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在分析了STL(StereoLithography)数据特点的基础上,针对STL数据冗余,不适合直接网上传输的特点.设计了网络传输文件T文件,减少了网络数据传输量。研究了STL数据到T文件的转换方法,并且采用Java3D技术开发了T数据的远程图形显示系统,实现了STL文件的远程快速浏览。从而为把快速原型制造与协同设计相结合提供了工具支持。 相似文献
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EFI及其安全性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了解决传统PCBIOS的局限性及其面临的问题,Intel公司提出了可扩展固件接口(EFI)的规范标准。作为下一代BIOS,EFI为启动操作系统前的程序提供了一个标准环境。文中详细介绍了EFI,指出EFI存在的一些安全问题,并分析相关的安全机制,指出了实现EFI安全必须考虑的因素。 相似文献
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Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer
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A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas (2DEG) mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm. 相似文献
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用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56',AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量. 相似文献
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