响,大大提高SrB2O4 4H2O∶Eu3+发光性能,且具有更高的红橙比,是一种良好的新型发光基质. 相似文献
54.
氯柱硼镁石的合成及其在20℃水中的溶解相转化动力学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了合成氯柱硼镁石的快捷方法及该复盐在20℃水中的溶解和相转化过程.结果表明:该复盐在水中呈现不同步溶解,首先溶脱掉MgCl2·6H2O,生成中间产物MgO·B2O2·4H2O,随后发生转化,最终转化产物是2MgO·3B2O2·15H2O.拟合出了溶解转化结晶动力学方程,提出了溶解转化结晶反应机制. 相似文献
55.
利用Raman光谱对氯柱硼镁石在30 ℃时,4.5%的硼酸水溶液中溶解相转化过程进行了研究。研究结果表明相转化产物为库水硼镁石(2MgO·3B2O3·15H2O)。根据Raman光谱位移对溶液中各种聚硼酸根B(OH)-4,B2O(OH)2-6,B3O3(OH)-4等阴离子的Raman峰进行了归属以及它们间的相互作用分别进行了讨论分析。提出了溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其相互作用机理和我国青藏高原盐湖区库水硼镁石形成的地球化学成盐条件和机理。 相似文献
56.
我国青藏高原分布有众多盐湖,至今在盐湖沉积矿中已发现多种硼酸盐矿物,库水硼镁石(2MgO·3B2O3·15H2O)和多水硼镁石是其中的两种。但通常库水硼镁石难以形成。前文[1]报导氯柱硼镁石 硼酸 水体系30℃的相平衡,其中硼酸的质量分数为2 5~5%范围内,得到了库水硼镁石。为了探索库水硼镁石的形成过程以及温度对其形成的影响,本文研究了氯柱硼镁石在50℃4 5%硼酸水溶液中的溶解及相转化的动力学过程。旨在对盐湖演化过程中不同时期镁硼酸盐的形成以及成盐元素的地球化学进行理论解释和预测,探索镁硼酸盐在卤水中不同蒸发阶段的存在形式,… 相似文献
57.
58.
研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而水平方向的 相似文献
59.
研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80mA的注入电流下,器件的3dB光带宽大于85nm(1520~1609nm).该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525~1565nm)和L带(1570~1610nm).最为重要的是,在3dB光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0.7dB;光纤到光纤无损工作电流在70~90mA之间;消光比大于50dB.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景. 相似文献
60.
记录了硼砂饱和溶液的差示FTIR光谱和Raman光谱 ,分别对其FTIR吸收波数和Raman位移进行了归属。该溶液中硼的存在形式有H3 BO3 ,B(OH) -4,B3 O3 (OH) 2 -5,B4O5(OH) 2 -4等。提出了硼砂饱和溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其与析出Na2 B4O7·10H2 O固相的关系。 相似文献