铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟

文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管（FEMFET）的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用，由于铁电层反偏偶极子的开关作用，自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化，并由直观原型的方法得到了验证。     

时变线性系统特征根判稳的推广

本文研究了二维时变线性系统零解的稳定性，给出了一些允许系数矩阵主对角元变号，系数矩阵特征根变号的判定稳定性的充分条件。     

数学竞赛之窗

2005年国家集训队于3月14日至4月2日在辽宁沈阳东北育才学校进行了培训、测验和选拔.经过6次测验和选拔考试,选出了今年的6名国家队队员:任庆春(天津耀华中学),刁晗生(上海华师大二附中),罗晔(江西师大附中),康嘉引(广东深圳中学),邵火亘程(上海复旦大学附中),赵彤远(河北石家庄二中).选择考试命题组成员为:熊斌,王建伟,陈永高,余红兵,冷岗松,李伟固,朱华伟,郑仲义.     

Zn(BTZ)2白色有机电致发光材料的合成及其器件制备

以PCl₃为脱水剂,将邻氨基硫酚与水杨酸脱水环化合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑,并进一步将所得产物与乙酸锌反应合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)₂)材料。以该配合物作为发光层制备出结构为ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)₂/Al近白色电致发光器件,其色坐标位于白场之内(x=0.242,y=0.359),在驱动电压为16V时,亮度达3200cdm²,对应的量子效率为0.32%。进一步在Zn(BTZ)₂中掺入橙红色染料Rubrene,制成ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)₂:Rubrene/Al结构器件,实现了纯白色发光(色坐标值:x=0.324,y=0.343),非常接近于白色等能点,且量子效率达0.47%。最后对上述器件的发光和电学性能进行了深入的研究和探讨。     

帧中继交换技术

本文论述了帧中继交换的概念、标准，结构、特点网络式样及在互连网中的应用。     

多自由度测试技术的发展

介绍目前较常用的多种多自由度测试技术，给出每种测试技术的测试原理和应用场合，比较各种技术的优缺点和适用范围，讨论该技术发展的方向。     

移动式数据挖掘平台模型

本文提出了一种移动式网络海量数据挖掘平台，给出了数据挖掘任务的形式化描述，详细讨论了平台的体系结构、工作原理与流程。该平台克服了传统网络计算模式的缺陷，支持对异质、分散数据源和知识源的挖掘和检索，具有开放性、可伸缩性、灵活性、可扩展性、健壮性。     

良序套张量积的代数中的强不可约算子

设Ｈ为复的可分无限维Ｈｉｌｂｅｒｔ空间，称有界线性算子Ｔ为强不可约的，如果与Ｔ可交换的幂等算子只有０和Ｉ．王宗尧、蒋春澜、纪有清等人证明了在任何一个套的套代数中都存在大量的强不可约算子，并且找到了它们的酉轨道闭包．本文考虑有限个套的张量积的代数中强不可约算子的存在性问题。证明了：对复平面上任何一个连通完备集σ、总存在一个对角算子Ｎ和它的一个范数可以任意小的紧摄动Ｔ＝Ｘ＋Ｋ，使得Ｔ是一个强不可约算子、Ｔ在有限个良序套的张量积的代数中，并且σ（Ｔ）＝σｌｒｅ（Ｔ）＝σ（Ｎ）＝σｌｒｅ（Ｎ）＝σ进一步，文章还对具有单点谱的算子和良序套与正交补为良序套的张量积的代数进行了讨论，得到了一些结果．     

多层介质光学膜系的误差分析——膜层厚度变化的灵敏度因子

文中推导了对于给定膜系的特定膜层的厚度变化的灵敏度因子计算公式，并给出了用计算机对不同膜系的计算实例。分析了厚度灵敏度因子对膜系透射光谱的灵敏谱段、灵敏膜层等特性的影响规律，并由此给出了确定膜层厚度允差的方法。