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101.
为了解决熔覆层表面气孔识别技术中耗时且准确度不足的问题,文章利用深度学习技术中的语义分割网络提出了基于U-net神经网络识别熔覆层表面气孔的2BNC-Unet神经网络。通过引入Batch Normalization层以及串联注意力机制(CBAM)合理部署在神经网络中,选取交并比(IoU)与Dice系数作为网络的评价指标。研究结果表明:在测试集中,2BNC-Unet网络的交并比与Dice系数分别为86.96%、86.42%,相比U-net神经网络分别提高了7.65%、4.73%。同时为了验证该网络的性能,选用SegNet、2BNC-Unet与U-net神经网络进行对比实验,结果表明2BNC-Unet的分割效果不仅优于SegNet和U-net网络,而且熔覆层表面的气孔细节能够被完整地分割。在深度学习技术中2BNC-Unet的分割速度和准确度都有了显著地提高,气孔的分割为熔覆层的性能分析提供了帮助。 相似文献
102.
采用放射源241Am59.6keVγ射线分别激发金属Cr、Cr2O3和K2CrO4,用Si(Li)谱仪比较测量其Kx射线的能量。实验表明K2CrO4中CrKβ能峰相对于金属Cr有2.12±0.27eV的位移。 相似文献
103.
104.
上海交通大学的超快电子衍射(UED)装置由一台电子直线加速器作为驱动,电子枪为一台光阴极微波电子枪。加速器在运行中电子枪会偶尔打火,腔体失谐,造成束流损失,束流能量产生变化,束流需要很长时间才能恢复到初始状态,影响了用户的使用。为此,对低电平控制器(LLRF)的幅度相位控制环路进行了改进,增加了能量反馈,代替了幅度反馈,通过对束流的中心位置进行实时的反馈以控制低电平控制器输出信号的幅度,保证了电子束流的能量稳定和电子枪加速场强的稳定。长时间的稳定性测试表明,电子枪在打火产生时,束流能量可以很快恢复,能量抖动由4.293 3×10−4(RMS)提高到2.855 7×10−4(RMS),实现了束流能量的长期稳定。 相似文献
105.
调QNd:YAG脉冲激光(波长1.06μm,脉冲宽度10ns,能量42mj/pulse)烧蚀平面Al靶,在垂直靶面方向,利用光学多道分析系统(OMA),测量了激光诱导产生的等离子体发射光谱分别在环境气体为Air,N2和Ar,气压范围分别在10-2Torr,152Torr,304Torr,532Torr和760Torr下的空间分布。实验表明,随着环境气体压强的增大,光谱的空间分布被压缩,且谱线强度的峰值向靶面方向移动;在相同的气压下,Ar环境下产生的光谱强度明显大于在Air和N2环境下产生的光谱强度;在气压为152Torr的不同环境气体下,均发现光谱在离靶面很近的地方(约0.5mm~1.0mm)减小,甚至消失;在Ar环境气体下,谱线396.1nmAlⅠ的空间分布随着与靶面距离的增大,谱线位置向短波方向有约0.03nm(对应OMA探头的一个二极管阵列)的移动,而谱线394.4nmAlⅠ的移动不太明显。 相似文献
106.
107.
应用傅里叶变换近红外(FT-NIR)光谱分析技术结合相似度匹配的定性分析方法,以来自云烟(软珍品)、云烟(紫)和云烟(红)3个牌号表香样品各20批的近红外透射光谱数据为基础,利用TQ统计软件分别建立以上牌号表香的相似度匹配鉴别模型,并对建模参数和模型的预测效果进行了评价。结果表明,云烟(软珍品)、云烟(紫)和云烟(红)3个牌号的表香模型对模型样品预测的相似度匹配值(SMV)均在95以上,而对非模型样品预测的SMV均非常低,说明若表香品质发生变化,就可以通过近红外光谱分析技术结合相似的匹配分析很好反映出来。因此,应用FT-NIR光谱分析技术可以对卷烟表香进行快速、无损和大批量检测,为卷烟表香的质量控制提供了新的思路和方法。 相似文献
108.
本文针对Internet的传统模式(End-to-End)的缺点,介绍了一种新近提出的 End-Edge-End模式。在此模式的基础上,引入了一种新的Internet平台——智能服务平台,并且详细介绍了该服务平台的框架结构。 相似文献
109.
本文首先从理论层面分析研判出丢包是影响长期演进语音承载(Voice over Long-Term Evolution,VoLTE)语音感知的关键因素;进而从丢包问题切入,采用关联分析法、仿真实验及现场验证等手段,定位无线网发生VoLTE丢包的根本原因并以重叠覆盖理论、仿真研究寻找最优网络结构模型和降低上下行干扰为突破口,找出了多项解决策略,最终形成了一套治标更治本的、体系化的VoLTE感知无线网络优化方法,真正解决了VoLTE无线网络质量和用户感知提升的瓶颈问题,可在业界快速推广应用。 相似文献
110.
We have proposed the Hamiltonian of the single or double polaron bound to a helium-type donor impurity in semiconductor quantum wells (QWs) in the case of positively charged donor center and neutral donor center. The couplings of an electron with various phonon modes are considered; in particular, the interaction of the impurity with the various phonon modes is included. We have calculated the binding energy of a bound polaron in Al(xl)Ga1-(xl)As/GaAs/Al(xr)Ga1-(xr) As symmetric and asymmetric QWs. The results are obtained as a function of barrier height (or equivalently of Al concent ration x), well width, and the position of impurity in the QWs. Our numerical calculations show clearly that for a thin well the cumulative effects of the electron-phonon coupling and the impurity-phonon coupling can contribute appreciably to the donor binding energy. The enhancement of polaronic effect is also found in the case of ionized donor. 相似文献