氮化铝薄膜的制作及其应用

详细叙述了用ＥＣＲ等离子体ＣＶＤ技术生长单晶和多晶不同组织结构的氮化铝薄膜的制法及其性能分析，并介绍了此类薄膜在ＧＨｚ频带声表面波器件中的应用。     

声表面波技术继续以优势占领1985年IEEE超声年会讲坛

1985年IEEE超声年会于10月16—18日在美国旧金山市举行,会议分成40个专题技术小组进行分组讨论,其中有15个小组专门讨沦SAW技术。这次会议共收到论文254篇,其中论述声表面波(SAW)和有关微波技术的论文约60篇,其内容包括SAW、声体波振荡器和谐振器、频率提高到千兆赫级的体波器件,以及新的SAW材料。10篇特约报告论述了SAW技术应用的发展前景并与其他高级技术,特别是与光信号处理技术的对比。 为数较多的专题论文论述了SAW谐振器、振荡揣和滤波揣及它们在近几年内的进展。休利特-帕卡德公司微波技术部的研究人员,论述了改用薄膜结构通过热处理降低SAW谐振器SSB相位噪声和提高工作频率有关的实验结果。该技术部的其     

新型致动器及其应用的开发

本文叙述几种新型致动器的制作及其性能分析，并介绍了这些器件在光学技术和工厂自动化技术中的应用。     

透明铁电陶瓷及其应用

在光通信和光集成电路方面,越来越迫切需要能调制、存贮和显示光信息的电控元件。这些功能元件可采用透明铁电陶瓷材料的电光效应来实现。本文评述了这些材料的制作,主要性能和各种电光效应。并介绍了它们在光开关、光学复印机、彩色电视摄象机用寻象器、反射显示器和光铁电图象存贮器方面的应用。     

红外探测用PbTiO_3铁电薄膜门场效应晶体管

制成了PbTiO_3铁电薄膜门FET,它是作为在室温下工作和在宽的频谱范围内具有红外灵敏度的红外探测器之用。在铂箔上用RF溅射法沉积PbTiO_3膜的介电常数为200,最大剩余极化为27微库/厘米~2。沉积在涂铂云母上的膜获得了电压响应率R和探测率D分别为330伏/瓦和1.5×10~8厘米赫~(1/2)/瓦(20赫、1赫)的热电响应。测量是从白炽灯光源通过Ge滤光器的红外光辐照下进行的。为控制电流沟道上的表面势,在SiMOSFET门上沉积了PbTiO_3薄膜。FET也具有R_v和D分别为390伏/瓦和3.5×10~5厘米赫~(1/2)/瓦的热电灵敏度。在CO_2激光器脉冲辐照下通过测量输出获得了上升时间为～3.5微米的快速响应。     

ZnO单晶薄膜高频声光布喇格偏转器

本文叙述用ZnO膜制作声光布喇格偏转器。单晶ZnO膜是用RF磁控溅射法生长在兰宝石基片上,测得了对波长为0.63μm制导激光束的衰减约1.2dB/cm和对SAW一阶高次模(1st)的机电耦合系数k~2约4％。利用ZnO膜的这些优良特性实现了频率为1GHz SAW输入功率为1W的、衍射效率为50％的声光布喇格偏转器。适当设计叉指换能器(IDT)就能够使这种声光偏转器实现宽带声光布喇格偏转器。     

国外部分片状电子元件的结构和制法

近年来,国外片状电子元件的生产发展迅猛,品种不断扩大,广泛用于各种消费类电子产品中。本文主要介绍日本近期生产的几种无引线薄膜电容器、可变电阻器、电感器、压电谐振器、陶瓷滤波器等片状电子元件的结构、制法和主要性能。     

朗谬尔（LB）热电薄膜及其在热电器件方面的应用

LB膜是一种由有机高分子定向排列组成的单分子层或多分子层薄膜材料。通过沉积两种不同种分子的交替层,可以形成非中心对称结构的热电性LB膜,是制作红外检测系统用热电元件的新型有机薄膜材料。本文主要叙述LB膜的制法、热电性膜的制法、热电性LB膜的进展概况及其在热电器件方面的应用和性能评价。     

改进低损耗SAW滤波器用换能器的几种新结构

最近,报道了多种改进低损耗SAW滤波器用换能器的新结构.改进的换能器包括单相单向换能器(SPUDT)、群型单向换能器(GTUDT)、群型单相单向换能器,(GSPUDT)、新型单相单向换能器(MEMUDT、SUDT、RSUDT)以及低损耗SAW-TV-IF滤波器用的故意不完全的(intentionally inperfeet)单向换能器(HUT)等.本文叙述上述各种换能器结构的工作原理和结构设计.并介绍了几种实验性的低损耗SAW滤波器的主要性能.