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31.
He+离子和Ne原子碰撞过程中激发态的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在He+离子和Ne原子碰撞过程中,我们发现两种碰撞激发过程,一种是电子俘获激发过程,另一种是直接激发过程。本实验用光学多道分析系统(OMA)对这些过程进行了光学测量,给出了发射截面数据。入射离子实验室能量范围为70—150keV。 关键词:  相似文献   
32.
本文在q×(20—150)keV的能量范围内,通过光学测量,对He+和He2+离子与碱余属原子Li碰撞过程中的靶激发过程进行了研究。由光学多道分析系统(OMA),测得LiI 670.8nm(2p→2s),LiI610.4nm(3d→2p),LiI460.3nm(4d→2p)和LiI812.6nm(3s→2p)谱线。给出所观察到的谱线的发射截面和相立的Li(2p)激发截面。对He+与Li碰撞过程,LiI670.8nm谱线发射截面与Aumayr 关键词:  相似文献   
33.
对Ar2+与Li,Na碰撞过程中由于单电子俘获而产生的ArII谱线进行了绝对测量,给出各谱线的发射截面数据。入射离子能量为40—300keV。从发射截面对势能亏损的依赖关系,发现对应中等△E(>0)值的过程具有较大的截面。并且还发现与观察到的光谱线相应的激发态属于一个电子组态中高J量子数的态。 关键词:  相似文献   
34.
分析中国广电5G发展初期有利因素和不利因素,提出夯基策略、燎原策略、补短策略、差异化策略等商业化运营策略,以移动优先、固移融合、公集融合、特色运营三融合等为战略,打造特色广电5G内容和服务、差异化应用。实现集约化运行和管理。  相似文献   
35.
本文通过观测Ne+离子与Li原子碰撞中的发射谱,对碰撞中的电子俘获和靶激发过程进行了研究。在可见光范围给出了所观察到的各条谱线的发射截面及相应上能级的激发截面。对电子俘获过程与能量亏损和靶原了电离势的关系进行了讨论。Ne+离子能量范围为20—150keV 关键词:  相似文献   
36.
利用MeV能量的准直质子束,在不同的质子能量下,测定了α-LiIO3单晶<001>向的轴沟道参数角度半宽度ψ1/2和产额极小值χmin。在向静电场作用卞,首次观察到入射质子与表面处的Ⅰ原子沟道-背散射产额随电场作用时间而增加,并定量计算了表面无序Ⅰ原子数随静电场作用时间的关系。另外,入射质子与 7Li原子沟道-核反应[7Li(p,α)4He]产生的α粒子产额也随电场作用时间而增加。 关键词:  相似文献   
37.
对高T_c YBa_2Cu_3O_x及名义组成为YBa_2Ag_3O_x和YBa_2Cu_(1.5)Ag_(1.5)O_x体系进行了H_2~+束流光谱的比较研究,证实YBa_2Cu_3O_x的束流光谱主要是Cu离子的贡献。通过对谱带的指认,讨论了Cu离子可能存在的价态。  相似文献   
38.
用AES,X-射线衍射和RBS等方法分析研究了热反应与离子束混合La,Ce及Nd稀土金属膜和硅反应生成硅化物的物理过程。实验表明:不同的生成条件如热反应温度或离子束混合的剂量能生成富金属硅化物,单硅化物和二硅化物,但最终稳定相都是二硅化物LaSi_2,CeSi_2和NdSi_2。氧的沾污不但影响生成的硅化物相和质量,甚至阻止硅化物的生成。镀膜时的衬底温度和防止氧化的保护层对硅化物薄膜的质量,平整度,均匀性等都有明显的影响。  相似文献   
39.
本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.  相似文献   
40.
F离子弹性反冲法分析固体中H的深度分布   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
本文报道7—8MeVl4+离子弹性反冲法(ERD)分析固体中H的深度分布。实验和理论分析表明,近表面处的深度分辨率为200—300?。探讨了散射几何条件和入射能量等的最佳化问题。比较了同一样品用F离子ERD法与6.4MeV1H(19F,αγ)16O核反应法(NRA)的测试结果。表明F离子ERD法是快速(5—10min)、低辐照(5—10μC)、深度分辨和灵敏度较好的分析固体中H的深度分布的一种方法。 关键词:  相似文献   
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