钯催化下三正丁基杂环基锡和酰氯及取代芳烃偶联反应的研究

本文研究了在Pd(PPh3)2Cl2(1)催化下的三正丁基-2-呋喃基锡(6a), 三正丁基-2-噻吩基锡(6a), 三正丁基-2-(N-甲基)吡咯基锡(6c)和菊酰氯(5), 肉桂酰氯(7)的交联反应。发现除了三正丁基-2-(N-甲基)吡咯与5的不寻常反应得到2, 5-二取代的吡咯衍生物外, 其余反应皆以70～87%的产率得到交叉偶联产物。本文同时还报道了钯催化下有机锡试剂与取代卤代芳烃反应, 高收率地得到了不对称的杂环基芳烃和双杂环化合物。在合成的交联产物中, 化合物2, 8, 9, 15, 16与17均为新化合物。     

色谱法从页岩油分离非烃

抚顺页岩油除烃类外,含有相当量的非烃化合物,其中氮化合物含量最多.应用硅胶吸附剂的色谱分离可以分开无色至黄色的、以烃为主的部分和黑棕色的非烃化合物部分,粗孔硅胶作为吸附剂得到了良好的结果.冲洗剂用脱苯石油醚和洒精;用甲醛-芳烃反应以及欧氏试剂反应作为无氮烃浓缩部分和极性氮化合物部分的分离标志.试验证明抚顺页岩油中烃含量随着馏分变重而减少;抚顺页岩粗油中烃浓缩部分占59.4%,桦甸页岩粗油中烃浓缩部分占72.6%.     

N-(4’-芳环取代嘧啶基-2’-基)-2-乙氧羰基苯磺酰脲衍生物的合成及抑菌活性

设计合成了14个4位芳环取代的嘧啶磺酰脲衍生物,其结构均通过1H NMR和高分辨质谱表征确定,并进行了体外抑菌活性测试.初步测试结果表明,在浓度为50 mg/L时,大部分目标化合物对黄瓜灰霉病、油菜菌核病和水稻纹枯病表现出一定的抑菌效果,其中化合物7g,7h和7i表现出较高的抑菌活性;但大部分目标化合物对黄瓜枯萎病、黄瓜褐斑病及苹果轮纹病的抑菌活性与对照药百菌清尚有差距.     

新型含三唑啉酮的磺酰脲类化合物的合成、晶体结构及除草活性研究

为了进一步寻找高效的磺酰脲类除草剂,以商品化磺酰脲类除草剂为基础,将三唑啉酮杂环引入到分子中,合成了23个未见文献报道的新型磺酰脲化合物,通过1H NMR、高分辨质谱以及X射线单晶衍射确定了其结构.经盆栽法和平皿法测试了所有化合物的除草活性以及部分化合物对油菜的IC50值.结果表明,化合物5h具有优秀的除草活性,其对油菜的IC50值与对照药醚苯磺隆和醚磺隆相近,在3.75 g/ha浓度下对单子叶杂草稗草具有优异的盆栽抑制活性.     

两个耦合二能级原子与单模热场作用系统中的量子和经典关联

运用量子纠缠、量子关联与经典关联的概念及全量子理论方法,在一定条件下,研究了两个耦合二能级原子与热场相互作用系统中量子纠缠、量子失协、几何量子失协和经典关联的演化特性.分析和讨论了初始时刻两原子处于分离态时,原子与热辐射场耦合强度、热场平均光子数对系统中两原子间量子纠缠、量子关联和经典关联演化特性的影响.结果表明:在原...     

基于参考信号的无源互调故障定位技术

研究了一种基于参考信号的无源互调故障定位技术.该技术比传统无源互调测量技术多了一个参考信道,提供参考信号,解调互调信号相位响应,同时引入校准技术,在测量端口构建参考平面,通过频时转换得到相对于参考平面的时域响应,有效地进行故障排查.在此基础上,仿真故障定位实验验证了理论的正确性,设计并制造相位参考板,测试结果与实际值比较表明：电缆上两个故障位置实际值与测量值之差的绝对值均≤1m,实际相对误差分别约为5.1%、2.4%,证明了这种方法的正确性和可行性.该技术将克服传统故障定位的不足,更适应于恶劣的地域环境.     

添加Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉的微波烧结

采纳合理的保温结构，利用TE103单模腔微波烧结系统对添加6wt％Y2O3的自蔓延高温合成β-Sialon粉末的微波烧结行为、烧结样品的微观结构和力学性能进行了研究，SEM和TEM、HREM观察表明，烧结样品晶粒细小，微观结构均匀，力学性能测试表明在1600℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为470MPa，断裂韧性为5．0MPa·m－2，洛氏硬度为89．5；在1650℃保温5min时烧结样品具有抗弯强度为630MPa，断裂韧性为5．8MPa·m-2，洛氏硬度为91．6．     

小型化三耦合线Marchand巴伦的等效模型分析与验证

为了实现三耦合线Marchand巴伦的快速设计,缩小巴伦的尺寸,提出了一种简化的三耦合线Marchand 巴伦等效模型及小型化设计方法。该等效模型将复杂的三耦合线的S参数散射矩阵的计算问题简化为对两个并联的平行耦合线的S参数散射矩阵的计算。为了验证该模型和设计方法的有效性,采用0.1 μm 砷化镓pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺制作了一款75~110 GHz的单平衡混频芯片,最终应用于单平衡混频器的巴伦耦合线长度被缩减为中心频率1/4波长的44%。良好的混频器性能和紧凑的芯片面积证明了所提三耦合线巴伦的等效模型和设计方法能够为单片集成微波电路芯片的设计提供指导作用。     

NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀