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<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然 相似文献
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本文首先分析了冲激引信的工作原理以及引流的设计思想,并重点对其抗干扰特性和实现方案进行了详细的介绍;最后给出了冲激引信抗干扰特性实现的三项关键技术,脉冲重复频率随机捷变技术及窄脉冲产生技术,取样积分器的实现。 相似文献
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一、前言 1.目的本报告研究一种带驱动器的具有下列性能的实用宽频带集成电路K_a波段SPDT(单刀双掷)开关:设计指标力争指标频率26 .6一40GHz 功率容量2瓦连续波插入损耗2.6dB(最大)2.OdB 电压驻波比1.7(最大) 隔离度3OdB(最小)40dB 相似文献
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设计非球面光学系统,尤其是含有多个非球面光学表面的光学系统,合理的初始结构可以有效地减少设计工作量,提高后续的优化效率,本文提出利用同时多表面(simultaneous multiple surfaces,SMS)设计原理构建初始结构的方法,并且分析了其在成像光学系统设计中的像差特性,根据分析提出了利用SMS方法开展非球面光学系统初始结构设计的流程。最后使用该方法获得一款激光雷达接收装置的光学系统初始结构,经过进一步优化后,得到了工作中心波长850 nm,系统焦距20 mm,相对孔径为1/1.6,视场角为40°,总长小于30 mm的设计结果,验证了该方法在确定非球面光学系统初始结构方面的可行性。 相似文献
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IR2233是IR公司生产的一种高压高边功率MOSFET和IGBT驱动器。该器件内部集成了互相独立的三组丰桥电路,并具有多种保护电路。文中简要介绍了IR2233的电气性能、工作原理,给出了IR2233的典型应用电路。 相似文献
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机型:飞利浦16C927彩电现象:关机后,屏幕中心出现彩色光团,1Os后自动消失。检修:此现象属关机消亮点电路故障所致。该机是一种截止式消亮点电路,在关机时行输出变压器第④脚输出负脉冲电压,通过C、R加至显像管栅极,使其 相似文献
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一台SILVER(银声)收录机,出现无声故障。检查电源、开关等相关的电路及元件未发现异常,碰触功放电路DBL1034第⑤、⑧脚(信号输入端).喇叭无感应声.故判为该IC损坏。因市场上 相似文献
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掺杂KNSBN晶体中的电子—空穴竞争 总被引:1,自引:1,他引:0
通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性,首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子-空穴竞争,根据耦合波理论,指出,响应时间越快的晶体,电子-空穴竞争越激烈,因而导致净调制折射率越小,衍射效率赵低,最后,分析了空穴产生的原因,并估算有效载流子浓度为10^15/cm^3量级。 相似文献
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