激光二极管线列阵与多模光纤列阵的光纤耦合

利用一段数值孔径(NA)较小的多模光纤作为一个低成本的微透镜,对激光二极管线列阵的大数值孔径方向准直,将激光二极管线列阵的输出光束耦合到多模光纤列阵中.激光二极管线列阵每个发光单元的光分别耦合到光纤列阵的单根光纤中.总的耦合效率和输出光功率分别为75%和15W.     

Ag纳米颗粒对Er3+/Tm3+/Yb3+共掺铋锗酸盐玻璃上转换发光特性的影响

采用传统熔融淬冷法制备了系列Er³⁺/Tm 3+/Yb³⁺共掺复合Ag纳米颗粒的铋锗酸盐玻璃样品。从吸收光谱中 确定了Ag纳米颗粒表面等离子体共振(SPR)峰位于545nm附近;透射 电镜(TEM)图像中观察到均匀分布的Ag纳米颗粒,尺寸 约为6～18nm。研究了纳米Ag含量对Er3＋/Tm3＋ 共掺复合Ag纳米颗粒铋锗酸盐玻璃上转换发光特性的影响,结果表 明,Tm³⁺离子472nm处的上转换蓝光、Er³⁺离子525nm处的上转换绿光、543nm处的上转换 绿光和661nm处的上转换红光发光强度在AgCl含量的质量百分数为 1%时达到最大值,与未掺杂AgCl的基质玻璃相比,分别提高了约3.2、3.8、5.4倍。     

基于稀疏采样与级联字典的微波辐射图像重构方法*

针对微波辐射测量成像系统在一次观测中所采集的数据量大,基于奈奎斯特采样的常规,微波辐射成像方法难以实现高分辨率要求。本文在挖掘微波辐射图像多结构信息可压缩的基础上,利用随机观测矩阵对微波辐射图像进行线性压缩投影,减少数据采集量,降低系统的复杂性。考虑微波辐射图像具有多结构形式,采用单一的正交基难以稀疏表示复杂场景的微波辐射图像,利用全变差分和小波的级联字典对微波辐射图像进行稀疏表示,然后用OMP 算法重构微波辐射图像。仿真实验结果表明:级联字典重构微波辐射图像的性能优于单一正交基。     

半导体列阵激光器波长复合设计及实验研究

利用半导体材料波长易调节的特点,设计了AlGaInAs/GaAs/AlGaAs压应变量子阱结构,得到760、800、860、930和976nm 5个波长激射的半导体列阵激光器,同时设计了4个短波通滤波片参数,开展了半导体列阵激光器的多波长光束复合技术的实验研究,最终实现了5个波长的半导体列阵激光器的光束复合,得到112W的激光功率输出,总体效率为88.5%,其中波长复合效率达92.4%,输出聚焦光斑尺寸为136μm×1 330μm,聚焦光功率密度达6.43×104 W/cm2。     

IT管理的三种实践方法

根据电信运营商IT服务实践,对IT管理的三种方法 ITIL、BiSL、ASL及其关联进行思考,从组织需求角度对日常IT服务提供指导。在IT服务中需明确需求方和提供方的差别,使IT服务与用户在功能和绩效需求方面保持一致,从而更好地为组织提供IT服务。     

EPON中的接入控制技术

接入控制技术是PON(无源光网络)中的关键技术之一，直接关系到PON系统性能的好坏，EPON是一种刚刚兴起而又具有很好发展前景的接入网技术。本文对EPON中现有的几种接入控制方式进行了介绍和讨论，并对他们的性能进行了比较。     

大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导量子阱激光二极管

设计与制作了大功率808nm AlGaAs/GaAs宽波导激光二极管.器件的Al0.35Ga0.65As波导厚度提高到0.9μm,宽波导会引起高阶模的激射.为了抑制高阶模,Al0.55Ga0.45As限制层厚度降低到0.7μm,同时确保基横模的辐射损耗在0.2cm-1以下.采用MOCVD进行材料生长,得到了高性能的器件,100μm条形激光二极管的最大输出达10.2W.     

缝隙八木纳米天线设计及宽波段吸收特性

针对传统光伏电池能量收集易受环境与光照时间限制的问题,本文设计了一种用于太阳能收集的缝隙八木纳米天线单元及阵列.采用时域有限差分法分析缝隙间距对纳米天线远场方向性和近场分布的影响,并研究缝隙八木纳米天线阵列的吸收特性及不同缝隙间距对阵列天线吸收率的影响.研究远场方向性发现,当缝隙间距增加到一定距离时,天线方向图出现多个副瓣并产生新的辐射模式;通过对近场分析表明,新辐射模式的产生来源于高阶模式的局域表面等离激元.天线阵列吸收率的仿真结果表明:在400~1 500nm波段,随着缝隙间距的增加,缝隙八木纳米天线阵列吸收率呈上升趋势,当缝隙间距等于80nm时,在400~660nm、760~1 300nm两个波段内吸收率较高,吸收峰值最大可以达到98%;以吸收率大于50%为基准,当缝隙间距等于80nm时,其吸收波段最宽.     

改善光谱特性的980nm 宽面刻槽FP腔半导体激光器

设计并制备了一种新型宽面刻槽结构的FP谐振腔半导体激光器。运用一种新型的半解析的设计方法,我们通过向常规的980nm宽面FP谐振腔中刻蚀少量的槽来引入有效折射率微扰,以期实现器件光谱特性的显著改善。低密度的刻槽结构通过常规光刻和干法刻蚀工艺来实现,实验结果发现：器件典型的半高谱宽小于0.4nm,同时在10℃-60 ℃的测试温度范围内,该器件的波长随温度漂移也由0.26 nm/℃ 降低为0.07 nm/℃。以上实验结果表明:宽面FP腔中的刻槽结构能够明显改善器件的光谱特性.     

定位技术在物联网领域的应用发展分析

首先梳理定位技术的发展,总结并对比分析各类定位技术的原理和特点,然后阐述定位技术在智能交通、物流、医疗等物联网行业领域的应用现状,最后,基于市场发展预测定位技术在物联网中的应用发展前景,并从技术演进角度分析定位技术在物联网环境下发展所面临的挑战。