InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In_0.25Ga_0.75As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道 关键词：     

H_1~ ,H_2~ ,H_3~ 和He,Ne,Ar碰撞过程中的巴耳末系H_α,H_β,H_γ发射

实验利用TN-1710光学多道分析系统(OMA),对H_1~ ,H_2~ ,H_3~ 和He,Ne,Ar碰撞过程中产生的巴耳末系H_α,H_β,H_γ发射进行了测量,入射离子H_1~ ,H_2~ ,H_3~ 的实验室能量范围为50—150keV。本文给出H_α,H_β,H_γ谱线的发射截面。实验结果表明:在H_3~ 离子和He,Ne,Ar原子碰撞过程中,H_α的发射截面分别比H_2~ ,H_1~ 离子和He,Ne,Ar原子碰撞过程的大,也就是说,电子俘获几率,前者比后者大,而H_1~ 离子和He,Ne,Ar原子碰撞过程的最小。     

串列加速器装置的功能扩展

通过在2×1.7MV串列加速器前端设计并安装静电扫描装置和靶室,扩展了其0~30keV低能注入和沉积功能.利用低能离子注入的方法分别在Ni/SiO2和铜箔衬底上得到石墨烯薄膜,并运用Raman光谱和扫描电子显微镜研究了样品的形貌、薄膜层数及缺陷等性质.实验结果表明,在铜箔衬底上得到双层石墨烯薄膜.通过调试高能端和200keV注入机联机实验,在双束靶室中得到He,Li,C,N,Fe离子束,用于双束注入和辐照损伤等研究.     

Ne~+离子和He原子碰撞过程中激发态的研究

在Ne~+和He碰撞过程的研究中,测量了NeⅠ、NeⅡ以及HeⅠ主量子数3～4的单态和三重态的发射截面。实验证明:此碰撞体系存在着两种激发过程,一种是电子俘获激发过程,另一种是直接激发过程,即电子组态重新排列激发过程。入射离子Ne~+的实验室能量范围为70～150KeV°     

Ar~ ,Ar~(2 ) Li,Na碰撞过程中的靶激发

本文对Ar~ ,Ar~(2 ) Li,Na碰撞过程中的靶激发过程进行了实验研究。通过光学多道分析系统对这些碰撞体系所发光谱进行了绝对测量。在能量范围q×(15—150)keV内给出了相应谱线的发射截面积Li(2p),Na(3p)激发截面。     

H~ ,H_2~ ,H_3~ 与靶原子He,Ne,Ar碰撞中靶激发的实验研究

在H~ ,H_2~ ,H_3~ 与靶原子He,Ne,Ar碰撞过程中,我们观察到大量靶激发的信息,入射离子实验室能量为50-150keV.实验利用TN-1710光学多道分析系统(OMA)测得HeⅠ,NeⅠ,NeⅡ,ArⅠ,ArⅡ的发射光谱线,本文给出了这些谱线的发射截面.实验结果表明:上述碰撞体系中存在着两种靶激发过程,HeⅠ三重态,NeⅠ,ArⅠ谱线的发射截面在H_a~ He,Ne,Ar碰撞体系中最大,在H~ He,Ne,Ar碰撞体系中最小.     

用飞行时间法研究Si溅射离子簇质谱的结构效应

通过对200kV离子注入机的改造,设计出一台飞行时间(TOF)谱仪,在提高脉冲束时间分辨方面,做了很大努力。测量了单晶、多晶及非晶硅的正、负离子簇飞行谱(质量谱)。比较这三种不同结构Si样品的谱数据,发现溅射离子簇质谱分布与靶物质结构密切相关,这为理论上研究Si离子簇的溅射形成机制提供了实验依据。 关键词：     

H_1,_H_2_,H_3_和He,Ne,Ar碰撞过程中的巴耳末系H_H_H_发射

关键词：     

快离子束激光光谱技术

本文阐述了快离子束激光光谱技术的发展及其特点,简要介绍了分子离子光碎片光谱、高分辨光谱和时间分辨光谱。     

离子注入及退火对GaAs/Si晶体完整性影响的研究

本文用4.2MeV ~7Li离子卢瑟福背散射沟道技术研究了Si上外延GaAs膜在MeV Si离子注入及红外瞬态退火后的再生长过程。实验表明,离子注入可使GaAs外延膜内形成一无序网络,当注入剂量低于某一阈值时,850℃,15秒退火后,损伤区可完全再结晶,再结晶后的GaAs层的晶体质量特别在界面区有很大的改善;当剂量超过该阈值时,出现部分再结晶。激光Raman实验也表明,经过处理后的GaAs层Raman谱TO/LO声子的比率比原生长的样品有很大的降低。