ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质

采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的ZnO纳米晶,并对其结构与发光性质进行了研究,结果表明掺铽的ZnO纳米晶为六方纤锌矿结构,纳米颗粒表面有醋酸根络合物使颗粒之间互相分散,ZnO纳米基质与发光中心之间存在能量传递,引起稀土铽的特征发光．     

在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异

运用金属有机气相外延设备,在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处．     

薄膜和量子点的外延生长(英文)

首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质。在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作者对一个量子点自组装生长形成所需要的时间作了一个估算,说明这是一个非常快的过程(<10-4s)。最后,作者提出了一个理解量子点自组装生长过程机制的模型。     

全息曝光形成连续工作的波长8.5微米分布反馈量子级联激光器

我们制作完成了波长8.5 µm附近的分布反馈量子级联激光器。使用全息曝光的方法完成了一级光栅的制备。通过在后腔面镀高反膜使器件能够完成从93K到210K连续工作并获得稳定的动态单模发射,边模抑制比20dB,调谐系数-0.277cm-1/K。80K时的输出功率超过100mW。     

Porous waveguide facilitated low divergence quantum cascade laser

A quantum cascade laser with a porous waveguide structure emitting at 4.5μm is reported.A branchlike porous structure filled with metal material was fabricated on both sides of the laser ridge by an electrochemical etching process.In contrast to the common ridge waveguide laser,devices with a porous structure give rather better beam quality.Utilizing this porous structure as a high-order mode absorber,the device exhibited fundamental transverse mode emission with a nearly diffraction limited far-field beam divergence angle of 4.9°.     

7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47－xAs/In0.52－yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K．在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW．     

量子级联红外探测器

半导体基中远红外探测器在成像、传感、国家安全以及国防领域具有广泛的应用背景.目前,在这个领域最主流的技术之一是量子阱红外探测器( QWIPs).传统的量子阱红外探测器往往存在较大的暗电流和较低的工作温度等限制.量子级联探测器( QCDs)是一种新型的光伏型量子阱红外探测器.其工作原理基于电子吸收光子后在量子阱的子带间跃...     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。     

双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.     

LPE GaxIn1-xAs1-ySby/InP和GaxIn1-xAs1-ySby/InAs的生长及其估价

将电负性差法估算的Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InP和Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InAs的固相和液相组份数据应用于液相外延生长,均获得了晶格匹配的材料,并首次获得了波长λ>3.5μm的Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InAs异质外延材料。Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y/InP的固体组份为...