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现有的多尺度多阶段图像去模糊方法存在多尺度图像特征提取利用不充分和阶段加深导致特征信息丢失的问题。针对上述问题,提出了一种基于增强多尺度特征网络的图像去模糊方法。首先,提出一个多尺度残差特征提取模块,在两个分支中使用不同大小的卷积核扩大感受野,充分提取不同分辨率大小图像的特征信息。其次,提出跨阶段注意力模块,过滤和传递图像的关键特征。最后,设计类似于跳跃连接的跨阶段特征融合模块,弥补特征损失,同时融合来自不同大小输入图像的特征信息,丰富空间特征信息,以更好地处理纹理细节。在GoPro和HIDE数据集上的实验结果表明,所提方法能够很好地重建图像。 相似文献
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针对行人再识别中由于外观差异不显著导致特征描述不准确的问题,该文提出一种基于双向参考集矩阵度量学习(BRM2L)的行人再识别算法。首先通过互近邻算法获得每个摄像头下的互近邻参考集,为保证参考集的鲁棒性,联合考虑各摄像头下的互近邻参考集获得双向参考集。通过双向参考集挖掘出困难样本进行特征描述,从而得到准确的外观差异描述。最后利用该特征描述进行更有效的矩阵度量学习。在多个公开数据集上的实验结果证明了该算法比现有算法具有更好的行人再识别性能。
相似文献107.
21世纪初光学零件加工技术的发展趋势 总被引:2,自引:0,他引:2
从研磨抛光技术、金刚石车削技术、精密模压技术和超光滑表面加工等方面回顾了20世纪光学加工技术的重要进展。接着列举了21世纪初光电仪器及器件所具的主要特征,并结合我国的情况,指出了21世纪初光学零件加工的六个发展趋势。 相似文献
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An improvement to computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFET 下载免费PDF全文
As a connection between the process and the circuit design, the device model is greatly desired for emerging devices, such as the double-gate MOSFET. Time efficiency is one of the most important requirements for device modeling. In this paper, an improvement to the computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFETs is extended, and different calculation methods are compared and discussed. The results show that the calculation speed of the improved model is substantially enhanced. A two-dimensional device simulation is performed to verify the improved model. Furthermore, the model is implemented into the HSPICE circuit simulator in Verilog-A for practical application. 相似文献
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