双电荷离子He~(2+)与Ne,Ar原子碰撞中的激发态

实验用光学多道分析系统(OMA)测量了He~(2+)和Ne,Ar碰撞过程中的发射光谱,结果表明,这些碰撞体系存在着三种激发过程:双电子俘获激发过程、单电子俘获激发过程和直接激发过程。给出了HeI,HeII,NeI,NeII和ArI,ArII谱线的发射截面,并对He~(2+)+Ne和He~(2+)+Ar两个碰撞体系的发射截面作了一些比较,发现在入射离子速度相同的情况下,后者的发射截面要比前者大得多,并对此进行了定性讨论。OMA的光谱波长范围为200—800nm。入射离子He~(2+)的能量范围为140—340keV。     

用离子束研究金属中氦的行为

本文介绍了应用离子束技术研究氦在金属中的行为,讨论了金属中氦的捕获、扩散、及氦与氢同位素的相互作用等基本特性。     

Ar^2＋离子和H2,O2分子碰撞过程中激发态的研究

在Ar~(2 )离子和H_2,O_2分子碰撞实验研究中,发现这两个碰撞体系都存在三个激发通道:(1)双电子俘获激发通道,(2)单电子俘获激发通道,(3)靶直接激发通道。实验结果得到了ArⅠ,ArⅡ和HⅠ,OⅠ的发射截面,并分别比较了Ar~(2 ) H_2,Ar~(2 ) O_2,He~(2 ) H_2,He~(2 ) O_2碰撞体系的发射截面。     

Si中注入Zn的辐射损伤

用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)及注入能量E的增加而单调地增加.这些参数之间的变化关系符合直接碰撞导致非晶化模型,即每一个注入离子由于级联碰撞使表面局部的小区域非晶化.随着剂量的增加,这些非晶态的小区相互重叠而形成一无定形层.     

自校正型CMOS数字温度传感器

介绍了一种CMOS数字温度传感器的设计方法,并针对因工艺偏差所导致一致性差、成品率低的问题提出一种新型自校正技术.利用自校正技术可以有效抑制温度传感器核心模块的基准电压随工艺波动而变化,改善芯片之间的一致性.文中设置不同的工艺角对基准电压源进行仿真,通过对比开启与关闭自校正模块状态下基准电压的最大偏差,验证了自校正技术的有效性.本设计采用CSMCB5212 0.5 μm CMOS工艺实现,提供SPI数字接口,输出10-bit温度值.实际测试结果表明该温度传感器在-35℃~105℃温度范围内温度精度±1℃,整体功耗小于0.6mW.     

Si中注Pb的红外瞬态退火

用背散射-沟道效应研究了Si中注Pb并进行红外瞬态退火的辐照损伤及杂质分布.注入能量为350KeV,剂量为1×10~(17)及5×10~(15)/cm~2.实验表明高杂质浓度区中的杂质沉淀和晶格应力能抑制晶体的外延生长.当外延生长停止后,表面形成多晶结构,杂质沿晶粒边界向表面扩散.     

一种低相位噪声的UHF频段小数分频频率综合器

提出并实现了一款采用相位噪声优化技术的特高频(UHF)频段小数分频频率综合器,其工作频率为0.8～1.6 GHz.采用死区消除技术减少了鉴频鉴相器和电荷泵的噪声对系统的影响.采用分布式变容管结构和二阶谐波滤除技术设计压控振荡器,使压控振荡器获得了更低的相位噪声.采用新型的陷波滤波技术设计△-∑调制器,进一步降低带内相位噪声和系统的杂散.采用TSMC 180 nm CMOS工艺进行了流片验证.测试结果表明该频率综合器在0.01,1和10 MHz频偏处的最大相位噪声分别为-95,-127和-146 dBc/Hz,杂散抑制低于-81 dBc,而频率综合器芯片的功耗仅为20 mW,芯片面积为2.5 mm×1.1 mm.     

大面积离子源的研制

本文报道的大面积离子源是为Ｔｏｋａｍａｋ装置中性加热注入用,主要是为了提高等离子体的离子温度Ｔ１值．目前源的指标如下：离子源发射电极的面积为７ｃｍ×７ｃｍ,在引出能量为２０ｋｅＶ下,引出电流Ｉａｘｔ为１５Ａ,引出束流的脉冲宽度为２０ｍｓ,见图１．根据这些参数引出的功率达到了３００ｋｗ．离子光学系统的透明度为６０％,所以引出束流密度ｉ４为５００ｍＡ／ｃｍ２离子光学系统采用了三电极系统,这个系统?...     

光纤CATV的设计及实施

光纤ＣＡＴＶ的设计及实施□刘家瑞刘丰收（河南省沁阳广播电视局４５４５５０）光纤具有传输损耗小、中继距离远、工作频带宽、抗电磁干扰能力强、传输稳定可靠、使用寿命长等优点。近几年有线广播电视的迅猛发展，由城市已普及到广大农村，解决有线广播电视主干线远距离...     

束箔激发的Li、B原子的非各向同性研究

我们在900KeV的能量下对束箔激发的LiⅡ3d~3D-4f~3F(4672(?))、LiⅢ4f~2F-5g~2G(4499(?))和BⅢ4d~2D-5f~2F°(4487(?))(可能还混有BⅢ4f~2F-5g~2G跃迁)这几条跃迁强线的圆偏振分量随箔倾角的变化进行了测量。结果清楚地说明了箔的宏观对称性在微观领域同样起着十分重要的作用,并且与公认的Band模型符合得很好。测量结果还显示出了对跃迁上能级角动量的明显的依赖性。